igbt的结温是多少，英飞凌IGBT 最高能在多少温度下运行
来源：整理 编辑：亚灵电子网 2023-01-02 01:48:04
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1，英飞凌IGBT 最高能在多少温度下运行
既然是infineon的，你去官网下datasheet嘛。里面有允许最大结温，目前使用习惯是实际工作最大温度=允许最大结温-25℃
2，夏天来了IGBT的外壳温度很容易就上升超过80一般IGBT最好别超过多少
IGBT外壳温度超过80度很正常，内核结温更高。IGBT的数据手册中有关于结温的限制，Tjmax，一般器件好像是结温不高于175度，大功率器件要看手册。
3，IGBT的温升如何计算
根据热阻原理，用Rthj-c即节壳热阻乘以IGBT发热功率就得到IGBT节到壳的温升。
Rthj-c在数据手册里面，IGBT发热功率需要用软件计算，比如英飞凌的IPOSIM，三菱、ABB都有对应自己产品的仿真软件可以估算发热功率
4，变频器IGBT允许运行的最高温度是多少
电流500a以上，耐压多为17kv中间直流电压一般在900——1140左右。igbt有对应型号，根据功率与电压在市场上igbt厂家会有相应的产品，如果有严格标准可以定做。当然，我不从事igbt买卖。呵呵……
5，怎么测电磁炉中IGBT的结温
IGBT的结温是直接测试不到的，你可以测试IGBT铜基板PC（小电流管子没有铜散热基板那就测试IGBT散热外壳）的温度在根据此时IGBT的损耗功率和数据手册上的热阻算出来。不过也有间接的测试方法如IEC 60747-9这个标准内就描述了怎么测试结温。
6，半导体IGBT测试条件中 Tj150 是什么意思
IGBT温度测试有两个参数，壳温和结温，Tj结温是指工作温度范围，存储温度范围，（PN）结温（即管芯内部温度）范围；PN结到壳，是衡量芯片受环境温度影响的参数 ，通俗一点说就是IGBT管子内部的温度，还有一个参数是Tc，这个指的是壳温，就是IGBT外部包封的温度。这个如果要测试，有专业的热阻测试仪来测试的；一般有两个温度，25度以及150度，看看温度变化对IGBT特性的影响，华科智源有设备可以测试的。
7，半导体IGBT测试条件中 Tj150 是什么意思
1、Tj是指工作温度范围，存储温度范围，（PN）结温（即管芯内部温度）范围；是衡量芯片受环境温度影响的参数 ，你问的就是它的PN结温是150度。
2、Tj通俗一点说就是IGBT管子内部的温度，另外有一个参数是Tc，这个指的是壳温，就是IGBT外部包封的温度。
3、比如说我要在-20度到80度之间使用芯片，那么符合条件的芯片的工作温度就必须使用工业级芯片-40～85度。
8，有谁实测过苏泊尔C21S19电磁炉的IGBT热敏电阻在常温下是多少没有
负温度电阻NTC(炉面与IGBT)是否正常？ 是否有+5V （负温度电阻NTC在常温25℃的情况下应该阻值在46~58K之间，有的电磁炉负温度电阻NTC也用100K。单个负温度电阻NTC在98℃ 开水里 ，它是电阻值是2~3K。另：九阳JYZD-22豆浆机温度传感器NTC 正常阻值为69~74Ω，当环境温度为27℃时，它阻值为19.6KΩ，当环境为23℃时，它阻值为20.9KΩ。你好！放在IGBD是10k在电磁炉盘上100k 下次提问加100积分？？？仅代表个人观点，不喜勿喷，谢谢。
9，西门康官网 如何计算IGBT模块的结温
首先选择你使用的IGBT型号，IGBT用在什么什么电路拓扑中，工作频率是多少，输入电压、、输出电压、输出功率或输出电流以及环境条件，按照它的提示选择相应的项，官网会自动帮你算出来的，提供的数据越准，算出来的结温越准。先将传感器取下，然后用万用表在测传感器两端的同时给传感器加热看阻值变化，应该是温度升高阻值降低。是负温度的热敏电阻。（指针表用1k档，数字表用200k档）。用万用表测，25°一般为100千欧，大于25°小于100千欧，小于25°大于100千欧。热敏电阻器是敏感元件的一类，按照温度系数不同分为正温度系数热敏电阻器（ptc）和负温度系数热敏电阻器（ntc）。热敏电阻器的典型特点是对温度敏感，不同的温度下表现出不同的电阻值。正温度系数热敏电阻器（ptc）在温度越高时电阻值越大，负温度系数热敏电阻器（ntc）在温度越高时电阻值越低，它们同属于半导体器件。热敏电阻将长期处于不动作状态；当环境温度和电流处于c区时，热敏电阻的散热功率与发热功率接近，因而可能动作也可能不动作。热敏电阻在环境温度相同时，动作时间随着电流的增加而急剧缩短；热敏电阻在环境温度相对较高时具有更短的动作时间和较小的维持电流及动作电流。
10，IGBT是什么
全名叫 -- 绝缘栅双极性晶体管，是当今社会比较新型也是利用比较广泛的功率电子元器件。它的作用是将整流后的直流电再变成中频交流电，应用广泛，电磁炉，变频空调，逆变电焊机等等很多的电源中。igbt(insulated gate bipolar transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由bjt(双极型三极管)和mos(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有mosfet的高输入阻抗和gtr的低导通压降两方面的优点。gtr饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;mosfet驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。igbt综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600v及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。绝缘栅双极型晶体管IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因此,可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融和了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动简单和快速的优点,又具有双极型器件容量大的优点,因而,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用。 IGBT的工作原理IGBT的等效电路如图1所示。 由图1可知,若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOSFET截止,切断PNP晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止由此可知,IGBT的安全可靠与否主要由以下因素决定：——IGBT栅极与发射极之间的电压;——IGBT集电极与发射极之间的电压;——流过IGBT集电极－发射极的电流;——IGBT的结温。
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