mosfet耐压是多少，mos管 耐压30V 电流10A 内阻2040毫欧
来源：整理 编辑：亚灵电子网 2022-12-24 04:44:34
1，mos管 耐压30V 电流10A 内阻2040毫欧
2，这个mos管耐压多少谢谢
行业称为st75管，电动车控制器中老牌mos管，标称耐压75v，标称电流80a，早期在电动车控制器行业一统江湖，现在因为性价比（不是指性能）的原因市场占有率已大不如从前了
3，MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少
正常驱动10-15，不要超过20V。
开启的阈值电压4-5V。
关断最好有-5到-10V，或者保持低阻。
4，为什么 Si MOSFET的驱动电压是正负15V而SiC MOSFET的驱动电压范围为
大多数Si管子手册正负压限制绝对值相等比如+20和-20，而SiC通常有更小的负压限制，比如这个SIC管子，GS正压最大值25而负压-10。实验中为了可靠关断，可以加一定的负压（实际实验中还会有开通关断瞬时振荡），但负压如果超过了最大值（这个管子是-10伏）可能会损坏管子。因此一般加负压时留一定的裕量。
5，和S两端的电压吗在数据手册里是哪一项说明耐压多少
方法一。从model文件中可以找到方法二。做一次单管的dc分析，通过波形文件measure到需要的参数特性方法三。用hspice仿真后查看.lis文件，里面有mos管的所有参数及其工作状态描述
6，MOS管选择时耐压怎么看 比如说电脑主板输入12V为什么选MOS耐压要
选用25V及以上的MOS主要是由你的应用电压决定，并根据经验留出足够的电压余量。理论上，电压越高，MOS越安全，可靠性也越高。但是，同等内阻下，电压越高，成本越高，栅极电容越大，速度也越慢。这就限制了电压不能无限制抬高。这是相互矛盾的情况，根据经验，一般会留出1.2~1.5倍的电压余量。但是具体是由你的应用电路、客户需求以及产品的可靠性要求决定。比如，3.7V的锂电平台，MOS有用12V的，也有用24V的。36V或48V的平台，都有选用75V的MOS。220V的交流，一般选600V或900V的MOS。 MOS当开关电源使用，电感上的电压为锯齿波形，但是是平滑而不带尖峰的。只是，谁也说不准什么时候会有刺激、电压波动或异常动作，所以才要加一些设计余量。比如，DCDC肯定是几路并联给不同设备供电的，其中一路重载后负载突降，其输入端电压肯定是要被抬高的，这和电路的设计特性有关，很难真正的计算出来，还有控制器的死区时间控制不好，等等。都会带来电压的跳动，从而使平台电压高于12V的
7，MOSFET现在电压最高是多少
你是指cmos集成电路中的mosfet导通电压么？对于cmos电路来说，导通电压左右，也就是阈值电压是与工艺有关的。例如0.35um的工艺，pmos的阈值电压为-0.7v左右，nmos小一些，可能0.6v左右。工艺越先进，阈值电压越小，例如0.18um，pmos的阈值电压可能只有-0.4v左右，nmos更小一些，可能0.3v左右。这个电压等级你用IGBT啊，高压的MOSFET损耗很大的
8，航模电调的mos管耐压要比电源高多少啊30v的场效应管可以用6s吗
如果要得到更专业的回答请上专业的模型论坛，比如我爱模型 模型世界等。你这个问题比较复杂，一般一架机飞多久和很多问题都有关，比如载机设计是否合理，电池有没有虚标，电机和桨的效率等，但你说的感觉就没电这个不知道是什么意思，一般模型用锂电电压不能低于3伏，否则会过放，但一些模友都把电压保留到3.3伏或更高才安心,而锂电充满只不过4.2伏,所以感觉没电不准确,应该连个电压计.而且四轴这种东西原本就比固定翼费电的.一般条件允许的话,多数使用多S的电池,效率会高一些,但也受到电机和配桨效率的影响.用高压电还是低压电主要取决于电调是不是支持，还有电机在高压下工作是不是高效。如果电机和电调都支持高压工作，并且效率好的话，那么应该尽量用高压。可以减少电流降低发热提高效率。
9，目前最大功率的mosfet能做到多大功率最高耐压和电流是多少是
单个的话2--3kw，工业级的都是以模组形式来获得超大功率的。您好，我看到您的问题很久没有人来回答，但是问题过期无人回答会被扣分的并且你的悬赏分也会被没收！所以我给你提几条建议：一，你可以选择在正确的分类下去提问，这样知道你问题答案的人才会多一些，回答的人也会多些。二，您可以到与您问题相关专业网站论坛里去看看，那里聚集了许多专业人才，一定可以为你解决问题的。三，你可以向你的网上好友问友打听，他们会更加真诚热心为你寻找答案的，甚至可以到相关网站直接搜索.四，网上很多专业论坛以及知识平台，上面也有很多资料，我遇到专业性的问题总是上论坛求解决办法的。五，将你的问题问的细一些，清楚一些！让人更加容易看懂明白是什么意思!谢谢采纳我的建议! !最大的不好说啊，你还是去vishay，st，ir这几个大的半导体器件生产商的官网上查查吧
10，MOSFET主要参数什么意思
Mosfet参数含义说明 Features: Vds： DS击穿电压.当Vgs=0V时，MOS的DS所能承受的最大电压 Rds(on)：DS的导通电阻.当Vgs=10V时，MOS的DS之间的电阻 Id： 最大DS电流.会随温度的升高而降低 Vgs: 最大GS电压.一般为：-20V~+20V Idm: 最大脉冲DS电流.会随温度的升高而降低，体现一个抗冲击能力，跟脉冲时间也有关系 Pd: 最大耗散功率 Tj: 最大工作结温，通常为150度和175度 Tstg: 最大存储温度 Iar: 雪崩电流 Ear: 重复雪崩击穿能量 Eas: 单次脉冲雪崩击穿能量 BVdss： DS击穿电压 Idss: 饱和DS电流，uA级的电流 Igss: GS驱动电流，nA级的电流. gfs: 跨导 Qg: G总充电电量 Qgs: GS充电电量 Qgd: GD充电电量 Td(on): 导通延迟时间，从有输入电压上升到10%开始到Vds下降到其幅值90%的时间 Tr: 上升时间，输出电压 VDS 从 90% 下降到其幅值 10% 的时间 Td(off): 关断延迟时间，输入电压下降到 90% 开始到 VDS 上升到其关断电压时 10% 的时间 Tf: 下降时间，输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时间 ( 参考图 4) 。 Ciss: 输入电容，Ciss=Cgd + Cgs. Coss: 输出电容，Coss=Cds +Cgd. Crss: 反向传输电容，Crss=Cgc.MOS管导通特性 导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。 适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到一定电压（如4V或10V, 其他电压，看手册）就可以了。 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。你的提问，太不专业了，应该是从一个表上拷的数据吧，很乱。一些典型值，最大值之类的，导通电阻RDS(ON)，最大栅极电压VGS(V)等。最好是把DATASHEET的表拷整齐点下来由上到下依次是封装类型，适用电路，源漏极击穿电压，导通源漏电阻，漏极电流25摄氏度，漏极电流100摄氏度，栅极电荷（典型值），栅漏极电荷（典型值），热阻，耗散功率，后面三个是关于是否在产，是否含铅，和安装类型你所问的是MOSFET的一些基本参数，下面资料有自己看吧。
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