p型半导体多少载流子为，大一电工问题P型半导体和N型半导体中多数载流子分别为 问
来源：整理 编辑：亚灵电子网 2022-12-28 04:44:15
1，大一电工问题P型半导体和N型半导体中多数载流子分别为 问
p型半导体的多数载流子是空穴，n型半导体的多数载流子是自由电子。
2，半导体中参与导电的电流载体称为载流子N型半导体的载流子是带
D 试题分析：因为上表面带正电、下表面带负电，电流的方向向右，根据左手定则可判断，是正电荷向右移动，故是是P型半导体；根据 ，可得 ，根据I=nqvS，得 ,选项D正确。
3，N型半导体的多数载流子是电子而P型半导体是空穴所以说N型半
不对，载流子指可移动的电荷，半导体内还有不可移动的电荷，比如带正电的原子核，这样就能与N型半导体的多数载流子是电子平衡，维持电中性条件了还有空穴是一个概念性的东西，实际是不存在的。对外不显电性，p型半导体 n型半导体 都不带电，都是电中性的，
4，P型半导体中多数载流子是空穴少数载流子是自由电子怎么解释
p型半导体中的【空穴 】是多数载流子【电子 】是少数载流子 多子主要来自【受主杂质电离 】少子主要来自【本征激发 】2009年11月20日8:53:55在纯净的硅晶体中掺入三价元素 使其取代晶格中硅原子的位置 由于少一个最外层电子与硅配对 便产生大量空穴少数自由电子由热激发形成
5，请问一下各位大神什么才算N型半导体与P型半导体的区别 问
N型半导体中电子为多数载流子，空穴为少数载流子，例如磷，砷。P型半导体中电子为少数载流子，空穴为多数载流子，例如，硼，镓。多数载子为自由电子的半导体叫N型半导体。反之，多数载子为空穴的半导体叫P型半导体。P型半导体与N型半导体接合后便会形成P-N结，三极管就是P-N结的典型例子。根据不同的P-N结组合方式，有NPN，PNP型两种三极管。要区别n型半导体和p型半导体，方法很多。简单而直接的快速方法就是采用热探针法（由热电动势的符合来判断）；复杂一些的是采用hall效应测量法（由hall系数的正负来判断）。
6，在霍尔效应测磁场中若根据IBV的方向如何确定所用样品是N型还
先设定I,B,V的参考正方向：例如设定I从左向右为正，B垂直纸面向内为正，正电荷向上偏转，则V从下向上为正。然后将测量仪器按参考正方向连接。电流表要左边接红表笔，右边接黑表笔，电压表要下表面接红表笔，上表面接黑表笔。 然后将I，B均调为正，观察电压表的正负。根据U=KIB，如果电压表为负数，则灵敏度K<0，电子导电，N型半导体；如果电压表为正数，K>0，空穴导电，P型半导体。你好！先设定I,B,V的参考正方向：例如设定I从左向右为正，B垂直纸面向内为正，正电荷向上偏转，则V从下向上为正。然后将测量仪器按参考正方向连接。电流表要左边接红表笔，右边接黑表笔，电压表要下表面接红表笔，上表面接黑表笔。 然后将I，B均调为正，观察电压表的正负。根据U=KIB，如果电压表为负数，则灵敏度K<0，电子导电，N型半导体；如果电压表为正数，K>0，空穴导电，P型半导体。如有疑问，请追问。当磁场方向穿过手心，四指方向为电流方向，拇指为电场方向，拇指指向负电荷一侧，此时为P型半导体，空穴型。若方向正好相反，则为N型半导体，也是电子型。判断通电导线处于磁场中时，所受安培力 F （或运动）的方向、磁感应强度B的方向以及通电导体棒的电流I三者方向之间的关系的定律。根据U=KIB，如果电压表为负数，则灵敏度K<0，电子导电，N型半导体；如果电压表为正数，K>0，空穴导电，P型半导体。解释：在半导体上外加与电流方向垂直的磁场，会使得半导体中的电子与空穴受到不同方向的洛伦兹力而在不同方向上聚集，在聚集起来的电子与空穴之间会产生电场，电场力与洛伦兹力产生平衡之后，不再聚集，此时电场将会使后来的电子和空穴受到电场力的作用而平衡掉磁场对其产生的洛伦兹力，使得后来的电子和空穴能顺利通过不会偏移，这个现象称为霍尔效应。而产生的内建电压称为霍尔电压。以上内容参考：百度百科-霍尔效应对于n型半导体，载流子是电子，其在磁场中所受到的洛伦兹力使部分电子聚集到半导体中垂直于电流和磁场方向的一侧（根据安培左手定则安培力所指方向即为载流子聚集侧，假设为a侧），则对侧会感应出等量的异种电荷，形成霍尔电场Uab<0；对于p型半导体，其载流子为等效于正电子的空穴，假设磁场和电流方向与n型半导体相同，则在刚才电子聚集的位置汇集空穴，对侧感应出等量的负电荷，形成霍尔电场Uab>0。故在已知电流和磁场的方向下情况下，根据霍尔电压的正负即可区分p、n型半导体。
7，p型半导体为什么把空穴作为载流子
p型半导体是添加三价杂质元素（in）使硅原子共价键缺了1个价电子，价电子缺少的地方就成为空穴，空穴能从相邻原子接受电子，空穴成了多数载流子。p型半导体也有自由电子，与空穴相比少得多，所以称自由电子为少数载流子，相应的因为空穴比电子多，故称其为多数载流子。首先空穴不是真实存在的，是人们虚拟。当一个电子有价带跃迁到导带的同时，价带中就产生了一个空量子态，人们虚拟为空穴。且空穴（空位）也不能移动的，只是因为空位相邻的共价键上的电子很容易跑到这个空位上，这样其相邻的共价键上就形成了一个新的空位，其效果就好像空位在移动。下面来回答您的问题：P型半导体之所以空穴为多子的原因是：受主杂质原子（如3价硼）能在价带中产生空穴，但不在导带中产生电子（P表示带正电的空穴）。具体的描述：硼的三个价电子与硅都形成了共价键，而有个共价键是空的。如果有一个电子填充这个“空”位，因为此时的硼原子带负电，它的能量必须比价电子的能量高。但是，占据这个“空”位的电子并不具有足够的能量进入导带，它的能量远小于导带底能量。当硼原子引入的空位被填满时，其他价电子的位置将变空。可以把出来的位置想象成半导体材料中的空穴。空位的不断被填充，不断有新的空位产生，我们可以看出空位在移动，因此多子为空穴。您提到的负离子即填充空位的负离子，仅能使价带电子跃迁到某一能级Ea而非跃迁到导带的电子。整个过程就是这样的，在价带产生了空穴，而不再导带产生电子。N型半导体之所以电子为多子的原因是：施...首先空穴不是真实存在的，是人们虚拟。当一个电子有价带跃迁到导带的同时，价带中就产生了一个空量子态，人们虚拟为空穴。且空穴（空位）也不能移动的，只是因为空位相邻的共价键上的电子很容易跑到这个空位上，这样其相邻的共价键上就形成了一个新的空位，其效果就好像空位在移动。下面来回答您的问题：P型半导体之所以空穴为多子的原因是：受主杂质原子（如3价硼）能在价带中产生空穴，但不在导带中产生电子（P表示带正电的空穴）。具体的描述：硼的三个价电子与硅都形成了共价键，而有个共价键是空的。如果有一个电子填充这个“空”位，因为此时的硼原子带负电，它的能量必须比价电子的能量高。但是，占据这个“空”位的电子并不具有足够的能量进入导带，它的能量远小于导带底能量。当硼原子引入的空位被填满时，其他价电子的位置将变空。可以把出来的位置想象成半导体材料中的空穴。空位的不断被填充，不断有新的空位产生，我们可以看出空位在移动，因此多子为空穴。您提到的负离子即填充空位的负离子，仅能使价带电子跃迁到某一能级Ea而非跃迁到导带的电子。整个过程就是这样的，在价带产生了空穴，而不再导带产生电子。N型半导体之所以电子为多子的原因是：施主杂质原子增加导带电子，但并不产生价带空穴。（N表示带负电的电子）
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