1,rf走线是需要控制差分50欧还是单端50欧

单端50欧姆
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rf走线是需要控制差分50欧还是单端50欧

2,请教LC滤波电路的设计1356MHZ

这个是不是多阶滤波
LC滤波电路那不大懂
这就是一个差分匹配巴伦的设计,比较简单的方法就是把差分电路,拆解为单端电路,阻抗/2.
你好 我可以帮你。

请教LC滤波电路的设计1356MHZ

3,巴伦电路电压比

巴伦电路用于阻抗匹配,一般芯片端输出输出差分信号,通过巴伦电路实现由差分阻抗匹配到特性单端阻抗的作用,至于你说的电压比,不是很明白,差分线就是相位相差180°。
你的问题提错了 并联电路中,电压相等,电流与电阻成反比,这就是著名的分流原理

巴伦电路电压比

4,仿真求助阻抗怎么添加

更正楼主的说法:应该是芯片的最佳负载阻抗是116+j*41。将源阻抗设置为116-j*41,设置差分端口,就可以仿真了。巴伦和匹配原件要考虑器件的分布参数,会更准确些。
楼主,你好!这样的差分输出我还没仿真过。。不过我以前都是手动来调的。好像这样子要更快。。

5,请问单端阻抗50欧差分阻抗100欧DDR2的PCB叠层阻抗采用

差分阻抗:Zdiff = 2*Z0(1-.48*e-.96*S/H) 微带线Z0是特征阻抗也就是差分线的单端阻抗,根据Z0确定了PCB叠层结构,走线跟参考平面的高度H就定下来了,然后再根据Zdiff,Z0,H就可以得出线间距S。
DDR2 芯片手册上有, 一般使用50欧,差分100欧,刚做了一款ARM板,DDR2阻抗控制为50欧
是否应该先考虑差分阻抗再考虑单端阻抗,使用100欧,用polar SI9000计算叠层呢?这样对不对,请指教。

6,在单端输出差分放大电路中差模增益Ad250共模电压增益Ac0

共模输入是60mv,共模输出60乘以-0.5等于-30mv。差模输入为80-60=20mv,差模输出乘以50等于1000mv。考虑到输入同相端和反相端的区分,两种输出相加等于970mv或者-1030mv。
差模电压=Vi1-Vi2=20mV共模电压=(Vi1+Vi2)/2=70mV输出电压vc2=(Vi1-Vi2)*50+(Vi1+Vi2)/2*(-0.5)=20*50-70*0.5=965mV
(80-60)*50或者(60-80)*50,具体正负看谁给了付端谁给了正端
共模放大倍数为-0.5不为0,输出为单端输出。ui1 = 80mv,ui2=60mv,则uc = (ui1 + ui2)/2 = 70mv,ud = ui1-ui2 = 20mvu0 = ad*ud/2+ac*uc = 50*20/2-0.5*70 = 465mv

7,低压差分信号

LVDS (低压差分信号)是高速、低电压、低功率、低噪声通用I/O接口标准,其低压摆幅和差分电流输 出模式使EM I (电磁干扰)大大降低。由于信号输出边缘变化很快,其信号通路表现为传输线特性。因此, 在用含有LVDS接口的Xilinx或Altera等公司的FP2GA及其它器件进行PCB (印制电路板)设计时,超高 速PCB设计和差分信号理论就显得特别重要。 LVDS是一种小摆幅差分信号技术,使用很低的电压幅度(100 mV~450 mV)通过一对平行的PCB走 线或平衡电缆传输数据。在两条平行的差分信号线上,电流及电压振幅相反,噪声信号同时耦合到两条线 上,接收端只关心两信号的差值,因此噪声被抑制掉。 低电压摆幅使提高数据率和降低功耗成为可能,同时也意味着数据可更快地反转。由于LVDS驱动器是恒 流源模式,功耗几乎不会随频率的增加而增大,其单路功耗非常低, 按典型电流3. 5mA、终端匹配电阻 100Ω计算,消耗在电阻上的功率只有1. 225 mW。 LVDS信号两根差分线产生的磁场彼此抵消,电场相互耦合。电场之间耦合很紧,因而不能泄漏出去, 只有稍许边缘场会向外泄漏。所以, LVDS作为差分传输系统,会比CMOS或TTL等信号产生更小的EM I。 在进行含有LVDS的PCB 设计时,关键是要记住LVDS是高速差分信号,它与普通的传输线设计理论 有很大不同。但很多资料和书籍上都要求LVDS单线阻抗50Ω、差分阻抗100Ω,这就没有考虑到LVDS的 差分特性,把LVDS差分线对当做两根独立的信号线对待。这样既不符合LVDS的特点,也会给初学者造 成误解。本文将详细分析单线阻抗与差分阻抗的异同,并提出进行高速PCB设计时的几点建议。 在DDR内存,串口硬盘,PCI-E显卡等上都有应用。
LVDS (低压差分信号)是高速、低电压、低功率、低噪声通用I/O接口标准,其低压摆幅和差分电流输出模式使EM I (电磁干扰)大大降低。由于信号输出边缘变化很快,其信号通路表现为传输线特性。因此,在用含有LVDS接口的Xilinx或Altera等公司的FP2GA及其它器件进行PCB (印制电路板)设计时,超高速PCB设计和差分信号理论就显得特别重要。LVDS是一种小摆幅差分信号技术,使用很低的电压幅度(100 mV~450 mV)通过一对平行的PCB走线或平衡电缆传输数据。在两条平行的差分信号线上,电流及电压振幅相反,噪声信号同时耦合到两条线上,接收端只关心两信号的差值,因此噪声被抑制掉。低电压摆幅使提高数据率和降低功耗成为可能,同时也意味着数据可更快地反转。由于LVDS驱动器是恒流源模式,功耗几乎不会随频率的增加而增大,其单路功耗非常低, 按典型电流3. 5mA、终端匹配电阻100Ω计算,消耗在电阻上的功率只有1. 225 mW。LVDS信号两根差分线产生的磁场彼此抵消,电场相互耦合。电场之间耦合很紧,因而不能泄漏出去,只有稍许边缘场会向外泄漏。所以, LVDS作为差分传输系统,会比CMOS或TTL等信号产生更小的EM I。在进行含有LVDS的PCB 设计时,关键是要记住LVDS是高速差分信号,它与普通的传输线设计理论有很大不同。但很多资料和书籍上都要求LVDS单线阻抗50Ω、差分阻抗100Ω,这就没有考虑到LVDS的差分特性,把LVDS差分线对当做两根独立的信号线对待。这样既不符合LVDS的特点,也会给初学者造成误解。本文将详细分析单线阻抗与差分阻抗的异同,并提出进行高速PCB设计时的几点建议。在DDR内存,串口硬盘,PCI-E显卡等上都有应用。
本人非常关心LVDS的阻抗问题
是一种信号对电路,由两路信号,信号电平相等,极性相反的抗干扰能力很强的电路。如屏的LVDS信号。
像这样的差分信号是否只考虑其差分阻抗
太谢谢了!受益了。

文章TAG:巴伦单端50差分是多少巴伦  50  差分  
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