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1，什么叫零带隙半导体

这说的是石墨烯 半导体有导带，禁带，价带。。。 所谓零带隙就指的是禁带宽度为零
简单的说直接带隙半导体就是导带最低点和价带最高点在k空间处于同一点的半导体，间接带隙半导体就是它们不处于同一点的半导体。你可以看一下下面的参考资料

什么叫零带隙半导体

2，半导体Si和CaAs的能带结构各有什么特征

Si的能带宽，CaAs的能带窄，所以更适合射频器件
你好！GaAs吧？Si的能带宽度为1.12eV，间接带隙GaAs的能带宽度为1.43eV，直接带隙如有疑问，请追问。
GaAs吧？Si的能带宽度为1.12eV，间接带隙GaAs的能带宽度为1.43eV，直接带隙

半导体Si和CaAs的能带结构各有什么特征

3，直接带隙和间接带隙的区别

直接带隙半导体材料就是导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中同一位置。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只需要吸收能量。 间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量，还要改变动量。 间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。电子在k状态时的动量是（h/2pi）k，k不同，动量就不同，从一个状态到另一个必须改变动量。

直接带隙和间接带隙的区别

4，如何精确计算半导体禁带宽度

对于常用的Si、Ge和GaAs等半导体，在由原子结合而成为晶体的时候，价键将要产生所谓杂化（s态与p态混合——sp3杂化），结果就使得一条原子能级并不是简单地对应于一个能带。所以，当温度升高时，晶体的原子间距增大，能带宽度虽然变窄，但禁带宽度却是减小的——负的温度系数。当掺杂浓度很高时，由于杂质能带和能带尾的出现，而有可能导致禁带宽度变窄。禁带宽度对于半导体器件性能的影响是不言而喻的，它直接决定着器件的耐压和最高工作温度；对于BJT，当发射区因为高掺杂而出现禁带宽度变窄时，将会导致电流增益大大降低

5，硅的带隙能量指的是什么

在半导体和绝缘体， 电子 被限制对一定数量 带 能量和禁止其他地区。 期限“带隙”提到上面的能量区别之间 化学价带 并且底部 传导带; 电子能从一条带跳跃到另一个。 传导性 纯半导体 依靠强烈带隙。 唯一的可利用的载体为传导是有横跨带隙将被激发的足够的热能的电子。 带隙工程学是控制或修改材料的带隙的过程通过控制某一半导体的构成 合金例如GaAlAs、InGaAs和InAlAs。 靠技术修建层状材料与交替的构成象也是可能的 分子束外延. 这些方法在设计被利用 异质结双极晶体管 (HBTs)， laser二极管 并且 太阳能电池. 半导体和绝缘体之间的分别是大会事情。 一种方法将认为半导体作为绝缘体的类型以低带隙。 绝缘体以更高的带隙，通常大于3 eV，没有被认为半导体和不在实用情况下一般显示semiconductive行为。 电子迁移率 在确定材料的不拘形式的分类也扮演一个角色。 带隙取决于温度由于 热扩散. 带隙也取决于压力。 带隙可以是二者之一 直接 或 间接bandgaps根据 带状组织. 材料 标志 带隙(eV) @ 300K 硅 Si 1.11 [1] 锗 Ge 0.67 [1] 碳化硅 SiC 2.86 [1] 铝磷化物 阿尔卑斯 2.45 [1] 铝砷化物 呀 2.16 [1] 铝锑化物 AlSb 1.6 [1] 铝氮化物 AlN 6.3 金刚石 C 5.5 镓(III)磷化物 空白 2.26 [1] 镓(III)砷化物 GaAs 1.43 [1] 镓(III)氮化物 GaN 3.4 [1] 镓(II)硫化物 气体 2.5 (@ 295 K) 镓锑化物 GaSb 0.7 [1] 铟(III)磷化物 InP 1.35 [1] 铟(III)砷化物 InAs 0.36 [1] 锌硫化物 ZnS 3.6 [1] 锌硒化物 ZnSe 2.7 [1] 锌碲化物 ZnTe 2.25 [1] 硫化镉 CdS 2.42 [1] 镉硒化物 CdSe 1.73 [1] 碲化镉 CdTe 1.49 [2] 主角(II)硫化物 PbS 0.37 [1] 主角(II)硒化物 PbSe 0.27 [1] 主角(II)碲化物 PbTe 0.29 [1]

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