饱和失真电路,电路存在饱和失真

饱和失真是由于当Q点对于正半周期过高时电子管进入饱和状态造成的。失真消除方法适当增加RB值，饱和失真是指晶体管在饱和区发生的情况，饱和失真是指由于高Q点引起的晶体管失真，对于NPN单管共射放大器电路，饱和失真是指输入信号的正半波超过三极管的放大能力而产生失真，对应的输出波形是输出波形的底部失真，即当三极管进入饱和区时，Q设置过高。

截止失真是指当偏置电流过小时信号电压谷变平，饱和失真是指当偏置电流过大时信号电压峰变平。共发射极放大器反向放大，信号电压谷值上升至输出电压峰值，信号电压峰值下降至输出电压谷值。当输入信号的幅度超过设计使用范围时，放大器将离开放大区而进入饱和区，输出将产生饱和失真。理论上，这种失真可以理解为:在超强信号的作用下，三极管的发射极和集电极之间无法提供信号输出所需的工作电压。

因为晶体管饱和的根本原因是集电极结收集电子的能力不足，所以在RC和电子管不变的情况下，增加VCC可以增强集电极收集电子的能力，但必须保证VCC在晶体管可承受的范围内。晶体管有三个工作区:饱和区、截止区和线性区（放大区），对于具有共发射极的基本放大器电路，其输入波形正好与其输出波形相反，即相位差。