lcd光刻线宽多少nm，光刻机纳米什么意思是光的波长还是产品线条宽度

1，光刻机纳米什么意思是光的波长还是产品线条宽度

光刻纳米机中的”纳米“指的是产品线条宽度（工艺尺寸）。即光刻机加工的芯片线路尺寸可以达到纳米量级，即10^(-19)m，如CPU中的 5nm工艺、7nm工艺和14nm工艺。而光的频率一般在几百纳米，如可见光的波长范围一般在400nm~700nm。

光刻机纳米什么意思是光的波长还是产品线条宽度

2，佳能光刻机多少纳米

从工艺节点的角度来看，佳能已经量产的最精细的KrF光刻机使用的波长是248纳米，它对应到的最小极限线宽是90nm。牧野晶表示：“虽然当前有些先进制程的工艺节点已经发展到14nm及以下，但半导体的工序很长，需要反复加工几十层。以14nm制造的芯片为例，事实上其中只有几个最严格的层需要做到14nm那么精细，其他大部分的层是不需要的，这时候就可以用佳能的KrF 90nm的光刻设备。”

佳能光刻机多少纳米

3，光刻技术的原理是什么

概述RDJ-I正型光刻胶是液晶显示器用正性光刻胶，可同时适用于TN/STN/FTN LCD、VFD制作，具有高感度，高粘附性，高分辨率，良好的涂布性能等优点。RDJ-I正型光刻胶采用环保溶剂。RDJ-I正型光刻胶一般规格有30mpa.s，40mpa.s，50 mpa.s，使用时可根据需要稀释成不同固含量和粘度。技术指标如下表：颜色砖红色粘度(25℃,VT-04E/F) 20-50 mpa.s基板 ITO玻璃(30Ω)涂膜厚度 1.3—1.8um前烤 100x90sec(热板)曝光 60-100mj/cm2显影 0.8% KOHx60sec后烤热板120℃×120sec蚀刻 HNO3:HCl:H2O=4：23：73@40℃剥离 4%NaOH@50℃×120sec贮存期限（25℃以下暗处贮存） 6个月操作工艺参数：1．涂布：23℃，辊涂，膜厚1.1-1.8μm；2．前烤：100℃x90sec(热板)，烤道100℃3—5分钟；3．曝光：90mj/cm2；4．显影：23℃，0.4% NaOH，1min，喷淋或浸渍；5．后烤：热板120℃×120sec，烤120℃,3-5分钟；6．蚀刻：45℃，FeCl3/HCl或HNO3/ HCl；7．剥离：23℃ 4-6% NaOH

光刻技术的原理是什么