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1，VGSth Min06V Max12V 请问什么意思栅极电压多少管子能正常

指的是开启电压，最小0.6V，最大1.2V。就是这个型号的管子的开启电压（GS之间加上一定的电压刚刚好使DS之间开始导通，这个电压就是开启电压）从0.6到1.2V之间，每个管子都有所不同，这是制造时的离散性造成的。

VGSth Min06V Max12V 请问什么意思栅极电压多少管子能正常

2，MOS场效应管源极栅极漏极电压分别是多少伏

这个管子是N沟道MOS管,75伏75安最大300安.正常使用不能超过75伏. MOS管使用常识： 栅极悬空是不允许的,会击穿.

MOS场效应管源极栅极漏极电压分别是多少伏

3，mos管导通电压大小是多大啊为什么mos管需要栅极驱动电路而类似的三极

MOS管是由电压驱动的，但MOS管GS极之间有个小“电容”，给这个电容充电需要一定的时间，原则上充电过程越快越好，慢了会使MOS管发热，严重了会直接烧坏。栅极驱动电路的作用就是使“电容”更快充电，使MOS管导通或关断速度更快。大功率三极管也需要电流驱动电路啊，提供三极管导通所需的基极电流。

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4，nMOS管栅极电压

nMOS：Vth=0.7V ，pMOS：Vth=-0.8V。MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。由于刚出现强反型时，表面沟道中的导电电子很少，反型层的导电能力较弱，因此，漏电流也比较小。在实际应用中往往规定漏电流达到某一值( 如50μA)时的栅源电压为阈值电压。从使用角度讲，希望阈值电压Vm小一些好。阈值电压是决定MOSFET能否导通的临界栅源电压，因此，它是MOSFET的非常重要参数。扩展资料：对于理想的增强型MOSFET（即系统中不含有任何电荷状态，在栅电压Vgs = 0时，半导体表面的能带为平带状态）。阈值电压可给出为VT = ( SiO2层上的电压Vi ) + 2ψb = －[2εεo q Na ( 2ψb )] / Ci + 2ψb ,式中Vi ≈ (耗尽层电荷Qb) / Ci，Qb =－( 2εεo q Na [ 2ψb ] )，Ci是单位面积的SiO2电容，ψb是半导体的Fermi势（等于本征Fermi能级Ei与Ef之差）。参考资料：百度百科-晶体管阈值电压

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