二极管结温一般多少，肖特基二极管的工作结温是多少

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1，肖特基二极管的工作结温是多少
2，二极管工作结温是越高越好还是越低越好
3，二极管结温
4，二极管的温升主要受什么参数的影响
5，请问有温度二极管吗
6，碳化硅SIC肖特基二极管耐高温250度有吗
7，常用二极管参数

1，肖特基二极管的工作结温是多少

110左右

肖特基二极管的工作结温是多少

2，二极管工作结温是越高越好还是越低越好

二极管工作结温是越高越好，适应的环境大

二极管由pn结构成，pn结是由两种不同半导体材料融合在一起，就是p性材料和n性材料融合在一起。每一面引出一根线，有点接触和面接触两种。所谓结温就是pn结的温度。在半导体厂用红外光谱测温仪测量结温。业余爱好者没有必要测量结温。没有什么简单设备可以测量。不知道你为什么要测量结温。正常使用中二极管的结温不会太高，因为制造、设计电路时已经考虑了使用条件，例如环境温度、额定电流、有无散热器等等。并且还有一定的余量，不会烧坏。

二极管工作结温是越高越好还是越低越好

3，二极管结温

二极管由PN结构成，PN结是由两种不同半导体材料融合在一起，就是P性材料和N性材料融合在一起。每一面引出一根线，有点接触和面接触两种。所谓结温就是PN结的温度。在半导体厂用红外光谱测温仪测量结温。业余爱好者没有必要测量结温。没有什么简单设备可以测量。不知道你为什么要测量结温。正常使用中二极管的结温不会太高，因为制造、设计电路时已经考虑了使用条件，例如环境温度、额定电流、有无散热器等等。并且还有一定的余量，不会烧坏。

所谓结温就是PN结的温度。在半导体厂用红外光谱测温仪测量结温。

二极管结温

4，二极管的温升主要受什么参数的影响

还有周围的发热元件，以及散热系数。

电流

工作电流二极管本身的压降散热环境

以国产整流二极管为例二极管的主要参数有：最高反向峰值电压v rm （v）；额定正向整流电流（平均值）if；（a）正向压降（平均值）vf；（v）反向电流（平均值）ir；（μa）不重复正向浪涌电流isur；（a）频率f；（khz）最高结温tjm；（℃）外形。如果是开关管的话，它的参数又有所不同，如还有反向恢复时间trr，零偏压电容co等等。不同用途的二极管它的参数也有不同的。

5，请问有温度二极管吗

把组件放在75度烘箱中至热稳定，在二极管中通组件的实际短路电流，热稳定后（例如1h），测量二极管的表面温度，根据以下公式计算实际结温tj=tcase + r*u*i其中r为热阻系数，由二极管厂家给出，tcase是二极管表面温度（用热电偶测出），u是二极管两端压降（实测值），i为组件短路电流。计算出的tj不能超过二极管规格书上的结温范围。以扬杰的10sq050型二极管为例。如果实测外壳温度是150度，用在72片125电池片180w的组件上，其结温为：tj＝150+3*0.5*5.4=158.1

CPU温度实际上一般有3个1、核心温度。真正的cpu核心温度，一般开机后都要到100度的了2、二极管温度：是指贴近于cpu内部的温度探测头，探测到的温度3、cpu温度：是指表面温度，一般来说现在的夏天天气，二极管温度在60~70之间是正常，90多度就很高了，如果二极管去到90度，cpu核心就更吓人了表面温度因为有散热器在表面辅助，一般温度变化不大------------------------------如果你是加压超频在用，温度肯定高的了，因此散热器一定要镇的住，都则随时都是过热造成cpu永久损伤，有可能有保护不烧，但cpu会因此变得不稳定，如经常蓝屏等请采纳。

6，碳化硅SIC肖特基二极管耐高温250度有吗

TO-220AC碳化硅二极管(内绝缘250度结温)600V3A、600V5A、600V6A、600V10A、600V12A、650V3A、海飞乐技术封装650V5A SIC二极管、650V6A、650V10A、650V12A、1200V5A、1200V8A、1200V10A碳化硅二极管、1200V15A、1200V20ATO-3P、TO-247封装SiC二极管(内绝缘250度结温)600V10A、600V20A、600V24A、600V30A、600V50ASIC二极管、海飞乐技术封装650V20A、1200V8A、1200V10A、1200V15A、1200V20A碳化硅二极管、1200V30A、1200V50A、TO-3P、TO-247封装SiC二极管(内绝缘250度结温) 碳化硅共阴二极管600V10A*2、650V10A*2、650V12A*2、1200V5A*2、1200V8A*2、1200V10A*2、1200V15A*2、1200V20A*2、1200V30A*2海飞乐技术封装 SOT-227(内绝缘250度结温)或者半桥碳化硅二极管模块。

7，常用二极管参数

常用二极管参数：05Z6.2Y 硅稳压二极管 Vz=6~6.35V,Pzm=500mW, 05Z7.5Y 硅稳压二极管 Vz=7.34~7.70V,Pzm=500mW, 05Z13X 硅稳压二极管 Vz=12.4~13.1V,Pzm=500mW, 05Z15Y 硅稳压二极管 Vz=14.4~15.15V,Pzm=500mW, 05Z18Y 硅稳压二极管 Vz=17.55~18.45V,Pzm=500mW, 1N4001 硅整流二极管 50V, 1A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=50A) 1N4002 硅整流二极管 100V, 1A, 1N4003 硅整流二极管 200V, 1A, 1N4004 硅整流二极管 400V, 1A, 1N4005 硅整流二极管 600V, 1A, 1N4006 硅整流二极管 800V, 1A, 1N4007 硅整流二极管 1000V, 1A, 1N4148 开关二极管 75V, 4PF,Ir=25nA,Vf=1V, 1N5391 硅整流二极管 50V, 1.5A,(Ir=10uA,Vf=1.4V,Ifs=50A)1N5392 硅整流二极管 100V,1.5A, 1N5393 硅整流二极管 200V,1.5A, 1N5394 硅整流二极管 300V,1.5A, 1N5395 硅整流二极管 400V,1.5A, 1N5396 硅整流二极管 500V,1.5A, 1N5397 硅整流二极管 600V,1.5A, 1N5398 硅整流二极管 800V,1.5A, 1N5399 硅整流二极管 1000V,1.5A, 1N5400 硅整流二极管 50V, 3A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=150A) 1N5401 硅整流二极管 100V,3A, 1N5402 硅整流二极管 200V,3A, 1N5403 硅整流二极管 300V,3A, 1N5404 硅整流二极管 400V,3A, 1N5405 硅整流二极管 500V,3A, 1N5406 硅整流二极管 600V,3A, 1N5407 硅整流二极管 800V,3A, 1N5408 硅整流二极管 1000V,3A

二极管参数大全　　CT---势垒电容　　Cj---结（极间）电容，；表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容　　Cjv---偏压结电容　　Co---零偏压电容　　Cjo---零偏压结电容　　Cjo/Cjn---结电容变化　　Cs---管壳电容或封装电容　　Ct---总电容　　CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比　　CTC---电容温度系数　　Cvn---标称电容　　IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流　　IF（AV）---正向平均电流　　IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。　　IH---恒定电流、维持电流。　　Ii--- ；发光二极管起辉电流　　IFRM---正向重复峰值电流　　IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）　　Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流　　IF(ov)---正向过载电流　　IL---光电流或稳流二极管极限电流　　ID---暗电流　　IB2---单结晶体管中的基极调制电流　　IEM---发射极峰值电流　　IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流　　IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流　　ICM---最大输出平均电流　　IFMP---正向脉冲电流　　IP---峰点电流　　Ⅳ---谷点电流　　IGT---晶闸管控制极触发电流　　IGD---晶闸管控制极不触发电流　　IGFM---控制极正向峰值电流　　IR（AV）---反向平均电流　　IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。　　IRM---反向峰值电流　　IRR---晶闸管反向重复平均电流　　IDR---晶闸管断态平均重复电流　　IRRM---反向重复峰值电流　　IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）　　Irp---反向恢复电流　　Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流　　Izk---稳压管膝点电流　　IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流　　IZSM---稳压二极管浪涌电流　　IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流　　iF---正向总瞬时电流　　iR---反向总瞬时电流　　ir---反向恢复电流　　Iop---工作电流　　Is---稳流二极管稳定电流　　f---频率　　n---电容变化指数；电容比　　Q---优值（品质因素）　　δvz---稳压管电压漂移　　di/dt---通态电流临界上升率　　dv/dt---通态电压临界上升率　　PB---承受脉冲烧毁功率　　PFT（AV）---正向导通平均耗散功率　　PFTM---正向峰值耗散功率　　PFT---正向导通总瞬时耗散功率　　Pd---耗散功率　　PG---门极平均功率　　PGM---门极峰值功率　　PC---控制极平均功率或集电极耗散功率　　Pi---输入功率　　PK---最大开关功率　　PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率　　PMP---最大漏过脉冲功率　　PMS---最大承受脉冲功率　　Po---输出功率　　PR---反向浪涌功率　　Ptot---总耗散功率　　Pomax---最大输出功率　　Psc---连续输出功率　　PSM---不重复浪涌功率　　PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率　　RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻　　RBB---双基极晶体管的基极间电阻　　RE---射频电阻　　RL---负载电阻　　Rs(rs)----串联电阻　　Rth----热阻　　R(th)ja----结到环境的热阻　　Rz(ru)---动态电阻　　R(th)jc---结到壳的热阻　　r ；δ---衰减电阻　　r(th)---瞬态电阻　　Ta---环境温度　　Tc---壳温　　td---延迟时间　　tf---下降时间　　tfr---正向恢复时间　　tg---电路换向关断时间　　tgt---门极控制极开通时间　　Tj---结温　　Tjm---最高结温　　ton---开通时间　　toff---关断时间　　tr---上升时间　　trr---反向恢复时间　　ts---存储时间　　tstg---温度补偿二极管的贮成温度　　a---温度系数　　λp---发光峰值波长　　△ ；λ---光谱半宽度　　η---单结晶体管分压比或效率　　VB---反向峰值击穿电压　　Vc---整流输入电压　　VB2B1---基极间电压　　VBE10---发射极与第一基极反向电压　　VEB---饱和压降　　VFM---最大正向压降（正向峰值电压）　　VF---正向压降（正向直流电压）　　△VF---正向压降差　　VDRM---断态重复峰值电压　　VGT---门极触发电压　　VGD---门极不触发电压　　VGFM---门极正向峰值电压　　VGRM---门极反向峰值电压　　VF（AV）---正向平均电压　　Vo---交流输入电压　　VOM---最大输出平均电压　　Vop---工作电压　　Vn---中心电压　　Vp---峰点电压　　VR---反向工作电压（反向直流电压）　　VRM---反向峰值电压（最高测试电压）　　V（BR）---击穿电压　　Vth---阀电压（门限电压、死区电压）　　VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压）　　VRWM---反向工作峰值电压　　V v---谷点电压　　Vz---稳定电压　　△Vz---稳压范围电压增量　　Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压　　av---电压温度系数　　Vk---膝点电压（稳流二极管）　　VL ---极限电压

05Z6.2Y硅稳压二极管V z=6 ~ 6.35V,P zm=500mW。05Z7.5Y硅稳压二极管V z=7.34 ~7.70V,P zm=500mW。05Z13X硅稳压二极管V z=12.4 ~13.1V,P zm=500mW。05Z15Y硅稳压二极管V z=14.4 ~15.15V,P zm=500mW。05Z18Y硅稳压二极管V z=17.55 ~18.45V,P zm=500mW。1N4001硅整流二极管50V,1A。(I r=5uA,V f=1V,I fs=50A1N4002硅整流二极管100V,1A。1N4003硅整流二极管200V,1A。1N4004硅整流二极管400V,1A。1N4005硅整流二极管600V,1A。1N4006硅整流二极管800V,1A。1N4007硅整流二极管1000V,1A。1N4148开关二极管75V,150 mA,I r=25nA,Vf=1V。1N5391硅整流二极管50V,1.5A。(I r=10uA,Vf=1.4V,I fs=50A 1N5392硅整流二极管100V,1.5A,1N5393硅整流二极管200V,1.5A。1N5394硅整流二极管300V,1.5A。1N5395硅整流二极管400V,1.5A。1N5396硅整流二极管500V,1.5A。1N5397硅整流二极管600V,1.5A。1N5398硅整流二极管800V,1.5A。1N5399硅整流二极管1000V,1.5A。1N5400硅整流二极管50V,3A。(I r=5uA,V f=1V,f s=150A 1N5401硅整流二极管100V,3A。1N5402硅整流二极管200V,3A。1N5403硅整流二极管300V,3A。1N5404硅整流二极管400V,3A。1N5405硅整流二极管500V,3A。1N5406硅整流二极管600V,3A。1N5407硅整流二极管800V,3A。1N5408硅整流二极管1000V,3A。

05z6.2y 硅稳压二极管 vz=6~6.35v,pzm=500mw, 05z7.5y 硅稳压二极管 vz=7.34~7.70v,pzm=500mw, 05z13x 硅稳压二极管 vz=12.4~13.1v,pzm=500mw, 05z15y 硅稳压二极管 vz=14.4~15.15v,pzm=500mw, 05z18y 硅稳压二极管 vz=17.55~18.45v,pzm=500mw, 1n4001 硅整流二极管 50v, 1a,(ir=5ua,vf=1v,ifs=50a) 1n4002 硅整流二极管 100v, 1a, 1n4003 硅整流二极管 200v, 1a, 1n4004 硅整流二极管 400v, 1a, 1n4005 硅整流二极管 600v, 1a, 1n4006 硅整流二极管 800v, 1a, 1n4007 硅整流二极管 1000v, 1a, 1n4148 开关二极管 75v, 4pf,ir=25na,vf=1v, 1n5391 硅整流二极管 50v, 1.5a,(ir=10ua,vf=1.4v,ifs=50a) 1n5392 硅整流二极管 100v,1.5a, 1n5393 硅整流二极管 200v,1.5a, 1n5394 硅整流二极管 300v,1.5a, 1n5395 硅整流二极管 400v,1.5a, 1n5396 硅整流二极管 500v,1.5a, 1n5397 硅整流二极管 600v,1.5a, 1n5398 硅整流二极管 800v,1.5a, 1n5399 硅整流二极管 1000v,1.5a, 1n5400 硅整流二极管 50v, 3a,(ir=5ua,vf=1v,ifs=150a) 1n5401 硅整流二极管 100v,3a, 1n5402 硅整流二极管 200v,3a, 1n5403 硅整流二极管 300v,3a, 1n5404 硅整流二极管 400v,3a, 1n5405 硅整流二极管 500v,3a, 1n5406 硅整流二极管 600v,3a, 1n5407 硅整流二极管 800v,3a, 1n5408 硅整流二极管 1000v,3a

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