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1,某运放电路差模增益为100db输入10mv共模电压时输出为1mv则电路

电路的共模抑制比越大,电路的 抑制温漂 的能力越强
我只会第一问1+af = 10f = 0.009

某运放电路差模增益为100db输入10mv共模电压时输出为1mv则电路

2,折叠式共源共栅放大器的增益约比套筒式低多少倍

一般的电压放大器特指那种小信号放大电路,主要用于小信号放大,核心是多级共射放大电路,电压放大能力(电压增益)很强,经常可以达到40-80dB(100-10000倍)

折叠式共源共栅放大器的增益约比套筒式低多少倍

3,共源共栅放大器中求增益时用到的所谓源极通路上看到的电阻怎么理解

源极电阻是用来稳定静态工作点的。比较快速的求增益的办法是用漏极电阻除以源极电阻(在交流通路中的那个,不能被耦合掉),具体为什么这样,很复杂,百度这种地方说不清楚。

共源共栅放大器中求增益时用到的所谓源极通路上看到的电阻怎么理解

4,共源放大器的电压增益可能小于1吗

有可能,当你的负载电阻比较小时,电压放大倍数可以是小于1的。当放大电路处在截止区及饱和区时,其电流、电压放大倍数,都小于1;当放大电路处在线性区时,是不会发生此现象的

5,关于电路的总增益放大倍数问题

首先:“增益为5倍左右”和“增益为1”,表述不准确。放大倍数才用“倍”作单位,增益是用“db”。1、如果你说是放大倍数,总放大倍数为5*1*1=5倍。2、如果你说是增益,总增益为5+1+0=6db。 跟随器的增益为0

6,共源放大电路的放大倍数

2.5倍。共源放大电路:是用得最广泛的一种电路,其中场效应晶体管是N沟道增强型MOS管,共源放大电路的放大倍数2.5倍,电路有较大的电压增益、较大的输入电阻,但由密勒效应引起的输入电容太大,影响高频响应,常用作电压放大。

7,放大器的电压增益问题很急的谢谢

A(V)(dB)=20*lg(Vo/Vi);1/10mv=100, A(v)=40电压增益:40 db我魔电也学的差,阻抗一致功率增益Ap(dB)=10lg(Po/Pi);P=V^2/R=I^2*R应该可以解了吧,应该也是40?

8,如何判断共源共栅结构中的两个CMOS管哪个是共源的而哪个又是共栅

共源放大电路特点:电压增益高,反向放大,输入阻抗大共漏放大电路特点:电压为1,同向放大,输入阻抗大,输出阻抗低(一般做阻抗变换用)共栅放大电路特点:电压增益高,同向放大,输入阻抗小要比较共源和共栅,建议判断是否为同向或者方向放大;希望对你有帮助。
你说呢...

9,为什么共源共栅放大电路两个栅源电压相等

在交流电路里,是可以分共源-共栅放大电路;但在直流电路里,就是两个管子的串联,无分源-共栅电路;既然是串联,那么 Id 一致,自然的,其 Vgsq 就会一致了;
不行吧,场效应管的栅极输入电阻非常大(10的7次方至10的15次方那么大),这时,万用表的内阻就显得有些小了(一般10mω左右吧,是10的7次方量级);由于场效应管的输入电阻大,因此偏置电阻一般也选的非常大,这样用万用表直接测量会导致误差的产生。

10,在单端输出差分放大电路中差模增益Ad250共模电压增益Ac0

共模输入是60mv,共模输出60乘以-0.5等于-30mv。差模输入为80-60=20mv,差模输出乘以50等于1000mv。考虑到输入同相端和反相端的区分,两种输出相加等于970mv或者-1030mv。
差模电压=Vi1-Vi2=20mV共模电压=(Vi1+Vi2)/2=70mV输出电压vc2=(Vi1-Vi2)*50+(Vi1+Vi2)/2*(-0.5)=20*50-70*0.5=965mV
(80-60)*50或者(60-80)*50,具体正负看谁给了付端谁给了正端
共模放大倍数为-0.5不为0,输出为单端输出。ui1 = 80mv,ui2=60mv,则uc = (ui1 + ui2)/2 = 70mv,ud = ui1-ui2 = 20mvu0 = ad*ud/2+ac*uc = 50*20/2-0.5*70 = 465mv

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