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1，IGBT模块的驱动电压一般是多少

开通电压+15V关断电压0V 就够了，但是一般为了安全性和可靠性都会用负压关断，例如关断电压为-15、-9等

IGBT模块的驱动电压一般是多少

2，IGBT功率管驱动电压与电流

电压DC15V，电流因IGBT的大小而不同，400A的0.8-1.2A瞬间脉冲电流，以内它是电压型器件

IGBT功率管驱动电压与电流

3，igbt允许的电压变化率一般为多少

IGBT基极的驱动电压是18V的，不过给IGBT发出开关脉冲控制的芯片输出的电压是5V左右，一般在4.4V以上就可以了
开通电压+15v关断电压0v 就够了，但是一般为了安全性和可靠性都会用负压关断，例如关断电压为-15、-9等

igbt允许的电压变化率一般为多少

4，igbt驱动电路的要求

对于大功率IGBT，选择驱动电路基于以下的参数要求：器件关断偏置、门极电荷、耐固性和电源情况等。门极电路的正偏压VGE负偏压-VGE和门极电阻RG的大小，对IGBT的通态压降、开关时间、开关损耗、承受短路能力以及dv/dt电流等参数有不同程度的影响。门极驱动条件与器件特性的关系见表1。栅极正电压 的变化对IGBT的开通特性、负载短路能力和dVcE/dt电流有较大影响，而门极负偏压则对关断特性的影响比较大。在门极电路的设计中，还要注意开通特性、负载短路能力和由dVcE/dt 电流引起的误触发等问题(见表1)。表1 IGBT门极驱动条件与器件特性的关系由于IGBT的开关特性和安全工作区随着栅极驱动电路的变化而变化，因而驱动电路性能的好坏将直接影响IGBT能否正常工作。为使IGBT能可靠工作。IGBT对其驱动电路提出了以下要求。1)向IGBT提供适当的正向栅压。并且在IGBT导通后。栅极驱动电路提供给IGBT的驱动电压和电流要有足够的幅度，使IGBT的功率输出级总处于饱和状态。瞬时过载时，栅极驱动电路提供的驱动功率要足以保证IGBT不退出饱和区。IGBT导通后的管压降与所加栅源电压有关，在漏源电流一定的情况下，VGE越高，VDS傩就越低，器件的导通损耗就越小，这有利于充分发挥管子的工作能力。但是， VGE并非越高越好，一般不允许超过20 V，原因是一旦发生过流或短路，栅压越高，则电流幅值越高，IGBT损坏的可能性就越大。通常，综合考虑取+15 V为宜。2)能向IGBT提供足够的反向栅压。在IGBT关断期间，由于电路中其他部分的工作，会在栅极电路中产生一些高频振荡信号，这些信号轻则会使本该截止的IGBT处于微通状态，增加管子的功耗。重则将使调压电路处于短路直通状态。因此，最好给处于截止状态的IGBT加一反向栅压(幅值一般为5～15 V)，使IGBT在栅极出现开关噪声时仍能可靠截止。3)具有栅极电压限幅电路，保护栅极不被击穿。IGBT栅极极限电压一般为+20 V，驱动信号超出此范围就可能破坏栅极。4)由于IGBT多用于高压场合。要求有足够的输入、输出电隔离能力。所以驱动电路应与整个控制电路在电位上严格隔离，一般采用高速光耦合隔离或变压器耦合隔离。5)IGBT的栅极驱动电路应尽可能的简单、实用。应具有IGBT的完整保护功能，很强的抗干扰能力，且输出阻抗应尽可能的低。

5，TLP701可以驱动多大功率的IGBT

TLP701的输出电流即驱动电流在0.6A,只适合驱动小功率的功率器件。如果要驱动1200V，100A的IGBT，建议用东芝的TLP350试试。这家伙的输出电流是2.5A。只是要注意封装TLP701是6脚贴片封装，TLP350是8脚封装。
tlp701的峰值电流只有0.6a，150a的igbt一般栅极电容都比较大，如果采用他会造成充放电时间较长，从而造成igbt开启和关闭时间过长，造成过热损坏。因此建议采用峰值2.5a以上的igbt驱动光耦，与tlp701封装一样的有tlp700、acpl-p343，普通dip封装的有hcpl-3120、fod3120，如果要有带保护功能的有acpl-316j、fod8318-----潮光光耦网----
1 TLP701的输出电流在0.6A最大值，因此驱动的IGBT功率不可能太多，最多25A-40A这个级别的单管。IGBT模块就很难驱动了。TLP701没有负压，基本上IGBT关闭会延迟，可能会导致热故障。2 100A1200V的IGBT驱动峰值电流是需要根据管子的参数进行计算的。这个规模的管子驱动电流应该在2A这个数量级。3 选择，推荐你可以用英飞凌的 1ED020I12-F,驱动电流2A，可以驱动你提到的模块。同时还有保护功能，过流短路都有。价钱8元人民币，电路也简单。也是隔离驱动的。该芯片可以接负电压，关断会快，管子更加安全了。

6，谁知道IGBT最高耐压是多少最高耐流是多少工作稳定吗

管子型号最高耐压(V）最大电流IC（A）管内是否含阻尼二极管20N120CND120020有K25T120120025有G40N150D150040有5GL40N150D150040有G4PH50UD150040有GT40q321130040有GT40T101100040无G40T101100040无GT40T301130040无SQB35JA150035有G30P120N120030无GPQ25101100025有GTl53101100015无GT8Q19119008有GT50J101100050无GT50j102100050无GT50J301130050无GT60M104100060无GT60M301130060无GT75AN-12120075无15Q101100015有25Q101100025有80J101100080无JHT20T120120020有SKW25N120120025有(1)SGW25N120----西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时46A,100℃时25A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)使用,该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SKW25N120。(2)SKW25N120----西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时46A,100℃时25A,内部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGW25N120,代用时将原配套SGW25N120的D11快速恢复二极管拆除不装。(3)GT40Q321----东芝公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时42A,100℃时23A,内部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120,代用SGW25N120时请将原配套该IGBT的D11快速恢复二极管拆除不装。(4)GT40T101----东芝公司出品,耐压1500V,电流容量25℃时80A,100℃时40A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套15A/1500V以上的快速恢复二极管(D11)使用,该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321,配套15A/1500V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用GT40T301。(5)GT40T301----东芝公司出品,耐压1500V,电流容量25℃时80A,100℃时40A,内部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321、GT40T101,代用SGW25N120和GT40T101时请将原配套该IGBT的D11快速恢复二极管拆除不装。(6)GT60M303----东芝公司出品,耐压900V,电流容量25℃时120A,100℃时60A,内部带阻尼二极管

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