igbt驱动电压是多少v，IGBT的开关电压是多少是由谁提供的

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1，IGBT的开关电压是多少是由谁提供的
2，IGBT的开启电压一般是多大
3，我想知道电磁炉IGBT的驱动信号参数请师傅指点谢谢
4，电磁炉IGBT的G极工作电压应该在什么范围内是正常
5，请高手指点电磁炉在不接线盘的情况下IGBT的G极的电压应该是多
6，谁知道IGBT最高耐压是多少最高耐流是多少工作稳定吗问
7，我要选igbt请问igbt直流电流和变频器额定电流是什么关系啊谢谢

1，IGBT的开关电压是多少是由谁提供的

1000W是我呀

IGBT的开关电压是多少是由谁提供的

2，IGBT的开启电压一般是多大

IGBT的开启电压就是指门极（栅极）和源极（IGBT不称发射极）之间的电压Vgs，通常这个值在2～4V左右，也有的的需要6V左右，例如H40T120的Vgs就是5-6.5V 。

IGBT的开启电压一般是多大

3，我想知道电磁炉IGBT的驱动信号参数请师傅指点谢谢

可以用555做，不过不要用变压器隔离，因为变压器有隔直流电的特性，要是从初级输入方波其次级会感应出抖动交流正弦波，你可以用光电偶合器或参考一下其它开关电源，还有IGBT的触发电压是15V你做好充份的保措施是可以的，至于参数我用仪表测量过信号频率为25。886kHZ误差0。1% 占空比为6% 你可以用1000W的太阳灯作为保险把占空比调到最小看看IGBT发热程度允许的话再调大些即可。呵呵祝你成功亲爱的！

igbt控制极对地电压为3.2v是不能接线盘试机的。应检查驱动电路的相关元件，找到原因并排除后才行。另外请说明该机的主板编号。

我想知道电磁炉IGBT的驱动信号参数请师傅指点谢谢

4，电磁炉IGBT的G极工作电压应该在什么范围内是正常

IGBT的规格书是要求正负20V，但设计时G极对E极最好控制在+20，-15内。

正常情况下，目前所有IGBT删射极开通电压均在15V左右。。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。

5，请高手指点电磁炉在不接线盘的情况下IGBT的G极的电压应该是多

正常情况若不接线圈盘是0V或者是负电压才正常；若是12V左右就不正常了，就从后面推向前面，顺藤摸瓜啦。

有两种状态：1，为0伏；2，有2伏以下的电压伴有检测脉冲。

楼上说的是正解！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！

刚开始时应该有1-2.5V,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,

你G及应该是啊0V或是负15V啊？。。。。。。。。

这种情况可能麻烦大了，CPU有可能坏了。本人就碰到过这种情况。

6，谁知道IGBT最高耐压是多少最高耐流是多少工作稳定吗问

耐压和耐流多少是IGBT分类的主要2个标准。例如：IGBT耐压等级一般有：600V，1200V，1700V，2500V，3300V，4500V，6500V。电流低的用单管封装，电流大的用模块封装。而且一般IGBT和FRD（快恢复二极管或FWD续流二极管）并联封装在一起。例如1200V等级低电流的有：15A、20A、25A。模块封装的有：75A，100A，300A，400A，600A，800A，1200A，2400A，3600A等。关于工作稳定问题，个人认为（经验不足，请批评指正）：IGBT和应用系统设计密切关联，过流、过压、过频、高温（冷却系统设计不合理）、大寄生电感等都会烧毁IGBT。

管子型号最高耐压(V）最大电流IC（A）管内是否含阻尼二极管20N120CND 1200 20 有K25T120 1200 25 有G40N150D 1500 40 有5GL40N150D 1500 40 有G4PH50UD 1500 40 有GT40q321 1300 40 有GT40T101 1000 40 无G40T101 1000 40 无GT40T301 1300 40 无SQB35JA 1500 35 有G30P120N 1200 30 无GPQ25101 1000 25 有GTl53101 1000 15 无GT8Q191 1900 8 有GT50J101 1000 50 无GT50j102 1000 50 无GT50J301 1300 50 无GT60M104 1000 60 无GT60M301 1300 60 无GT75AN-12 1200 75 无15Q101 1000 15 有25Q101 1000 25 有80J101 1000 80 无JHT20T120 1200 20 有SKW25N120 1200 25 有(1) SGW25N120----西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时46A,100℃时25A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)使用,该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SKW25N120。(2) SKW25N120----西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时46A,100℃时25A,内部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGW25N120,代用时将原配套SGW25N120的D11快速恢复二极管拆除不装。(3) GT40Q321----东芝公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时42A,100℃时23A, 内部带阻尼二极管, 该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120, 代用SGW25N120时请将原配套该IGBT的D11快速恢复二极管拆除不装。(4) GT40T101----东芝公司出品,耐压1500V,电流容量25℃时80A,100℃时40A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套15A/1500V以上的快速恢复二极管(D11)使用,该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321, 配套15A/1500V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用GT40T301。(5) GT40T301----东芝公司出品,耐压1500V,电流容量25℃时80A,100℃时40A, 内部带阻尼二极管, 该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321、 GT40T101, 代用SGW25N120和GT40T101时请将原配套该IGBT的D11快速恢复二极管拆除不装。(6) GT60M303 ----东芝公司出品,耐压900V,电流容量25℃时120A,100℃时60A, 内部带阻尼二极管

请给出具体的igbt型号，目前最大的能做到7千伏，电流可以通过串联提升。igbt本身由于是由PiN和MOSFET组成，内部特性决定了他的导通电压随温度漂移不大。适合在复杂环境下使用。

7，我要选igbt请问igbt直流电流和变频器额定电流是什么关系啊谢谢

IGBT典型失效现象及分析1、温度上升对IGBT参数的影响温度上升包含两个意思：一是IGBT中的电磁场能量转化为热能，主要由于器件中的电阻热效应；一是器件发热与外部冷却之间的相互作用，发生的热量如果不能及时散发出去，即散发能力不够，则使温度上升。温度上升，IGBT中的两个晶体管的放大系数α1和α2均增大，该两个晶体管构成一个寄生晶闸管。借助于IGBT等效电路图（图3），开通过程为：当给栅极加压Vg，产生Ig，则MOSFET开通，产生I1，I1为PNP的基极电流，开通PNP，产生I2，I2为NPN提供基极电流，产生I3，使整个IGBT全面开通。I1、I2和I3构成IGBT开通后的全部电流，其中I2为主要部分。当温度上升，α1和α2上升，使α1＋α2→1，将使寄生晶闸管出现“闭锁效应”，而使IGBT一直导通，即使Vg去掉，I1=0,由于该闭锁效应，PNPN导通，开关失效。因此，温度上升，增加，使得重复开断的通态电流下降。图4为SKM600GB126D 型IGBT的通态电流IC随温度变化的曲线【5】。从图中可以看到，随温度升高，电流下降，且在800C之后，电流下降非常迅速。图4 IGBT（SKM600GB126D）温度－电流曲线（略）在一台实际的160kW三电平变频器中，温升试验中发生的IGBT失效现象说明该问题：该变频器所选的IGBT型号为SKM600GB126D，工频下重复可关断电流为600A。该变频器起动后，带满载运行，额定电流为315A。起动稳定后的50分钟运行一切正常，随着运行时间的增加，IGBT壳温从300C上升到1200C，装置发生过流保护。分析其原因：当IGBT壳温达到1200C以后，最大重复可关断电流值发生变化（约为250A），驱动开关发生失效，直流母排中点电压平衡破坏，造成直通过流，器件保护。一般解决该问题的主要措施有：（1）减小器件的发热，选择适当的IGBT参数；（2）加强散热，主要从冷却结构和方式中寻找最优结构和方式；（3）降低开关频率，在开关频率为1k以上，开关损耗超过总损耗的一半；（4）缩短开通和关断时间，也是为了减小开关损耗，但要注意，di/dt和 dv/dt的升高，引起另外的器件失效机理；（5）降低谐波分量。谐波分量不转化为有功，但增加器件内部电阻损耗。2、输入电压升高，开关器件保护，PWM脉冲失效，中点电压平衡破坏仍以上面的160kW、380V低压三电平变频器为例，其调制采用SVPWM方法，开环VVVF控制，驱动一台160kW的异步电机。当输入电压为300V以下时，起动运行都没有问题，中点电压平衡很好。但输入电压升至350V或者380V时，则电机起动不起来，IGBT发生保护，中点电压偏离，严重时烧坏器件。事实上，当起动电机时，电机速度为零。电机反电势为零，其等效电路图如图5所示。其中R为回路电阻，L1为回路漏电感，Lr为电机电枢电感（可变，与电机反电势相对应），V为电源。Lr为零，而R与L1很小，此时回路电流基本为短路电流，数值很大，且该数值取决于电源电压。输入电源电压越高，则短路电流越大。该大电流使得di/dt、dv/dt均增大，直至超过IGBT的承受值，使得IGBT保护，驱动脉冲失效，打破了中点平衡开关序列规律，而使中点电压发生偏离。从能量的角度来看，此时输出的机械能受阻，输入电磁能在变频器内部吸收，尤其在IGBT内部转化，轻则使得器件保护，重则器件烧坏。此时电磁能与机械能转化不合理，电流中的有功和无功分量不合理。图5 变频调速系统等效电路图（略）有效的解决方法主要包括：（1）增加有效预励磁，减小起动电流，提高启动转矩，使电流有功分量和无功分量分配合理；（2）设定低频启动，延长起动时间，使得di/dt和dv/dt降低；（3）减小v/f补偿值，适当减小占空比，起动力矩也随之有效减小；（4）在母排上加一起动限流器，以减小di/dt，正常运行时再切除掉。3、驱动功率不够，PWM脉冲失效，中点平衡破坏当驱动电压脉冲Vg没有足够的值，或者即使达到了阈值，但持续的时间太短，其波形如图6所示，导致IGBT不能有效的打开，而使IGBT开关顺序破坏,致使中点电压偏离，最后导致器件过压保护，严重时器件击穿。分析其原因主要有三：（1）驱动电源本身能力不够，驱动电压和尖峰电流都达不到要求，或者其中之一达不到要求，导致驱动电压、电荷不到位；（2）驱动回路延时过大（电阻或电容过大），使驱动电压上升太慢，所需时间大于最小脉宽时间，导致IGBT远没有完全打开就执行关断指令，IGBT没有实现开通；（2）驱动电源质量不好，电压本身有波动，或者受外部dv/dt和di/dt的干扰，导致驱动电压本身变化，而使驱动脉冲失效；（3）驱动输出与IGBT门极连线过长，且没有屏蔽，导致电磁干扰在该传输线上破坏驱动脉冲，致使驱动失效。图6 驱动脉冲序列（略）驱动是一种功率放大的过程，驱动信号将信号流与能量流有机结合。驱动本身亦是一种能量转换过程，一方面驱动本身有一个能量是否足够的问题，另一方面有一个转换时间的问题，同时本身的能源是否可靠也是问题。IGBT是一个驱动MOS场控型器件，控制的关键是沟道反型。开通时要求适当快，沟道足够宽，关断时亦要适当快、关闭严。对于IGBT，关断时电压Vg可到负值，以便深度关断，同时起抗干扰作用。另外，IGBT的导通电阻受栅压调制，可用于IGBT的过电流保护。如测试到一定的过流信号，立刻把驱动电压Vg减小一半，使得IGBT通态电阻增大，抑制电流；当过流消失后，再恢复栅极电压正常值，若持续过大电流，则采取相应保护动作。主要解决措施有：（1）加强驱动功率，实施强驱动，以加快导通区的横向扩大速率和增加初始导通区的面积，前沿要陡，以满足最大驱动电流要求；（2）选择适当的驱动回路的电阻Rs和电容Cs，使其时间常数适中，延时不大于最小脉宽时间，同时又不能太快，以致dv/dt过大；（3）保证驱动电源的质量，稳压稳流，减小电磁干扰影响；（4）利用IGBT的正导作用，有效实施调节Vg的二次导通功能，以达到主动保护效果。4、di/dt与dv/dt过大导致器件失效 160kW三电平变频器中，IGBT开通时和通态时，发现有时di/dt毛刺很大，达到1000A/us，引起IGBT过压而保护，PWM失效，中点电压偏离，变频器不能工作，严重时烧坏管子，另外在关断时发现有时dv/dt毛刺大，引起IGBT误导通。该变频器的di/dt和dv/dt典型试验波形如图7(a)和(b)所示。图7 di/dt和dv/dt试验波形（略）di/dt过大，意味着集电极电流上升很快，它将引起束流效应，即在IGBT中产生实际的局部电流密度过高而发热，致使局部热损坏。dv/dt与结电容CJ构成移位电流，相当于器件的触发信号，引起α增大，在一定条件下产生误触发，致使IGBT失效。di/dt和dv/dt过大本质上都是能量变化太快，如果引导不好，则产生能量过于集中而产生破坏。L和C在电路中都起一个储存能量和缓冲变化的作用，各种缓冲吸收及软开关电路，均为对LC在电路回路中的合理应用。如果回路中L太小，则电流变化快，IGBT导通面积来不及扩展，产生束流效应，致使局部过热损坏；如果回路中C太小，则电压变化快有可能产生浪涌电流而击穿器件。有效的改善di/dt和dv/dt过大的有效措施包括：（1）选择适当的开关频率，使di/dt和dv/dt限制在器件的承受范围内；（2）尽可能选取耐di/dt和dv/dt髙的开关器件；（3）采取强、尖脉冲触发，前沿一定要陡，使初始导通面积尽可能大；（4）大容量使用中，采用限流饱和电抗器和维持脉冲相结合的办法来降低di/dt；（5）外加并联电容，以吸收器件内的移位电流，减小dv/dt；（6）外加RCD电路，以同时降低di/dt和dv/dt；（7）增大驱动电路上的时间常数，减少开通和关断时间，降低di/dt和dv/dt；（8）小容量变频器上可在IGBT集电极套磁环，以减小di/dt。

直流侧功率=交流侧功率所以根据直流电压和交流电压就可以算出直流电流和交流电流关系了

从你提的问题就可看出你是新手。先学变频器的原理吧。具体修的话先判断是不是igbt烧。若肯定igbt模块烧（即使找到相同型号的igbt，在原因查明之前也不能贸然换上，不然很可能换多少烧多少）再查激励电压和波形是否正常，400v直流是否正常，各单元控制供电是否正常。若控制激励不正常就比较麻烦，建议送修。若能肯定各单元供电正常，激励电压和波形正常，igbt烧，才可以找同型号igbt代换，用低功率假负载试运行。再检查真正的负载，都没问题了才能上机。没有维修经验最好送修。

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