光耦耐压值多少，带有零点信号电路的光耦输出侧耐压值有更高的吗moc3081是800
来源：整理 编辑：亚灵电子网 2023-02-16 01:16:00
1，带有零点信号电路的光耦输出侧耐压值有更高的吗moc3081是800
2，光耦耐压具体什么含义有的标称上千伏是指可以直接在上面加上千伏不
光耦耐压一般是指隔离的绝缘耐压值，即输入端与输出端之间的隔离绝缘，一般都有上千伏以上。 这是一个安全规定参数。
3，推荐个输入端耐压值是28V以上的光耦吧
光耦输入端串接的限流电阻决定它的工作电压，改变限流电阻，任何光耦都适合你。
4，如何用实验的方法测量光耦的耐压值
将输入侧所有引脚短接，输出侧所有引脚短接，高压直接施加在输入与输出之间，无需串联电阻。一般光耦的耐压值在AC1500V（有效值）以上。注意通电时间不可太长，一般小于1分钟。
5，测试光耦的耐压值
修正下UL网站上1500-5000V的都有你可以取掉光耦再打耐压试试看是否还会打火.
6，moc3063光耦的工作电压和电流是多少
moc3063光耦的工作电压和电流的参数如下：电压-断态： 600V，电流-通态（It（RMS））：（最大值） 25A，电压-栅极触发（Vgt）：（最大值）1.3V，电流-不重复浪涌（50，60Hz） 208A，250A。电流-栅极触发（Igt）：（最大值）80mA，电流-保持：（最大值） 100mA。moc3063光耦其他参数如下：封装/外壳 ：TO-220-3隔离片 ，三端双向可控硅类型 ： 可控硅-无缓冲器，配置： 单一，工作温度： -40°C~125°C（TJ），安装类型： 通孔(THT)。光耦是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器（红外线发光二极管LED）与受光器（光敏半导体管，光敏电阻）封装在同一管壳内。当输入端加电信号时发光器发出光线，受光器接受光线之后就产生光电流，从输出端流出，从而实现了“电—光—电”转换。扩展资料：光电耦合器分为两种：一种为非线性光耦，另一种为线性光耦。非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于开关信号的传输，不适合于传输模拟量。常用的4N系列光耦属于非线性光耦。线性光耦的电流传输特性曲线接近直线，并且小信号时性能较好，能以线性特性进行隔离控制。常用的线性光耦是PC817A—C系列。开关电源中常用的光耦是线性光耦。如果使用非线性光耦，有可能使振荡波形变坏，严重时出现寄生振荡。使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。由此产生的后果是对彩电，彩显，VCD，DCD等等，将在图像画面上产生干扰。同时电源带负载能力下降。在彩电，显示器等开关电源维修中如果光耦损坏，一定要用线性光耦代换。参考资料来源：百度百科-光耦
7，麻烦推荐个耐压值能达到5KV的光耦
MOC3061系列光电双向可控硅驱动器由于输入与输出采用光电隔离,绝缘电压可达7500V。http://wenku.baidu.com/view/769ce46b7e21af45b307a8da.html你自己看吧
8，光耦的问题
不知你时候的是出入端还是输出端，不过都可以用交流型号解决。
输入交流：TLP184
输出交流：双向可控硅和MOSFET输出（光继电器），正反最高耐压有600V。
双向可控硅的有MOC3063，
MOSFET输出的有AQY210光耦不是一直开通的。如果q3截止，则12v电压通过电阻后电压加到光耦的正极，光耦初级有电流。如果q3饱和导通，q3饱和导通后集电极和发射极之间的电压约为0.4v左右，0.4v左右的电压加到光耦初级上，光耦是不会导通的，此时光耦初级无电流。
9，光耦的耐压能力是如何决定的呢
光耦内部就是发光元件和光敏元件，它们之间通过光电耦合，能隔离的电压取决于封装方式与封装材料。具体能力产品资料上有，如TLP112就是：Isolation voltage: 2500 Vrms (min.)光耦二极管端的方向耐压为：正向耐压为二极管的导通电压0.7v，反向耐压根据型号的不同，在几十伏到几千伏不等。光耦合器亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。它是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器与受光器封装在同一管壳内。当输入端加电信号时发光器发出光线，受光器接受光线之后就产生光电流，从输出端流出，从而实现了“电—光—电”转换。以光为媒介把输入端信号耦合到输出端的光电耦合器，由于它具有体积小、寿命长、无触点，抗干扰能力强，输出和输入之间绝缘，单向传输信号等优点，在数字电路上获得广泛的应用。光耦的原理图如图所示：
10，光耦参数
常用参数 正向压降VF：二极管通过的正向电流为规定值时，正负极之间所产生的电压降。 正向电流IF：在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。 反向电流IR：在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二极管中流过的电流。 反向击穿电压VBR：：被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两极间所产生的电压降。 结电容CJ：在规定偏压下，被测管两端的电容值。 反向击穿电压V(BR)CEO：发光二极管开路，集电极电流IC为规定值，集电极与发射集间的电压降。 输出饱和压降VCE(sat)：发光二极管工作电流IF和集电极电流IC为规定值时，并保持IC/IF≤CTRmin时（CTRmin在被测管技术条件中规定）集电极与发射极之间的电压降。 反向截止电流ICEO：发光二极管开路，集电极至发射极间的电压为规定值时，流过集电极的电流为反向截止电流。 电流传输比CTR：输出管的工作电压为规定值时，输出电流和发光二极管正向电流之比为电流传输比CTR。 脉冲上升时间tr、下降时间tf：光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流IFP的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输出脉冲前沿幅度的10%到90%，所需时间为脉冲上升时间tr。从输出脉冲后沿幅度的90%到10%，所需时间为脉冲下降时间tf。 传输延迟时间tPHL、tPLH：光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流IFP的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输入脉冲前沿幅度的50%到输出脉冲电平下降到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPHL。从输入脉冲后沿幅度的50%到输出脉冲电平上升到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPLH。 入出间隔离电容CIO：光耦合器件输入端和输出端之间的电容值。 入出间隔离电阻RIO：半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。 入出间隔离电压VIO：光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值。 最大额定值 参数名称 符号 最大额定值 单位 V 反向电压 5 V R I 正向电流 50 mA FM V 集-发击穿电压 100 V （BR）CEO I 集电极电流 30 mA CM T 贮存温度 -55～150 ℃ stg T 工作温度 -55～125 ℃ amb V 隔离电压 1000 V IO P 总耗散功率 80 mW tot 推荐工作条件 特 性 符号 最小值 典型值 最大值 单位 I 输入电流 10 50 mA F V 电源电压 1 5 60 V 主要光电特性 测试条件(T 特 性 符 号 11 A=25℃±3℃) 最小 典型 最大 单位 隔离 特性 隔离电阻 RIO VIO=500V 1010 Ω 上升时间 tr 10 μs V 开关 特性 下降时间 tf CC=5V，IFP=10mA，RL=360Ωf=10kHz，D：1/2 10 μs I V 反向电流 R R=5V 0.01 1.0 μA LED 输入特性 V I 正向电压 F F=10mA 1.2 1.4 V CTR 电流传输比 VCC=5V，IF=10mA，RL=200Ω 60 180 % 集-发饱和电压 VCE（sat） VCC=5V，IF=10mA，RL=4.7kΩ 0.1 0.4 V 晶体管 输出特性 I V 集-发截止电流 CEO CE=5V，IF=0 0.01 1.0 μA
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