pn结击穿电压是多少，PN结的反向击穿电压是多少二极管三极管和稳压管是否一样呢

1，PN结的反向击穿电压是多少二极管三极管和稳压管是否一样呢

要看管子参数。稳压管是反向击穿之后才起稳压作用！

不一样,BC结的反向击穿电压低的几十伏,高的数百伏,但有一点是一样的,就是NPN管的BE结反向击穿电压都是6V左右,因此NPN管的BE结可当6V稳压管用. 补充：应该是所有硅材料管（PNP和NPN）的BE结都有反向击穿电压都是6V这特性，利用这特性可鉴别管子的C和E脚，用10K档分别测BC和BE的反向电阻，击穿的是BE结。

PN结的反向击穿电压是多少二极管三极管和稳压管是否一样呢

2，为什么pn结击穿电压随掺杂浓度升高而降低

齐纳击穿通常发生在掺杂浓度很高的PN结内。由于掺杂浓度很高，PN结很窄，这样即使施加较小的反向电压（5V以下），结层中的电场却很强（可达左右）。在强电场作用下，会强行促使PN结内原子的价电子从共价键中拉出来，形成"电子一空穴对"，从而产生大量的载流子。它们在反向电压的作用下，形成很大的反向电流，出现了击穿。显然，齐纳击穿的物理本质是场致电离。采取适当的掺杂工艺，将硅PN结的雪崩击穿电压可控制在8～1000V。而齐纳击穿电压低于5V。在5～8V之间两种击穿可能同时发生

为什么pn结击穿电压随掺杂浓度升高而降低

3，pn结电流方程中理想因子怎么用实验测量击穿电压怎么测量

电子和空穴的运动其实都是电子在运动，空穴的运动其实就是和电子的相对运动和电流类似，就空穴来说，我们说的空穴的运动就是电子反方向运动的结果区别就在于，谁是多出来的，多出来的是电子么，就是电子流了，多出来的是空穴么，虽然是电子在运动，但我们称之为空穴流

你好！当m=1时代表扩散电流，m=2时代表复合电流，m的值怎么用实验测量出来？描述m=(q/kT)*(dV/d(lnI))， q/kT是常数，dV/d(lnI)可以通过PN结的IV如有疑问，请追问。

pn结电流方程中理想因子怎么用实验测量击穿电压怎么测量

4，如何测量PN结击穿电压

你若没有专门仪器的话，先准备最大电压超过被测管子的可调电源，足够阻值的可调电阻，足够量程和精确度的电压表、电流表。将可调电阻设置为10K以上，将电源串上电阻、电流表接到PN结上，P端为负。电压表按极性接到PN结两端。从零开始加电压，注意电流表指示，开始时电流为零，电压加到某值时开始有电流，当电流达到测试条件所规定的值（如0.1mA）时，读出电压表指示值，就是该PN结的击穿电压。有的管子击穿很高，可达千伏以上，测试时注意绝缘，以免触电。

二极管有几个重要参数，一个：最大整流电流，当流过二极管的电流大于最大整流电流时，二极管容易被烧坏；另一个：最高反向工作电压，表示二极管正常（长时间），反向工作时两端能够承受的最高电压，一般为反向击穿电压的一半，一般选择二极管应不超过最高反向工作电压，否则容易被反向击穿。所以正向工作时要注意电流，反向工作时要注意电压。

5，PN结的PN 结的击穿机理

PN 结构成了几乎所有半导体功率器件的基础，目前常用的半导体功率器件如DMOS，IGBT，SCR 等的反向阻断能力都直接取决于 PN 结的击穿电压，因此，PN 结反向阻断特性的优劣直接决定了半导体功率器件的可靠性及适用范围。在 PN结两边掺杂浓度为固定值的条件下，一般认为除 super junction 之外平行平面结的击穿电压在所有平面结中具有最高的击穿电压。实际的功率半导体器件的制造过程一般会在 PN 结的边缘引入球面或柱面边界，该边界位置的击穿电压低于平行平面结的击穿电压，使功率半导体器件的击穿电压降低。由此产生了一系列的结终端技术来消除或减弱球面结或柱面结的曲率效应，使实际制造出的 PN 结的击穿电压接近或等于理想的平行平面结击穿电压。当 PN 结的反向偏压较高时，会发生由于碰撞电离引发的电击穿，即雪崩击穿。存在于半导体晶体中的自由载流子在耗尽区内建电场的作用下被加速其能量不断增加，直到与半导体晶格发生碰撞，碰撞过程释放的能量可能使价键断开产生新的电子空穴对。新的电子空穴对又分别被加速与晶格发生碰撞，如果平均每个电子（或空穴）在经过耗尽区的过程中可以产生大于 1 对的电子空穴对，那么该过程可以不断被加强，最终达到耗尽区载流子数目激增，PN 结发生雪崩击穿。

文章TAG：pn结击穿电压是多少pn结击穿击穿电压