tsv能做多少层，大佬出手即王炸三星推出DDR5 7200内存单条就有512GB

1，大佬出手即王炸三星推出DDR5 7200内存单条就有512GB

随着Intel十二代酷睿离发布的时间越来越近，其他厂商也开始在配套的硬件上开始投入。对于新平台而言，除了处理器和主板之外，另一个不可或缺的就是内存了。尽管十二代酷睿同时支持DDR4和DDR5内存，但是显然要发挥整个平台最大的性能，那么一对DDR5内存是必不可少的。之前三星、镁光、海力士都展示了自己的DDR5内存模板，十铨甚至还已经将自己的DDR5内存成品上市，不过频率都还比较低，和现在的高频DDR4内存相比没有太大的优势。不过现在世界内存第一大厂三星亲自出手了，对外公布了他们正在开发的8层TSV封装DDR5内存，不但内存频率超高，同时容量也很夸张。现在的三星DDR4服务器内存是用4层TSV封装的，容量最高能达到256GB一根，而用8层TSV封装后，容量理论上是翻倍的，所以三星的DDR5内存最高能做到单根512GB的容量。如果按照传统的技术，封装层数越多，那么内存的高度也就越高，同时芯片之间的密度减小，并不利于散热。不过据说三星采用优化封装和薄晶圆技术，让DDR5内存的高度比DDR4内存更低，同时散热也有加强。在频率部分，三星的DDR5内存现在已经可以达到7200MHz，这基本上是现在DDR4内存非常难达到的一个频率了，即便民间高手通过各种颗粒和手段超到接近的频率，但延迟已经非常高了。如果按照三星的说法，新的DDR5内存在性能上要比DDR4内存高出85%左右，更关键是这内存的工作电压只有1.1V，所以它会比DDR4更节能，未来如果有DIY玩家超频的话，那么DDR5内存的超频潜力也会更大。虽然三星自己也会推出成品内存，但很显然这次三星发布的DDR5内存模块，更像是一个打样，未来应该会吸引其他内存厂商来采用三星的这套DDR5内存模块。而且必须要说的是，尽管容量和频率都达到了点DDR5内存的新高，但是三星这次的DDR5内存主要针对的是服务器市场，毕竟民用市场一般来说，DDR5内存单条64GB容量就差不多到顶了。现在的DDR4内存，民用产品高的大概就32GB，插满四根能获得最高128GB内存的容量；不过未来如果用DDR5内存的话，插满应该会有256GB的容量。这应该会是服务器市场之外，民用电脑系统第一次能达到这么高的内存容量。三星认为，尽管今年Intel会推出十二代酷睿，明年AMD也会推出Zen 4处理器，但是DDR5内存普及还是需要时间。所以三星预计会在2023年或2024年全面过渡到DDR5内存上，其实这个速度已经比当年DDR3过渡到DDR4快多了。至于三星自己，由于是内存行业的老大，所以三星不会等待，今年下半年就会量产DDR5 7200的模块。

大佬出手即王炸三星推出DDR5 7200内存单条就有512GB

2，三星准备推出512GB DDR57200内存8层TSV堆栈封装立大功

在近期HotChip 33大会上，三星对外公布了他们正在开发拥有8层TSV封装的DDR5内存，相对于三星目前4层TSV封装的DDR4，容量提升了两倍，使未来单根512GB的DDR5成为可能。根据外媒的报道，三星通过优化封装，芯片之间的间隙减少了40%，而且使用薄晶圆技术，使得8层TSV封装的DDR5高度其实比4层的DDR4更低，还能带来更好的散热能力。需要注意的是，目前面向服务器市场的DDR4内存最多做到单根256GB，而消费级市场最多是64GB和32GB。一根DDR5内存的容量能达到512GB，这确实是一个巨大的进步。而在其中，我们也能注意到该成果的实现是得益于8层TSV封装技术。那么，什么是TSV封装技术呢？这便是今天我们主要讲的内容。 TSV，即硅通孔技术（Through Silicon Via）是一项高密度封装技术，正在逐渐取代目前工艺比较成熟的引线键合技术，被认为是第四代封装技术。TSV技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充，实现硅通孔的垂直电气互连。硅通孔技术可以通过垂直互连减小互连长度，减少信号延迟，降低电容/电感，实现芯片间的低功耗，高速通讯，增加带宽和实现器件集成的小型化。基于TSV技术的3D封装主要有这几个方面的优势：更好的电气互连性能；更宽的带宽；更高的互连密度；更低的功耗；更小的尺寸；更轻的质量。与以往的IC封装键合和使用凸点的叠加技术不同， TSV能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大，外形尺寸最小，并且大大改善芯片速度和低功耗的性能。然而，TSV与常规封装技术有一个明显的不同点，TSV的制作可以集成到制造工艺的不同阶段。在晶圆制造CMOS或BEOL步骤之前完成硅通孔通常被称作Via-first。此时，TSV的制作可以在Fab厂前端金属互连之前进行，实现core-to-core的连接。该方案目前在微处理器等高性能器件领域研究较多，主要作为SoC的替代方案。Via-first也可以在CMOS完成之后再进行TSV的制作，然后完成器件制造和后端的封装。而将TSV放在封装生产阶段，通常被称作Via-last，该方案的明显优势是可以不改变现有集成电路流程和设计。目前，部分厂商已开始在高端的Flash和DRAM领域采用Via-last技术,即在芯片的周边进行通孔，然后进行芯片或晶圆的层叠。 TSV工艺包括深硅刻蚀形成微孔，绝缘层、阻挡层、种子层的沉积，深孔填充，化学机械抛光，减薄、pad的制备及再分布线制备等。主要工艺包括以下几个部分：其中，TSV深孔的填充技术是3D集成的关键技术，也是难度较大的一个环节，TSV填充效果直接关系到集成技术的可靠性和良率等问题，高的可靠性和良率对于3D TSV堆叠集成实用化是至关重要的。而在基片减薄过程中保持良好的完整性，避免裂纹扩展是TSV工艺过程中的另一个难点。目前主要的技术难点分为几个方面：总的来说，目前3D封装的硅通孔技术还处于高速发展时期，但是由于该技术具有更小的封装尺寸，更高的封装密度，以及具有适应半导体器件发展方向的高性能与低功耗种种优势，因此硅通孔技术具有广阔的前景以及成为微电子行业热门领域的潜质。

三星准备推出512GB DDR57200内存8层TSV堆栈封装立大功

3，长电科技半导体芯片封装和设计龙头企业

长电科技是全球领先的集成电路制造和技术服务提供商，提供全方位的芯片成品制造一站式服务，包括集成电路的系统集成、设计仿真、技术开发、产品认证、晶圆中测、晶圆级中道封装测试、系统级封装测试、芯片成品测试并可向世界各地的半导体客户提供直运服务。通过高集成度的晶圆级（WLP）、2.5D/3D、系统级（SiP）封装技术和高性能的倒装芯片和引线互联封装技术，长电科技的产品、服务和技术涵盖了主流集成电路系统应用，包括网络通讯、移动终端、高性能计算、车载电子、大数据存储、人工智能与物联网、工业智造等领域。长电科技在全球拥有23000多名员工，在中国、韩国和新加坡设有六大生产基地和两大研发中心，在逾22个国家和地区设有业务机构，可与全球客户进行紧密的技术合作并提供高效的产业链支持。随着市场对便携式移动数据访问设备的需求快速增长，市场对功能融合和封装复杂性的要求也在提升。同时对更高集成度，更好电气性能、更低时延，以及更短垂直互连的要求，正在迫使封装技术从 2D 封装向更先进的 2.5D 和 3D 封装设计转变。为了满足这些需求，各种类型的堆叠集成技术被用于将多个具有不同功能的芯片集中到越来越小的尺寸中。长电科技积极推动传统封装技术的突破，率先在晶圆级封装、倒装芯片互连、硅通孔(TSV)等领域中采用多种创新集成技术，以开发差异化的解决方案，帮助客户在其服务的市场中取得成功。 3D 集成技术正在三个领域向前推进：封装级集成、晶圆级集成和硅级集成。 ? 封装级集成利用常规的焊线或倒装芯片工艺进行堆叠和互连，以构建传统的堆叠芯片和堆叠封装结构，包括：堆叠芯片 (SD) 封装，通常在一个标准封装中使用焊线和倒装芯片连接，对裸片进行堆叠和互连。配置包括 FBGA-SD、FLGA-SD、PBGA-SD、QFP-SD 和 TSOP-SD。层叠封装(PoP) ，通常对经过全面测试的存储器和逻辑封装进行堆叠，消除已知合格芯片 (KGD) 问题，并提供了组合 IC 技术方面的灵活度。倒装芯片 PoP 选项包括裸片 PoP、模塑激光 PoP 和裸片模塑激光 PoP 配置 (PoP-MLP-ED)。封装内封装 (PiP) ，封装内封装 (PiP) 通常将已封装芯片和裸片堆叠到一个 JEDEC 标准 FBGA 中。经过预先测试的内部堆叠模块 (ISM) 接点栅格阵列 (LGA) 和 BGA 或已知/已探测合格芯片 (KGD)，通过线焊进行堆叠和互连，然后模塑形成一个与常规FBGA封装相似的 CSP。 3D 晶圆级集成 (WLP) 使用再分布层和凸块工艺来形成互连。晶圆级集成技术涵盖创新的扇入(FIWLP) 和扇出 (FOWLP) 选项，包括：嵌入式晶圆级 BGA(eWLB) - 作为一种多功能的扇出型嵌入式晶圆级 BGA 平台，eWLB 灵活的重建制造工艺可以降低基板的复杂性和成本，同时在一系列可靠、低损耗的 2D、2.5D 和 3D 解决方案中实现高性能、小尺寸和非常密集的互连。长电科技的 3D eWLB-SiP 和 eWLB-PoP 解决方案包括多个嵌入式无源和有源元器件，提供面对背、面对面选项，以及单面、1.5 面、双面超薄 PoP 配置。对于需要全 3D 集成的应用，长电科技的面对面 eWLB PoP 配置通过 eWLB 模塑层，在应用处理器和存储器芯片之间提供直接的垂直互连，以实现高带宽、极细间距的结构，其性能不逊色于 TSV 技术。包封 WLCSP (eWLCSP ) - 一种创新的 FIWLP 封装，采用扇出型工艺，也称为 FlexLine 方法，来构建这种创新、可靠的包封 WLCSP 封装。 WLCSP - 标准晶圆级 CSP 封装。随着各种工艺技术的发展，例如低固化温度聚合物、将铜材料用于凸块下金属化 (UBM) 和 RDL，我们可以实现更高的密度，提高 WLCSP 封装的可靠性。在真正的 3D IC 设计中，目标是将一个芯片贴合在另一个芯片上，两者之间没有任何间隔（无中介层或基材）。目前，“接近 3D”的集成通常也称为 2.5D 集成，其实现方法是使用薄的无源中介层中的硅通孔 (TSV)，在封装内部连接芯片。芯片之间的通信通过中介层上的电路进行。FOWLP 工艺还可以产生一种被称为2.5D eWLB的创新过渡技术，在这种技术中，使用薄膜扇出型结构来实现高密度互连。长电科技的硅级集成产品组合包括： 2.5D / 扩展 eWLB - 长电科技基于 eWLB 的中介层可在成熟的低损耗封装结构中实现高密度互连，提供更高效的散热和更快的处理速度。3D eWLB 互连（包括硅分割）是通过独特的面对面键合方式实现，无需成本更高的 TSV 互连，同时还能实现高带宽的 3D 集成。基于 eWLB 的中介层简化了材料供应链，降低了整体成本，为客户提供了一个强大的技术平台和路径，帮助客户将器件过渡到更先进的 2.5D 和 3D 封装。 MEOL集成的2.5D封装 - 作为首批在2.5D 封装领域拥有成熟 MEOL TSV 集成经验的 OSAT 之一，长电科技在这个新兴互连技术领域扮演着重要角色，专注于开发经济高效的高产量制造能力，让 TSV 成为具有商业可行性的解决方案。长电科技还与众多的客户、研究机构和领先代工厂开展协作，为集成式 3D 封装解决方案开发有效的商业模式。 2.5/3D集成技术圆片级与扇出封装技术系统级封装技术倒装封装技术焊线封装技术MEMS与传感器长电科技为以下封装选项提供晶圆级技术： ? eWLB（嵌入式晶圆级球栅阵列） ? eWLCSP（包封晶圆级芯片尺寸封装） ? WLCSP（晶圆级芯片尺寸封装） ? IPD（集成无源器件） ? ECP（包封芯片封装） ? RFID（射频识别）当今的消费者正在寻找性能强大的多功能电子设备，这些设备不仅要提供前所未有的性能和速度，还要具有小巧的体积和低廉的成本。这给半导体制造商带来了复杂的技术和制造挑战，他们试图寻找新的方法，在小体积、低成本的器件中提供更出色的性能和功能。长电科技在提供全方位的晶圆级技术解决方案平台方面处于行业领先地位，提供的解决方案包括扇入型晶圆级封装 (FIWLP)、扇出型晶圆级封装 (FOWLP)、集成无源器件 (IPD)、硅通孔 (TSV)、包封芯片封装 (ECP)、射频识别 (RFID)。突破性的 FlexLineTM 制造方法我们的创新晶圆级制造方法称为 FlexLineTM 方法，为客户提供了不受晶圆直径约束的自由，同时实现了传统制造流程无法实现的供应链简化和成本的显著降低。FlexLine 制造方法是不同于常规晶圆级制造的重大范式转变，它为扇入型和扇出型晶圆级封装提供了很高的灵活性和显著的成本节省。 FlexLine方法，为客户提供了不受晶圆直径约束的自由，同时实现了传统制造流程无法实现的供应链简化和成本的显著降低。用于 2.5D 和 3D 集成的多功能技术平台 FlexLine方法，为客户提供了不受晶圆直径约束的自由，同时实现了传统制造流程无法实现的供应链简化和成本的显著降低。半导体公司不断面临复杂的集成挑战，因为消费者希望他们的电子产品体积更小、速度更快、性能更高，并将更多功能集成到单部设备中。半导体封装对于解决这些挑战具有重大影响。当前和未来对于提高系统性能、增加功能、降低功耗、缩小外形尺寸的要求，需要一种被称为系统集成的先进封装方法。系统集成可将多个集成电路 (IC) 和元器件组合到单个系统或模块化子系统中，以实现更高的性能、功能和处理速度，同时大幅降低电子器件内部的空间要求。什么是系统级封装？系统级封装 (SiP) 是一种功能电子系统或子系统，包括两个或更多异构半导体芯片（通常来自不同的技术节点，针对各自的功能进行优化），通常搭载无源元器件。SiP 的物理形式是模块，根据最终应用的不同，模块可以包括逻辑芯片、存储器、集成无源器件 (IPD)、射频滤波器、传感器、散热片、天线、连接器和/或电源芯片。先进 SiP 的优势为了满足用户提高集成度、改善电气性能、降低功耗、加快速度、缩小器件尺寸的需求，以下几大优势促使业界转向先进的SiP 解决方案： ? 比独立封装的元器件更薄/更小的外形尺寸 ? 提高了性能和功能集成度 ? 设计灵活性 ? 提供更好的电磁干扰 (EMI) 隔离 ? 减少系统占用的PCB面积和复杂度 ? 改善电源管理，为电池提供更多空间 ? 简化 SMT 组装过程 ? 经济高效的“即插即用”解决方案 ? 更快的上市时间 (TTM) ? 一站式解决方案 – 从晶圆到完全测试的 SiP 模块应用当前，先进的 SiP 和微型模块正被应用于移动设备、物联网 (IoT)、可穿戴设备、医疗保健、工业、汽车、计算和通信网络等多个市场。每种先进 SiP 解决方案的复杂程度各不相同，这取决于每种应用需要的元器件的数量和功能。以下是高级 SiP 应用的一些示例：根据应用需求和产品复杂度，我们提供多种先进 SiP 配置，从带有多个有源和无源元件、通过倒装芯片、引线键合和SMT进行互连的传统2D 模块，到更复杂的模块，如封装内封装 (PiP)、层叠封装 (PoP)、2.5D 和 3D 集成解决方案。先进的SiP 模块配置 (2D/2.5D/3D) 针对特定终端应用进行定制，旨在充分发挥它们的潜在优势，包括性能、成本、外形尺寸和产品上市时间 (TTM)。在倒装芯片封装中，硅芯片使用焊接凸块而非焊线直接固定在基材上，提供密集的互连，具有很高的电气性能和热性能。倒装芯片互连实现了终极的微型化，减少了封装寄生效应，并且实现了其他传统封装方法无法实现的芯片功率分配和地线分配新模式。长电科技提供丰富的倒装芯片产品组合，从搭载无源元器件的大型单芯片封装，到模块和复杂的先进 3D 封装，包含多种不同的低成本创新选项。长电科技的丰富倒装芯片产品组合包括： FCBGA 和 fcCSP 都使用锡球来提供第二级 (BGA) 互连。颠覆性的低成本倒装芯片解决方案：fcCuBE 长电科技还提供名为“fcCuBE ”的创新低成本倒装芯片技术。fcCuBE 是一种低成本、高性能的先进倒装芯片封装技术，其特点是采用铜 (Cu) 柱凸块、引线焊接 (BOL) 互连以及其他增强型组装工艺。顾名思义，fcCuBE 就是采用铜柱、BOL 和增强工艺的倒装芯片。fcCuBE 技术适用于各种平台。自 2006 年获得首个与 fcCuBE 相关的创新 BOL 工艺专利以来，长电科技投入大量资金，将这一变革性技术发展成为引人注目的倒装芯片解决方案，广泛应用于从低端到高端的移动市场以及中高端消费和云计算市场的终端产品。 fcCuBE 的优势是推动来自成本敏感型市场，如移动和消费类市场，以及网络和云计算市场的客户广泛采用这种封装，因为在这些市场上，布线密度和性能的增加是必然趋势。fcCuBE 的独特 BOL 互连结构可扩展到非常细的凸块间距，实现高 I/O 吞吐量，同时缓解与应力相关的芯片与封装之间的交互作用 (CPI)，而这种现象通常与无铅和铜柱凸块结构相关。这对于中高端的网络和消费类应用而言尤其重要。长电科技提供全方位一站式倒装芯片服务凭借在晶圆级封装、晶圆探针和最终测试方面的强劲实力，长电科技在为客户提供全方位一站式服务方面独具优势。长电科技提供从涉及到生产的全方位一站式倒装芯片服务，包括高速、高引脚数的数字和射频测试。焊线形成芯片与基材、基材与基材、基材与封装之间的互连。焊线被普遍视为最经济高效和灵活的互连技术，目前用于组装绝大多数的半导体封装。长电科技的多种封装方法都采用焊线互连：铜焊线作为金线的低成本替代品，铜线正在成为焊线封装中首选的互连材料。铜线具有与金线相近的电气特性和性能，而且电阻更低，在需要较低的焊线电阻以提高器件性能的情况下，这将是一大优势。长电科技可以提供各类焊线封装类型，并最大程度地节省物料成本，从而实现最具成本效益的铜焊线解决方案。层压封装基于层压的球栅阵列 (BGA) 互连技术最初推出的目的是满足高级半导体芯片不断增长的高引线数要求。BGA 技术的特点是将引线以小凸块或焊球的形式置于封装的底面，具有低阻抗、易于表面安装、成本相对较低和封装可靠性高等特点。长电科技提供全套的基于层压的 BGA 封装，包括细间距、超薄、多芯片、堆叠和热增强配置。除了标准层压封装之外，长电科技还提供多种先进堆叠封装选项，包括一系列层叠封装 (PoP) 和封装内封装 (PiP) 配置。引线框架封装引线框架封装的特点是芯片包封在塑料模塑复合物中，金属引线包围封装周边。这种简单的低成本封装仍然是很多应用的最佳解决方案。长电科技提供全面的引线框架封装解决方案，从标准引线框架封装到小巧薄型热增强封装，包括方形扁平封装 (QFP)、四边/双边无引脚、扁平封装 (QFN/DFN)、薄型小外型封装 (TSOP)、小外形晶体管 (SOT)、小外形封装 (SOP)、双内联封装 (DIP)、晶体管外形 (TO)。存储器器件除了增值封装组装和测试服务之外，长电科技还提供 Micro-SD 和 SD-USB 这两种格式的存储卡封装。Micro-SD 是集成解决方案，使用 NAND 和控制器芯片，SD-USB 则是裸片和搭载 SMT 元器件的预封装芯片。长电科技的存储卡解决方案采用裸片级别组装、预封装芯片组装，或者两者结合的方式。全方位服务封装设计我们在芯片和封装设计方面与客户展开合作，提供最能满足客户对性能、质量、周期和成本要求的产品。长电科技的全方位服务封装设计中心可以帮助客户确定适用于复杂集成电路的最佳封装，还能够帮助客户设计最适合特定器件的封装。 2.5/3D集成技术圆片级与扇出封装技术系统级封装技术倒装封装技术焊线封装技术MEMS与传感器 MEMS and Sensors 随着消费者对能够实现传感、通信、控制应用的智能设备的需求日益增长，MEMS 和传感器因其更小的尺寸、更薄的外形和功能集成能力，正在成为一种非常关键的封装方式。MEMS 和传感器可广泛应用于通信、消费、医疗、工业和汽车市场的众多系统中。传感器传感器是一种能够检测/测量物理属性，然后记录并报告数据和/或响应信号的装置或系统。传感器通常组装在模块中，这些模块能够基于模拟或传感器馈送信号来作出响应。传感器有很多不同的类型和应用，例如压力传感器、惯性传感器、话筒、接近传感器、指纹传感器等微机电系统 (MEMS) MMEMS 是一种专用传感器，它将机械和电气原件通过分立或模块方式组合起来。MEMS是典型的多芯片解决方案，例如感应芯片与专用集成电路 (ASIC) 配对使用。MEMS 器件可以由机械元件、传感器、致动器、电气和电子器件组成，并置于一个共同的硅基片上。在消费、汽车和移动应用中使用基于 MEMS 的传感器具备一些优势，包括体积小、功耗低、成本低等。集成一站式解决方案凭借我们的技术组合和专业 MEMS 团队，长电科技能够提供全面的一站式解决方案，为您的量产提供支持，我们的服务包括封装协同设计、模拟、物料清单 (BOM) 验证、组装、质量保证和内部测试解决方案。长电科技能够为客户的终端产品提供更小外形尺寸、更高性能、更低成本的解决方案。我们的创新集成解决方案能够帮助您的企业实现 MEMS 和传感器应用的尺寸、性能和成本要求。 1. 嵌入式晶圆级球栅阵列 (eWLB) - 单芯片、多芯片和堆叠的层叠封装配置 2. 晶圆级芯片尺寸封装 (WLCSP) - 非常小的单芯片 3. 倒装芯片芯片尺寸封装 (fcCSP)- 单芯片或多芯片的倒装芯片配置 4. 细间距球栅阵列 (FBGA) - 单芯片或多芯片配置 5. 接点栅格阵列 (FBGA) - 单芯片或多芯片配置 6. 四边扁平无引脚 (FBGA) - 单芯片或多芯片配置长电科技提供全方位一站式倒装芯片服务凭借在晶圆级封装、晶圆探针和最终测试方面的强劲实力，长电科技在为客户提供全方位一站式处理方面独具优势。长电科技提供从设计到生产的全方位一站式倒装芯片服务，包括高速、高引脚数的数字和射频测试。全方位一站式解决方案的优势 ? 缩短产品上市时间 ? 提升整体流程效率 ? 提高质量 ? 降低成本 ? 简化产品管理长电科技位于中国、新加坡、韩国和美国的全球特性分析团队，致力于为全球客户提供先进的封装表征服务，确保客户拥有高质量、高性能、可靠和高性价比的封装设计，以满足他们的市场需求。晶圆凸块技术可以在半导体封装中提供显著的性能、外形尺寸和成本优势。晶圆凸块是一种先进的制造工艺，在切割之前就在半导体晶圆表面形成金属焊球或凸块。晶圆凸块实现了器件中的芯片与基材或印刷电路板之间的互连。焊球的成分和尺寸取决于多种因素，例如半导体器件的外形尺寸、成本以及电气、机械和热性能要求。长电科技在晶圆凸块的众多合金材料和工艺方面拥有丰富的经验，包括采用共晶、无铅和铜柱合金的印刷凸块、锡球和电镀技术。我们的晶圆凸块产品包括 200mm 和 300mm 晶圆尺寸的晶圆凸块和再分配，以提供完整的一站式先进倒装芯片封装和晶圆级封装解决方案。长电科技的认证质量测试中心，提供多种可靠性试验，包括环境可靠性测试、使用寿命可靠性测试、板级可靠性试验，和全方位的故障分析服务。封测市场高景气，公司治理和业务协同不断强化，业绩实现高速增长：公司 2020 年归母净利润同比+1371.17%，业绩实现高速增长，主要得益于公司进一步深化海内外制造基地资源整合、提高营运效率、改善财务结构，大幅度提高了经营性盈利能力。2020 年，公司海外并购的新加坡星科金朋实现营业收入 13.41 亿美元，同比增长 25.41%，净利润从 2019 年的亏损 5,431.69 万美元到 2020 年的盈利 2,293.99 万美元，实现全面扭亏为盈。另外，收购后，子公司长电国际利用星科金朋韩国厂的技术、厂房等新设立的长电韩国工厂（JSCK）在 2020 年实现营业收入 12.35 亿美元，同比增长 64.97%；净利润 5,833.49 万美元，同比增长 669.97%。 2021 年第一季度，公司业绩延续高增长趋势，归母净利润同比 +188.68%，毛利率 16.03%，同比+2.93pct，净利率 5.76%，同比+3.41pct。公司可为客户提供从设计仿真到中后道封测、系统级封测的全流程技术解决方案，已成为中国第一大和全球第三大封测企业。公司产能全球布局，各产区的配套产能完善，随着产能利用率的持续提升，公司生产规模优势有望进一步凸显，同时，各产区互为补充，各具技术特色和竞争优势，完整覆盖了低、中、高端封装测试领域，在 SiP、WL-CSP、2.5D 封装等先进封装领域优势明显。公司聚焦 5G 通信、高性能计算、汽车电子、高容量存储等关键应用领域，大尺寸 FC BGA、毫米波天线 AiP、车载封测方案和 16 层存储芯片堆叠等产品方案不断突破，龙头地位稳固。用户资源和高附加价值产品项目，加强星科金朋等工厂的持续盈利能力。目前，公司国内工厂的封测服务能力持续提升，车载涉安全等产品陆续量产，同时，韩国厂的汽车电子、5G 等业务规模不断扩大，新加坡厂管理效率和产能利用率持续提升，盈利能力稳步改善。随着公司各项业务和产线资源整合的推进，公司盈利能力有望持续提升，未来业绩增长动能充足。

长电科技半导体芯片封装和设计龙头企业