1，若8寸晶圆可制作88个芯片则12寸大约可制造多少个芯片

自然是1.5的平方个，当然圆的不可能这个切割，但是200个差不多。

若8寸晶圆可制作88个芯片则12寸大约可制造多少个芯片

2，一个12英寸的晶圆可以作出几块赛扬M 处理器

0.13微米工艺下生产的Northwood中的60纳米大小的晶体管是迄今为止在大批量条件下最小的也是最快的。Northwood核心面积为145平方毫米，你自己算一下就知道有几块。

一个12英寸的晶圆可以作出几块赛扬M 处理器

3，一个cpu晶盘可以切割几个cpu

这个可没有定论。一方面要看你采用的是多大的晶圆，也要看你的芯片有多大。一般来说，12寸晶圆应该能切出百片芯片。如果规模非常大的话，可能就只有三五十片。
你好！看您的CPU是多大的面积了仅代表个人观点，不喜勿喷，谢谢。

一个cpu晶盘可以切割几个cpu

4，一个8寸晶圆能切出多少颗指纹芯片

这个要根据你的die的大小和wafer的大小以及良率来决定的。目前业界所谓的6寸，12寸还是18寸晶圆其实就是晶圆直径的简称，只不过这个吋是估算值。实际上的晶圆直径是分为150mm，300mm以及450mm这三种，而12吋约等于305mm，为了称呼方便所以称之为12吋晶圆。再将公式化简的话就会变成：X就是所谓的晶圆可切割晶片数(dpw die per wafer)。
同问。。。

5，一整块晶圆能不能用做 CPU

当然不能。至少有三个因素限制无法生产这么大面积的CPU。1，仅就目前的CPU核心内部设计，尚且要考虑芯片内晶体管电路间物理距离造成的信号传输延迟问题(GPU，内存芯片等也一样)，要将尺寸扩大上千倍，目前技术上无法解决。2，CPU制造工艺精度已经达到纳米级，硅片材料的热胀冷缩轻微变形就会导致损坏，假如有这么大的CPU，不论是自身热胀冷缩还是外部力量扭曲震动导致的变形，都足以损坏其内部物理结构。3，集成电路的基础单元是PN节，每个PN节工作时都会产生热量，如果一个4平方毫米的CPU芯片满载功率为40W，那么相同集成度的4000平方毫米的单芯片满载工作时40kW的发热量已超过饭店后厨的猛火灶，不论是从供电还是散热方面考虑都是不可行的。
不可能

6，值得一看从沙子到芯片看处理器是怎样炼成的

抛光：将多余的铜抛光掉，也就是磨光晶圆表面。 金属层：晶体管级别，六个晶体管的组合，大约500纳米。在不同晶体管之间形成复合互连金属层，具体布局取决于相应处理器所需要的不同功能性。芯片表面看起来异常平滑，但事实上可能包含20多层复杂的电路，放大之后可以看到极其复杂的电路网络，形如未来派的多层高速公路系统。 第七阶段合影
溶解光刻胶：光刻过程中曝光在紫外线下的光刻胶被溶解掉，清除后留下的图案和掩模上的一致。 蚀刻：使用化学物质溶解掉暴露出来的晶圆部分，而剩下的光刻胶保护着不应该蚀刻的部分。 清除光刻胶：蚀刻完成后，光刻胶的使命宣告完成，全部清除后就可以看到设计好的电路图案。
单晶硅锭：整体基本呈圆柱形，重约100千克，硅纯度99.9999％。 第一阶段合影 硅锭切割：横向切割成圆形的单个硅片，也就是我们常说的晶圆(Wafer)。顺便说，这下知道为什么晶圆都是圆形的了吧？
第八阶段合影 单个内核：内核级别。从晶圆上切割下来的单个内核，这里展示的是Core i7的核心。 封装：封装级别，20毫米/1英寸。衬底(基片)、内核、散热片堆叠在一起，就形成了我们看到的处理器的样子。衬底(绿色)相当于一个底座，并为处理器内核提供电气与机械界面，便于与PC系统的其它部分交互。散热片(银色)就是负责内核散热的了。
清除光刻胶：离子注入完成后，光刻胶也被清除，而注入区域(绿色部分)也已掺杂，注入了不同的原子。注意这时候的绿色和之前已经有所不同。第五阶段合影晶体管就绪：至此，晶体管已经基本完成。在绝缘材(品红色)上蚀刻出三个孔洞，并填充铜，以便和其它晶体管互连。
晶圆：切割出的晶圆经过抛光后变得几乎完美无瑕，表面甚至可以当镜子。事实上，Intel自己并不生产这种晶圆，而是从第三方半导体企业那里直接购买成品，然后利用自己的生产线进一步加工，比如现在主流的45nm HKMG(高K金属栅极)。值得一提的是，Intel公司创立之初使用的晶圆尺寸只有2英寸/50毫米。 第二阶段合影 光刻胶(Photo Resist)：图中蓝色部分就是在晶圆旋转过程中浇上去的光刻胶液体，类似制作传统胶片的那种。晶圆旋转可以让光刻胶铺的非常薄、非常平。

7，CPU的制作工艺多少NM是怎么回师

nm是对于生产CPU的晶圆说的CPU的核心是在一片基片上生产的，这个基片就是晶圆上切割下来的一部分一般的晶圆的制程越小CPU上集成的半导体数量也就越多，而且功耗都会降低！但是这也是有限度的，至于限度，你可以在网上找到得
CPU是由很多很多的晶体管组成的,多达上亿个,反正是以亿为单位,他们在一起工作,你想这么多的晶体管在一起并不是紧贴在一起的,而是有空隙的,由于他们之间的空隙非常小,所以有NM这个单位来衡量!他是距离单位就像厘米一样!
这个问题问的好，CPU的制造工艺这个问题得从CPU的制造说起，事实上CPU是从沙子中提取硅元素后经过一系列工艺制造成为半成品晶圆，然后通过高精度激光来蚀刻出各个核心，这时就牵扯到制造工艺了，一般说来制造工艺中的nm指的是激光蚀刻后会在晶圆上留下预先设计好的痕迹，也就是所谓的晶体管，痕迹之间的距离就是用这个nm来表示的，所以制造工艺越先进，nm这个单位就越小，也就是激光蚀刻的技术越高，同理所谓集成的晶体管就越多。有其他问题欢迎来到 http://www.krdiy.cn发帖
每一级工艺下单一芯片中所能集成的晶体管数目有一个上限，线宽越小，集成度越高，而晶体管集成度通常也是区分同一类超大规模集成电路性能高低的重要指标。比如假设用180nm工艺生产45nm酷睿处理器，就不仅仅是芯片面积变大了，而是根本就加工不出来——良品率会极低。此外，更精密的工艺生产出的vlsi功耗更小、发热更低，可以稳定工作在更高的频率下，当年著名的显卡 nvidia riva tnt2 ultra，就是在 tnt2 原版的基础上将加工工艺从 250nm 改为 220nm，结果工作频率大大提高，性能提升显著。
你好!通常我们所说的CPU的“制作工艺”指得是在生产CPU过程中，要进行加工各种电路和电子元件，制造导线连接各个元器件。通常其生产的精度以微米（长度单位，1微米等于千分之一毫米）来表示，未来有向纳米（1纳米等于千分之一微米）发展的趋势，精度越高，生产工艺越先进。在同样的材料中可以制造更多的电子元件，连接线也越细，提高CPU的集成度，CPU的功耗也越小。　　制造工艺的微米是指IC内电路与电路之间的距离。制造工艺的趋势是向密集度愈高的方向发展，。密度愈高的IC电路设计，意味着在同样大小面积的IC中，可以拥有密度更高、功能更复杂的电路设计。微电子技术的发展与进步，主要是靠工艺技术的不断改进，使得器件的特征尺寸不断缩小，从而集成度不断提高，功耗降低，器件性能得到提高。芯片制造工艺在1995年以后，从0.5微米、0.35微米、0.25微米、0.18微米、0.15微米、0.13微米、90纳米一直发展到目前最新的65纳米，而45纳米和30纳米的制造工艺将是下一代CPU的发展目标。

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