场效应管VGS电压最高多少，场效应管的驱动电流电压是多少
来源：整理 编辑：亚灵电子网 2023-04-10 06:06:12
1，场效应管的驱动电流电压是多少
驱动门限电压2～4V（极值20V），驱动电流约100nA。
2，场效应管中的Vgsth电压是开启最低电压还是完全导通电压
Vgs是最大开启电压，不要超过Vgs容易烧坏管子Vth是最低开启电压。
3，关于场效应管电压控制问题
datashee上提供的Vgs只能做参考，Vgs在2-4V只是一个范围，不同厂商的器件都存在离散型，我更喜欢使用Vgs小一点的MOS管，这样容易控制，另外在这个测量中，漏极一定要串联一个限流电阻，否则容易烧毁MOS管或者电源。
4，mOS管导通后的Vgs是多少和刚满足导通条件时的电压有什么关系
MOS管导通后的Vgs电压始终为该管的开启电压，和刚满足导通条件时比较，导通后随着源极S电位的升高，Vg电压也要升高，在漏极电流不变的的情况下Vgs是个常数。N沟道与P沟道是不一样的。如N沟道管，导通后Vgs与“偏置”电路有关，与其他无关。Vgs越大则导通电阻越小。P沟道是相反的（在无“偏置”时，即正常时是导通的）。mOS管注意：1、为了安全使用MOS管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。2、各类型MOS管在使用时，都要严格按要求的偏置接入电路中，要遵守MOS管偏置的极性，如结型MOS管栅源漏之间是PN结。N沟道管栅极不能加正偏压，P沟道管栅极不能加负偏压。
5，大功率场效应管阀值电压是多少伏
通常为3~10V，不同的大功率场效应管有不同的阀值电压，必须根据相关的技术参数来确定。不同场效应管的开启电压是不同的，低的3-5v，高的5-10v，具体开启电压需要查询相应型号场效应管手册。
6，IRF740的IRF740参数
它是一种N沟道场效应管（绝缘栅型）晶体管，参数如下：极性:N沟道；漏极电流（ Id）最大值: 10A (at 25℃)电压,（Vgs） 最大值:20V开态电阻（ Rds(on)）: 典型值 0.48Ω 即Vgs=10V，Id=5.3A电压, （Vds）最高:400V功耗（P）:2.5W封装类型:TO 220针脚数:3晶体管类型:MOSFET满功率温度:25°C扩展资料IRF740是新系列低电荷Power MOSFET 其比传统MOSFETs有着明显更低的栅电荷。利用了新型的LCDMOS技术，使他的性能得到增强并且不要增加成本，大大简化栅极驱动需求，节省系统总体开销。并且，在高频应用中，它减少了转换损耗，使效能得到强化。它使用了TO-220封装，让他的功耗可以保持在50W左右，大量应用于工商业应用，这种封装有低热阻和低成本的特点，让它得到业内的普遍认可。此外，使用SMD-220封装的IRF740还适用于贴片安装，和现有的任何其他贴片封装比起来，都可以称为功率最高，导通阻抗最低。这种封装的IRF740还可适应高强度电流的应用。参考资料百度百科-IRF740
7，场效应管的门槛电压
正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V）以后，才能直正导通。导通后两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V)
8，对场效应管的参数意义请教大侠如耗散功率PD最大电压VDSS
场效应管耗散功率最大可承受输出功率理论上和输出功率的关系，在单端甲类时是输出功率的2倍、互补推挽时等于输出功率。实际使用留有余量。VDDS是击穿电压，场效应管的电压不能超过VDDS，实际使用时工作电压应留有1.5倍以上的余量。设计一个大功率场效应管放大电路可选择多只输出管子并联工作，通过提高输出电流达到提高输出功率的效果。输出高压(超过3000V),没有实际意义，因为不但很难保证电路器件和音箱的安全，对使用安全威胁更大。理论上，可以通过输出变压器或者多个放大电路叠加的方式实现。
9，电动车控制器的场效应管耐压分别是多少v
一般选用器件的标准是工作电压的2-3倍。如果是48v的电瓶，则应选用100v以上耐压的管子，但场效应管有个特性：相同最大工作电流ic的管子，耐压越高的管子内阻越大。电瓶车控制器一般都采用多只相同的场效应管并联降低内阻就是这个道理，还有就是耐压越高的管子价钱也越贵，相同耐压单只大电流的售价要高于小电流的几倍，并且安装体积（高度）、引脚排列、散热面积也是制造者需要考虑的因素。48v的一般是70v左右，60v的一般在75~85v左右，72v一般在100v
10，关于场效应管Vgs和Vds电压的问题
是这样子的，电路有个参考点作为地，平时所说的电压都是相对于地做参考的，比如你所说的d极电压就是d极相对于地的电压。你所问的vds是指d极相对于s极的电压，也就是由原来的参考地改为以s作为参考。简单来说就是你站在2楼以地面作为参考高度是10米的话，改为以1楼楼顶作为参考后高度就为5米了。当Vgs>=Vth时形成反型层，在gate下产生一个电荷分布均匀的沟道（简单理解就是gate底下聚集了一层被吸上来的电子）。但是此时drain和source之间没有电势差，电荷不会自己移动。当Vds>0时，电子从source迁移到drain，产生由drain到source到电流。当Vds>Vgs-Vth时，gate和沟道之间的电势差=Vgs-Vds<Vth,不足以支持反型层（吸引电子），沟道从drain处开始夹断。具体可参考拉扎维《模拟CMOS集成电路设计》第二章。是这样子的，电路有个参考点作为地，平时所说的电压都是相对于地做参考的，比如你所说的D极电压就是D极相对于地的电压。你所问的Vds是指D极相对于S极的电压，也就是由原来的参考地改为以S作为参考。简单来说就是你站在2楼以地面作为参考高度是10米的话，改为以1楼楼顶作为参考后高度就为5米了。导通是有电阻的，它又不是超导材料，连“导体”都不是，而是“半导体”，只要有电流流过，就有电压降，当电流达到某值，超过这时Vgs控制电压能够产生的电流量，才进入饱和区。
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