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1，怎么看全桥参数

看元件的型号标称，一般常用220V输入的整流后的直流电压为270V左右
看元件的型号标称，一般常用220V输入的整流后的直流电压为270V左右
他又说他人员让他一太容易投入也让他让她与他人颜如玉日语人与人推推嚷嚷好回过头 他和她

怎么看全桥参数

2，为什么驱动全桥mosfet需要考虑死区时间

逆变电路中，半桥和全桥都有上下两个桥臂，由于器件延时的原因，如不控制死区时间，总是有可能出现相知桥臂同时导通的现象（短路），所以一定要设置死区时间。一般看你选用的开头管的响应时间（请注意：开，关时间不一定一样，取其长的），取其3—4倍作为死区时间应该是保险的。

为什么驱动全桥mosfet需要考虑死区时间

3，全桥逆变电路需不需要死区时间吗

肯定需要，否则会导致上下两个开关短时间同时导通（因为在驱动信号到来时，上下两个开关的状态切换存在时间误差，而且开关导通和关断有延时，即存储时间和上升沿、下降沿时间），当同时导通时，将导致电源短路，所以必须留出死区时间，以避开开关切换的时间误差和延时。
逆变电路中，半桥和全桥都有上下两个桥臂，由于器件延时的原因，如不控制死区时间，总是有可能出现相知桥臂同时导通的现象（短路），所以一定要设置死区时间。一般看你选用的开头管的响应时间（请注意：开，关 时间不一定一样，取其长的），取其3—4倍作为死区时间应该是保险的。

全桥逆变电路需不需要死区时间吗

4，IR2110全桥驱动波形问题

应该是pCB布线问题，Q1和Q6两个管子是一个桥臂，从你这个图可以看到两个功率管子离得太远，之间又这么多电路，很容易收到干扰的。 你再试试在管子引脚Q1的D、Q6的S极，也就是直流母线电压上加高频电容，能滤掉一些，估计作用不大，驱动电阻你用了33Ω，应该算合适了，布线好的可以用10~20Ω的，差的就尽量增大吧。PS：2110用到35kHz，你最好看看手册，确认这么高频率功耗它称受得了不？

5，220V单相交流电经过一次全桥整流后直流是多少

220V单相交流电经过一次全桥整流后如果不滤波的话，是峰值310v、220v有效值的脉动直流，如在后加上良好滤波电容，可得到交流电峰值电压即310v的直流。
如果平滑滤波电容足够大，并且没加负载的情况下，理论上输出的直流电压就是220V的峰值电压，即：V=220x1.414=311V有负载时，实际输出约300V左右，负载大时会低过220V。
你好！220V单相交流电经过一次全桥整流后如果不滤波的话，是峰值310v、220v有效值的脉动直流，如在后加上良好滤波电容，可得到交流电峰值电压即310v的直流。如果对你有帮助，望采纳。
198V
直接整流后的电压为：220X0.9=198V
还是220。可能会略低一点。但如果有电容来滤波的话会高于220

6，全桥开关电源开关管发热严重

开关电源中主要的发热元器件为半导体开关管、功率二极管、高频变压器、滤波电感等。不同器件有不同的控制发热量的方法。功率管是高频开关电源中发热量较大的器件之一，减小它的发热量，不仅可以提高功率管的可靠性，而且可以提高开关电源的可靠性，提高平均无故障时间。开关管的发热量是由损耗引起的，开关管的损耗由开关过程损耗和通态损耗两部分组成，减小通态损耗可以通过选用低通态电阻的开关管来减小通态损耗；开关过程损耗是由于栅电荷大小及开关时间引起的，减小开关过程损耗可以选择开关速度更快、恢复时间更短的器件来减少。但更为重要的是通过设计更优的控制方式和缓冲技术来减小损耗，如采用软开关技术，可以大大减小这种损耗。减小功率二极管的发热量，对交流整流及缓冲二极管，一般情况下不会有更好的控制技术来减小损耗，可以通过选择高质量的二极管来减小损耗。对于变压器二次侧的整流可以选择效率更高的同步整流技术来减小损耗。对于高频磁性材料引起的损耗，要尽量避免趋肤效应，对于趋肤效应造成的影响，可采用多股细漆包线并绕的办法来解决。

7，全桥整流电压问题

输出直流电压为206V是正确的，因为全桥整流的效率为0.9，全桥整流后的输出直流电压：U＝229×0.9≈206(V)负载为直流电机是不需要滤波的，若加滤波电容，空载电压很高，约300V附近，一量接入直流电机，电压迅速降到206V，所以，加或不加滤波电容的效果相同。若要得到输出直流电压为220V，则必须应用变压器，其次级电压为244V方可。
对于精密机器来说最好装开关稳压电源。如果要求不高可加装小容量电解电容和大功率电阻降压，用同功率假负载测试，以免损坏电机。希望对你有用
当然能,因为交流220v的全桥耐压肯定超过1.414*220v=314v.楼主是不是想问"交流220v的全桥整流电路的输出端能否直接输出直流310v电源?"在全桥整流、电容滤波、空载下,交流输入220v电压，直流输出1.414*220v=314v，再减去两个二极管的压降，可以达到310v。

8，电机驱动芯片死区时间是不是越大越好

不是越大越好，因为死区时间大会带来输出波形的失真及降低输出效率。桥臂直通是指两个串联的电力电子开关器件同时导通，如果两端有电压，将导致直流电源短路，损坏桥臂功率器件。上下桥臂直通是指同侧的两个MOS管。mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片（N沟道耗尽型MOS管）。而P沟道常见的为低压Mos管。

9，如何正确计算并最大限度减小的死区时间

如何计算IGBT模块所需最小死区时间？1 引言在现代工业中，IGBT器件在电压源逆变器中的使用越来越广泛。为了确保可靠地使用IGBT，必须避免出现桥臂直通现象。桥臂直通会产生额外的不必要功耗甚至热失控，可能会导致IGBT甚至整个逆变器出现故障。IGBT桥臂直通的原因典型的IGBT一个桥臂拓扑电路如下图所示，正常工作时，两个IGBT交替开通和关断，如果将两个IGBT管同一时间导通将会导致电流的上升，该电流仅受限于IGBT DC-link的杂散电感。Figure 1 Typical configuration of a voltage source inverter当然，没有人会故意将两个IGBT同时开通，但由于IGBT并不是一个理想的开关，开通和关断时间并不是严格相同。为了避免桥臂直通，总是推荐添加一个所谓的“互锁延迟时间”或称为“死区时间”到控制机制。这样，一个IGBT总会先关断，另一个在经过期望的死区时间后被开通。因此，可以避免由于不对称的开通和关断时间造成的桥臂直通现象。死区时间对逆变器工作的影响死区时间一般有两种，一是控制死区时间，二是有效死区时间。控制死区时间是在控制算法里执行的死区时间，是为了获得器件端合适的有效死区时间，设置控制死区时间的目标是为了确保有效死区时间总是正值。由于实际计算的控制死区时间总是基于最坏的情况，有效死区时间是控制死区时间的重要部分。死区时间一方面可以避免桥臂直通，另一方面也会带来不利影响。为了阐明死区时间的影响，我们考虑电压源逆变器的一个桥臂，如图2所示。假设首先输出电流的方向如图所示，IGBT管T1从开到关，IGBT管T2经过微弱的死区时间后从关到开。在有效死区时间内，两个管子都在断态，续流二极管D2传导输出电流。因而负边DC link电压施加到输出端，这种转换是被期望的。另一种情况，IGBT管T1从关到开，T2管从开到关，然后，D2仍然在死区时间内传输相同方向的电流。因此输出电压也是负边DC link电压，这种情况是不期望的。结论可概括如下：在有效死区时间内，输出电压由输出电流的方向决定，而不是控制信号。如果我们考虑图2中相反的电流方向，当T1从开到关，T2从关到开时，将会获得一个电压。所以，应用死区时间通常会使电压和电流产生扭曲。如果我们选择了一个不合适的较大的死区时间，会使感应电机系统变得不稳定，可能会造成一些破坏的情况。因此选择死区时间的过程是非常重要的，应仔细计算。Figure 2 One leg of voltage source inverter本文将解释如何测量IGBT实践中的延迟时间，和如何在测量的基础上正确地计算控制死区时间。
搜一下：如何正确计算并最大限度减小的死区时间

10，DSP2812如何调大PWM死区时间

先给一个我自己的例子（ 死区时间为1.78us）设T1CLK=HSPCLK/(2)=22.5MHz/2=11.25MHz //死区时间为1.78us EvaRegs.DBTCONA.bit.DBT=10; //死区定时器周期，m=10 EvaRegs.DBTCONA.bit.EDBT1=1; //死区定时器1使能位 EvaRegs.DBTCONA.bit.DBTPS=1; //预定标因子为1 死区时间tbd=2*10/(11.25M)us=1.78us//完********* 建议将死区控制寄存器各位进行定义 ，这样便于计算死区时间*******
第一个问题：不属于。txcmpr产生是gp定时器自己的，而比较单元产生pwm使用的是自己比较单元的cmprx。所以不属于。第二个问题（回答有点长，您耐心点，因为我想写通俗点，不用专业词汇。）：在我回答前，您要要知道产生pwm的大概原理，通俗点说就是，gp定时器里有一个计数器在一边计数，一边和定时器自己的比较寄存器里的数进行比较（小于比较寄存器的数，txpwm引脚电平不变，大于则变），（天哪！我现在才看到您这个问题是09年提出来的，不知道我现在回答您会不会看了，或者您的这问题已经想通了。但是我都写了那么多了，还是继续写吧。）如果是连续递增模式计数下，计数器计数到周期寄存器的值，则变为0，重新计数。这就是pwm的工作原理。第三个问题：（这个问题回答更长）其实附加波形就分别是那3个比较单元产生的pwm的镜像。如第一个比较单元pwm为高电平时，附加pwm就为低电平。这是由硬件自己搞定的，你只要把3个比较单元pwm设置好，硬件自动产生附加pwm。但是死区时间要自己设置。您在使用dsp的时候要好好想想为什么ti公司要这样设计dsp？其实3个比较单元产生带死区的6路pwm是用于控制3相全桥电路的，用于控制交流电机（至于为什么要花那么大功夫去控制交流电机，这个您得好好了解，很有好处，这里我就不多解释了）。先解释一下什么是死区时间吧。看看3相全桥电路——下面图12_19您要先搞懂上面的电路，就是pha1和pha2不能同时导通，也就是3路比较单元产生的pwm与各自的附加pwm不能为同时为高。下图12——20就是理想波形。但是这样是有问题的，因为开关管的开启闭合不是瞬间的。所以在pha2由高电平变为低电平的瞬间，pha1是不能直接由低电平变为高电平，要延长一段时间，而那段时间就是死区时间。死区时间采用多少？如何控制？于是便有了您提问的什么是死区控制。终于回答完了，不知道您懂了没有？您这个问题是09年的，而我是14年4月初开始接触dsp，现在时隔近5年，想必您已经在这方面有所成就了，我这个后生仔让您见笑了。

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