死区时间多少最好，单片机中如何调节占空比的占空比多少才是最好的还有它的死区时
来源：整理 编辑：亚灵电子网 2023-01-02 04:42:12
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1，单片机中如何调节占空比的占空比多少才是最好的还有它的死区时
你说的是用单片机产生PWM波行吧，最近我也在看这个。 这个占空比是通的计算得到的，具体的要根据所要模拟的模拟电路波形。楼上不要误导,51只有下降沿或低电平触发外中断,没有上升沿或高电平哦.用外部中断只能测频率而不能测占空比.
2，电机调试中的死区时间设置多少比较合适
那要看电机的容量是不是很大，还有负载与电机的比率，如果比率大的话启动时间长一点，如果比率小的话启动时间短一点。
3，请教IGBT 死区问题
IGBT死区是指从输出关断信号到IGBT真正截止的时间。由于IGBT等功率器件都存在一定的结电容，所以会造成器件导通关断的延迟现象。一般在设计电路时已尽量降低该影响，比如尽量提高控制极驱动电压电流，设置结电容释放回路等。为了使igbt工作可靠，避免由于关断延迟效应造成上下桥臂直通，有必要设置死区时间，也就是上下桥臂同时关断时间。死区时间可有效地避免延迟效应所造成的一个桥臂未完全关断，而另一桥臂又处于导通状态，避免直通炸模块。 死区时间大，模块工作更加可靠，但会带来输出波形的失真及降低输出效率。死区时间小，输出波形要好一些，只是会降低可靠性，一般为us级。一般来说死区时间是不可以改变的，只取决于功率元件制作工艺。
4，死区时间是什么意思
00:00 / 00:3570% 快捷键说明 空格: 播放 / 暂停Esc: 退出全屏 ↑: 音量提高10% ↓: 音量降低10% →: 单次快进5秒 ←: 单次快退5秒按住此处可拖拽 不再出现 可在播放器设置中重新打开小窗播放快捷键说明
5，死区时间到底是如何算得的求助非常感谢
DBTCONA的第2-4位是定时器频率设置 000 cpu频率/1 001 cpu频率/2 。。。。110 cpu频率/32假如2-4位设置为100，那么定时频率就是150/16M。所需要的死区时间是1.6us，那么150/16*1.6=15 就是你要设置的定时周期，也就是DBTCONA的第8-11位。所以DBTCONA可以设置为：0x0ef0你好！不是的，PWM波的周期是载波的周期，是调制波正弦波周期的N倍(N为载波比）仅代表个人观点，不喜勿喷，谢谢。也就是说，我用三角波做载波，那么DSP所产生的PWM波的周期是三角波的周期？它等于正弦波周期的N倍？
6，什么是死区时间
00:00 / 00:3570% 快捷键说明 空格: 播放 / 暂停Esc: 退出全屏 ↑: 音量提高10% ↓: 音量降低10% →: 单次快进5秒 ←: 单次快退5秒按住此处可拖拽 不再出现 可在播放器设置中重新打开小窗播放快捷键说明
7，死区电路
可以这么说。关键是如何实现。如果你考虑用数学的方法，会发现实现很复杂，事实上，只需要两个稳压二极管和一只电阻就可以实现你的需要。如下图：假设稳压管Z1、Z2的正向导通压降为0.7V，反向导通压降为5.3V.那么：当输入在-6~+6V范围内时，两只稳压管均截止，输出电压为0V；当输入大于6V时，Z1正向导通，压降0.7V，Z2反向导通，压降5.3V，输出相当于减6V。当输入小于-6V时，Z1反向导通，压降5.3V，Z2正向导通，压降0.7V，输出相当于加6V。全范围内，得到右侧的输出波形。死区时间是指控制不到的时间域。在变频器里一般是指功率器件输出电压、电流的“0”区，在传动控制里一般是指电机正反向转换电压、电流的过零时间。死区时间当然越小越好，但是为了安全保护作用又需要它，因此不能没有。最佳的设置方案是：在保证安全的前提下，越小越好。以不炸功率管、输出不短路为前提。
8，电机驱动芯片死区时间是不是越大越好
不是越大越好，因为死区时间大会带来输出波形的失真及降低输出效率。桥臂直通是指两个串联的电力电子开关器件同时导通，如果两端有电压，将导致直流电源短路，损坏桥臂功率器件。上下桥臂直通是指同侧的两个MOS管。mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片（N沟道耗尽型MOS管）。而P沟道常见的为低压Mos管。
9，什么是死区时间
死区时间是PWM输出时，为了使H桥或半H桥的上下管不会因为开关速度问题发生同时导通而设置的一个保护时段。通常也指pwm响应时间。 由于IGBT（绝缘栅极型功率管）等功率器件都存在一定的结电容，所以会造成器件导通关断的延迟现象。一般在设计电路时已尽量降低该影响，比如尽量提高控制极驱动电压电流，设置结电容释放回路等。为了使igbt工作可靠，避免由于关断延迟效应造成上下桥臂直通，有必要设置死区时间，也就是上下桥臂同时关断时间。死区时间可有效地避免延迟效应所造成的一个桥臂未完全关断，而另一桥臂又处于导通状态，避免直通炸模块。 死区时间大，模块工作更加可靠，但会带来输出波形的失真及降低输出效率。死区时间小，输出波形要好一些，只是会降低可靠性，一般为us级。一般来说死区时间是不可以改变的，只取决于功率元件制作工艺！ 死区时间是指控制不到的时间域。在变频器里一般是指功率器件输出电压、电流的“0”区，在传动控制里一般是指电机正反向转换电压、电流的过零时间。死区时间当然越小越好。但是所以设置死区时间，是为了安全。因此又不可没有。最佳的设置是：在保证安全的前提下，越小越好。以不炸功率管、输出不短路为目的。
10，DSP2812如何调大PWM死区时间
先给一个我自己的例子（ 死区时间为1.78us）设T1CLK=HSPCLK/(2)=22.5MHz/2=11.25MHz //死区时间为1.78us EvaRegs.DBTCONA.bit.DBT=10; //死区定时器周期，m=10 EvaRegs.DBTCONA.bit.EDBT1=1; //死区定时器1使能位 EvaRegs.DBTCONA.bit.DBTPS=1; //预定标因子为1 死区时间tbd=2*10/(11.25M)us=1.78us//完********* 建议将死区控制寄存器各位进行定义 ，这样便于计算死区时间*******第一个问题：不属于。txcmpr产生是gp定时器自己的，而比较单元产生pwm使用的是自己比较单元的cmprx。所以不属于。第二个问题（回答有点长，您耐心点，因为我想写通俗点，不用专业词汇。）：在我回答前，您要要知道产生pwm的大概原理，通俗点说就是，gp定时器里有一个计数器在一边计数，一边和定时器自己的比较寄存器里的数进行比较（小于比较寄存器的数，txpwm引脚电平不变，大于则变），（天哪！我现在才看到您这个问题是09年提出来的，不知道我现在回答您会不会看了，或者您的这问题已经想通了。但是我都写了那么多了，还是继续写吧。）如果是连续递增模式计数下，计数器计数到周期寄存器的值，则变为0，重新计数。这就是pwm的工作原理。第三个问题：（这个问题回答更长）其实附加波形就分别是那3个比较单元产生的pwm的镜像。如第一个比较单元pwm为高电平时，附加pwm就为低电平。这是由硬件自己搞定的，你只要把3个比较单元pwm设置好，硬件自动产生附加pwm。但是死区时间要自己设置。您在使用dsp的时候要好好想想为什么ti公司要这样设计dsp？其实3个比较单元产生带死区的6路pwm是用于控制3相全桥电路的，用于控制交流电机（至于为什么要花那么大功夫去控制交流电机，这个您得好好了解，很有好处，这里我就不多解释了）。先解释一下什么是死区时间吧。看看3相全桥电路——下面图12_19您要先搞懂上面的电路，就是pha1和pha2不能同时导通，也就是3路比较单元产生的pwm与各自的附加pwm不能为同时为高。下图12——20就是理想波形。但是这样是有问题的，因为开关管的开启闭合不是瞬间的。所以在pha2由高电平变为低电平的瞬间，pha1是不能直接由低电平变为高电平，要延长一段时间，而那段时间就是死区时间。死区时间采用多少？如何控制？于是便有了您提问的什么是死区控制。终于回答完了，不知道您懂了没有？您这个问题是09年的，而我是14年4月初开始接触dsp，现在时隔近5年，想必您已经在这方面有所成就了，我这个后生仔让您见笑了。
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