1，求一些5v电压就能完全导通mos管的型号最好是5v以内完全导通6

一个N沟道，一个P沟道，几毛钱一个。
支持一下感觉挺不错的

求一些5v电压就能完全导通mos管的型号最好是5v以内完全导通6

2，mos管导通电压大小是多大啊为什么mos管需要栅极驱动电路而类

三极管是【小电流控大电流】的器件。mos管是【电压控大电流】的器件， 也 就是说，前者是流控，后者是压控。
一般MOS管的饱和电压在10V，也有3-5V的，同一个MOS管通过不同的电流栅极电压也不同的。MOS管它的极间电容比较大，为了使MOS管的开关速度快和减少功耗，就要对栅极快速充放电，驱动电路就是派这个用场的。双极型三极管的极间电容不大，所以不需要类似的驱动电路了。
三极管是的器件一般就几安。mos管是大电流的器件几十或者几百安以上，三极管是通过电流控制输出。mos是小电流的电压控制mos，然后输出大电流。实际应用主要是考虑电流大小选择mos还是三极管

mos管导通电压大小是多大啊为什么mos管需要栅极驱动电路而类

3，帮我分析下这个mos管电路门极电压是多少

Q94MOS的开通电压是12V，当Q92管子导通时，Q94是截止的，当Q92截止时，加在Q94的G的电压就是R097和R098的分压，割切R097的电阻很小，可以忽略，所以MOS的门极电压是大约12V。
你图上是双极性晶体管，按你说条件算它mos型晶体管。左边栅极电压为v_do_carera/(1+5.1)，右边，当v_do_carera=1v时是12v*(510/100k)，假设你的q92在电路中能完全饱和(c极电流大于12/510)，那么当v_do_carera=1v时，大约是q92饱和压降(或者导通阻抗压降)的(510/100k)。
大约1.2v。。。。。。。。。。
从电路上看，大概11V左右。

帮我分析下这个mos管电路门极电压是多少

4，mos管导通电压和什么因素有关

导通管压降啊？跟驱动电压、导通电流、温度有关。
mos的导通电压时20v我看都没有看见过，估计你是吧gt看错了，是栅极最高承受电压，你肯定是看错了，一般来说都是不超过8v，ttl这些低电压的电平驱动场管子的话的确是要加驱动的，不加驱动很恼火，你可以用irf540n，导通电压最高时4v最低2.5v，参考值是3.5v，但是您应用的是pwm建议您用驱动芯片，在好几十k的情况下驱动mos栅极是要消耗能量的，而且随着频率的增高，您要做的推动的功率也会相应增加，驱动显得尤为重要，您这个驱动对频率是有限制的，开关电源的话，建议你还是用驱动芯片做，一般单管驱动你这样做开关是有几百ns的延迟，打开时间和关闭时间是有一定延迟的，虽然加了电容作为补偿，下降沿没有足够的栅极放电通路，频率高的时候就工作的不尽人意，我都是用半桥作为驱动的。。。。。一般外围元件加的非常少，如果要延迟开关时间的话我直接加电阻，在受到推动的管子上栅极和源极之间要加吸收电路，不然栅极容易受到尖峰电压的损坏。。。。我吃过这样的大亏。如果还有啥子问题您就hi我好了。

5，mosfet导通

这里你是没有说明两个条件，一是电源是交流还是直流的220V，这个电压很容易让人想到是交流市电，交流是不能直接接到MOSFET上的；二是你的MOSFET是N还是P型的，这对判断关断还是导通有很大的影响。N型MOS一般都是用S对地，G接电压控制，接地时截止，接高于地的电压开始导通，D输出，负载是从正电源到D之间连接，也就是说管子的D到S导通，让负载的负极接到地，关断时，负载的地断开；PMOS极性相反，S接正，G仍是控制，但接正时是关断，低于正的电压才是导通，D输出时，负载一端接地，一端接D极，MOS控制的是负载的正极。假设是NMOS，导通的要求就是VGS>0(理想值)，所以可以变形出公式VG>VS，这样当你上述的条件下，VG只有5V，VS=200V，那么显而易见的说，会截止。
你的公共点在那里呢就是gnd?还有两个交流和直流是否共地的?首先你看irf4905的datasheet,其vgs(th)等于-2v就导通,就是当g比s在小2v的情况下就导通了.之前用6v交流没导通的时候,g和s的值分别是12v和6v,vgs=+6v,绝对不会导通.后面的12v交流加入的时候,g和s的值都是12v,如果你的输入交流12v是指峰值电流,他还不回导通,但如果输入的12v交流是有效值,那它峰值肯定超过12,这时候s比g的瞬时电压差大,vgs有可能小于-2v,所以会导通.而且,如果不共地的话,没有参考点那两者电压比较就成了随机数,导通不导通就是随机的了!

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