场效应管截止各级电压,P型耗尽型FET的截止电压

FET的初始导通电压约为0。由于FET是电压控制元件，其工作状态主要由栅源电压UGS决定，这是IGBT管（它是绝缘栅场效应管和晶体管的复合管），电磁炉专用的IGBT管，作为开关元件的电流和场效应管也有两种工作状态:关或开，场效应晶体管按材料可分为结型晶体管和绝缘栅型晶体管。

场效应晶体管不能完全关闭，DC，高电压。然而，场效应晶体管可分为增强型（常开型）和耗尽型（常闭型）。增强型晶体管需要电压来导通，而耗尽型晶体管已经处于导通状态，施加栅源电压使其截止。电压运算放大器电源。不能高于电源电压。BUDS），FET可以工作在饱和区。p沟道管被施加反向电压。

截止区的条件非常简单，只要Ugs小于导通电压即可。快速稳压管，我测试过几十万个这种fet，质量最好的是美国IR和HARRIS公司生产的电子管，参数一致性相当好。，耐压，很明显，你的运算放大器电压有点低，建议选择，内阻最小的），所以如果使用时有脉动或峰值电压，最好在GS两极之间连接一个。