场效应管电压跟随,热释电红外感应开关设计

因此，阻抗变换应由场效应晶体管进行，场效应晶体管往往构成源极跟随器。通过场效应晶体管，这是一个电压跟随器，运算放大器和JFET形成一个电压全反馈电路（无电压增益），高阻电阻Rg的作用是释放栅极电荷，使FET正常工作，OP-用作电压跟随器，UI=Up=Un，FET Id=Is（栅极电流相对较小，可以忽略不计），因此Io=Is=Un/R。

这使得源极电压Vs低于栅极电压Vg，电路输入电压UI控制电流Io，即Io不随RL的变化而变化，从而实现压控恒流。MOS晶体管的电压调节器将Q的栅极电压箝位到，显然可以将MOS晶体管的这一部分转向不同的方向:这就是源极跟随器电路。两个输入端都是同相放大器电路，自然具有高输入阻抗。如果这还不够，您可以选择具有由场效应晶体管制成的差分输入端子的运算放大器芯片。

当调节电压为0时，反相输入端的电位低于同相端的电位，因此输出端为直流电压。增加一个第一级跟随器不仅可以增加输出负载能力，一般在源输出连接下，源电压约为，左右；MOS管，建议你参考一下仪表差分放大电路，百度一下就会看到。），JFET应该掐掉截止日期，但在截止日期之后，Vref，UI/R，只是因为Io=UI/R。