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1，以下标称的电阻和电容的数量值是多少

铝电解电容的容量精度比较常见的是M值（+/-20%）和K值（+/-10%），其中又以M值居多。 你这个应该是M值的。
一般是没问题的，卖散片处理器的商家很多都是把自己的易碎贴贴在处理器背面的电容上的，不影响处理器稳定运行和正常使用。

以下标称的电阻和电容的数量值是多少

2，电子电路中最常用的电阻和电容都是多大值的

数字电路中最常用的是0.1或0.01uF的电容,电阻最常用的是10K左右上拉电阻和1K左右限流,有事在输入、输出脚之间经常接100或200欧姆电阻.

电子电路中最常用的电阻和电容都是多大值的

3，主板电容的电阻是多少

电容的直流电阻应该是无穷大的。应为万用表的电阻测量档向外提供电源，测量时等于给电容加了一个阶跃变化的电压，你测量时有的电阻大，有的电阻小，是给电容充电过程中反应出的阻值变化。电容大的充电时间长，反应出的电阻小，电容小的充电时间短，反应出的电阻大；有人专门利用这个原理（电容的充放电时间）来估算电容的值。
一般是十几个到上百个不等，电容就是判断一块板好坏，用料是否重足的一个标准。主板越好电容越多。

主板电容的电阻是多少

4，电解电容内阻一般多大为合格

电解电容的电阻值为无穷大。根据查询相关资料信息显示，电容的阻值差别很大，它和电容的质量、使用的介质、精密度、耐压有关，25伏1微法电解电容的电阻值为500千欧姆，同样25伏1微法云母电容的电阻值为无穷大。

5，薄膜电容器的适用电阻是多少

薄膜电容器在电场作用下消耗的能量，通常用损耗功率和电容器的无功功率之比，即损耗角的正切值表示，损耗角越大，薄膜电容器的损耗越大，损耗角大的电容不适于高频情况下工作由于薄膜电容两极之间的介质不是绝缘体，它的电阻不是无限大，薄膜电容材料，而是一个有限的数值，薄膜电容供应商，一般在1000兆欧以上，漏电电阻越小，漏电越严重，电容漏电会引起能量损耗，这种损耗不仅影响电容的寿命，而且会影响电路的工作，因此漏电电阻越大越好
你好！薄膜电容器在电场作用下消耗的能量，通常用损耗功率和电容器的无功功率之比，即损耗角的正切值表示，损耗角越大，薄膜电容器的损耗越大，损耗角大的电容不适于高频情况下工作。仅代表个人观点，不喜勿喷，谢谢。

6，电容的阻值为多少

电容的电阻值为无穷大。电容的阻值差别很大，它和电容的质量、使用的介质、精密度、耐压有关，一般25伏1微法电解电容的电阻值为500千欧姆左右，同样25伏1微法云母电容的电阻值一般为无穷大。对直流电路，电容的电阻值为无穷大。对交流电路，电容的电阻值与交流的频率和电容容量有关，称为容抗。有计算公式的。电容电阻就是电阻和电容合并起来的说法，因为用到电阻的地方差不多都需要电容。所以就叫电容电阻。导体对电流的阻碍作用就叫该导体的电阻。电阻在电路中起分压、分流、限流等作用。电容是表征电容器容纳电荷的本领的物理量，非导电体的下述性质:当非导电体的两个相对表面保持某一电位差时（如在电容器中），由于电荷移动的结果，能量便贮存在该非导电体之中。电容在电路中起滤波、耦合、旁路、定时、谐振等作用。

7，常规放大电路的电阻电容应选多大的

音频放大电路中，以电源5V为例，一般来说， 电阻： 1.上偏 几十K到100多K左右 2. 下偏5K到20K之间 3.RC 1到5K之间 4.Re 几百欧到几K之间 电容：1.输入和输出一般都在0.1到10微法之间 2.发射极旁路电容一般在0.01到微法级之间 3.退耦电容在100微法及以上
负反馈电阻 是用来稳定静态工作点用的 抑制温飘 并联电解电容多是交流旁路电容为交流信号提供通路。　　放大电路（amplification circuit）能够将一个微弱的交流小信号（叠加在直流工作点上），通过一个装置（核心为三极管、场效应管），得到一个波形相似（不失真），但幅值却大很多的交流大信号的输出。实际的放大电路通常是由信号源、晶体三极管构成的放大器及负载组成。

8，请问各电容的承受电压是电阻是几w的

电容的承受电压都在 电容的外皮上洗着 电阻 的w数 一般是根据体积来的 小的 0.5的大点的1w 还有 5w的 这个需要 看实物了
电 压 河水之所以能够流动，是因为有水位差；电荷之所以能够流动，是因为有电位差。电位差也就是电压。电压是形成电流的原因。在电路中，电压常用u表示。电压的单位是伏（v），也常用毫伏（mv）或者微伏（uv）做单位。1v=1000mv，1mv=1000uv。 电阻的定义 一电路欲阻止电流通过，同时使电能转换为热能之性质，谓之电阻。电阻以 表示，单位为欧姆或简称欧，以希腊字母 ω （ omega ）表示。导体内部有大量 的自由电子，当电压施于导体的两端时，会导致电流的产生，但此一电流不可能 无限制的增加，此乃因为当电荷流经某一材料时，必承受其电阻，此种阻力被消 耗转变成为热能了。 所谓电容，就是容纳和释放电荷的电子元器件。电容的基本工作原理就是充电放电， 当然还有整流、振荡以及其它的作用。另外电容的结构非常简单，主要由两块正负电极和 夹在中间的绝缘介质组成，所以电容类型主要是由电极和绝缘介质决定的。在计算机系统 的主板、插卡、电源的电路中，应用了电解电容、纸介电容和瓷介电容等几类电容，并以 电解电容为主。

9，电子电路中最常用的电阻和电容都是多大值的

实际上 每种电路中 电阻 电容 的作用不同 所用到得 阻值 容量 都各有不同 比如 并非量产的高精度的仪器设备 某些元器件会在其 理论值 的基础上 在跟据 某些元件 的 个体差异 进行调整 再比如 音箱的分频器 内的 电容 是根据所需 分频点 的不同 进行调整的 电阻 是根据 电阻与电容构成的阻抗补偿网络 使音箱的 阻抗曲线平坦 度 来调整的 也就并无常用值一说
电阻r3是射极交直流负反馈电阻，是用来稳定qi的工作点和展宽q1工作频率范围的，同时也提高q1的输入阻抗，电阻r2是射极直流负反馈电阻，是用来稳点q1的直流工作点的，电容c2是射极交流旁路电容器，是为流经q1 射极的输入和输出的交流信号提供旁路的，也是为了减少交流信号的损失。
数字电路中最常用的是0.1或0.01uF的电容，电阻最常用的是10K左右上拉电阻和1K左右限流，有事在输入、输出脚之间经常接100或200欧姆电阻。
电阻：从0.01欧至100M欧电容：从5P至4700uF这只是大概范围

10，高压瓷片电容器的绝缘电阻是多少

高压瓷片电容器的绝缘电阻取决于介质材料配方、工艺过程（烧结）和测量时的温度所有介质的绝缘电阻都会随温度的提高而下降，在低温（-55℃）到高温（125℃）的MIL温度特性范围内可以观察到一个非常大的下降过程测量瓷片电容器绝缘电阻的时需要重点考虑绝缘电阻与电容量的关系电容量值与绝缘电阻成反比，即电容量越高，绝缘电阻越低这是因为电容量与漏电流大小是相互成正比的，可以用欧姆定律和比体积电容关系加以说明欧姆定律表述了导体中电流（I），电压（V）和电阻（R）之间的关系：I=V/R但是，电阻（R）是一个与尺寸有关的物理量，也与材料本征的电阻率有关，如下所示：R=ρL/A这里L=导体长度A=导体横截面积因此电流（I）可以表示为：I=VA/ρL高压瓷片电容器中通过绝缘体的漏电流（i）也可用上述关系式表示：I=VA/ρt，这里V=测试电压A=有效电极面积ρ=介质电阻率t=介质层厚度从上面关系式可以看到，对于给定的测试电压，漏电流大小正比于电容器有效电极面积，反比于介质层厚度（和电阻率），即：i∝A/t类似地，电容量（C）正比于有效电极面积，反比于介质层厚度，即：C=KA/4.452t（这里K=介电常数A=有效电极面积t=介质层厚度）因此C∝A/t以及i∝C漏电流（i）与绝缘电阻成反比，即：IR∝1/C基于上述关系，可以归纳出以下几点：1．绝缘电阻是测试电压的函数，漏电流正比于外加电压：i=VA/ρt或IR=ρt/VA2.对于任意给定的电容器，绝缘电阻很大程度上依赖于介质材料本征的电阻率（ρ），也依赖于材料配方和测量时的温度3.电容器绝缘电阻（IR）的测量值与电容量成反比，也就是说，IR是电容量的函数，因此，工业应用中产品IR的最小标准是由电阻（R）和容量（C）,（R×C），所决定的，如下表所示EIA标准要求产品在25℃时R×C超过1000欧姆-法拉（通常表示成1000兆欧-微法），在125℃时超过100欧姆-法拉瓷谷电子-高压瓷片电容器厂家，专业生产CG安规电容及高压瓷片电容器30年，生产的高压瓷片电容器规格型号多，全自动生产设备及检测设备在行业领先出货快，钻石品质本着安全的安规电容生产，为科技守护美好生活，更好的守护我们身边最爱的人的安全
电容器的直流绝缘电阻是无穷大，对直流有电阻那就是漏电

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