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1，MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少

正常驱动10-15，不要超过20V。 开启的阈值电压4-5V。 关断最好有-5到-10V，或者保持低阻。

MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少

2，013um工艺中Pmos和Nmos的阈值电压一般为多少

1.2V电压下nmos 0.31Vpmos -0.279V

013um工艺中Pmos和Nmos的阈值电压一般为多少

3，请教MOS管阈值电压

for NMOS VSB>0.for PMOS VSB<0and VT=VT0 GAMMA[rsq(VSB PHI)-rsq(PHI)],so you can see their relationship.

请教MOS管阈值电压

4，MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少

阈值电压受衬偏效应的影响，即衬底偏置电位，零点五微米工艺水平下一阶mosspice模型的标准阈值电压为nmos0.7vpmos负0.8，过驱动电压为Vgs减Vth。

5，关于PMOS栅源电压

vds是漏源电压，不是栅源电压。pmos 漏源最大vds=-30v，表示漏极与源极之间耐压为30v，前面有负号表示p沟道的mos管电压极性是相反的（与n沟道相比）。
你的H桥是P-Nmos管组合的那种吧，保证栅源电压小于20V可以在栅源之间并上一个稳压二极管来钳制栅源电压。N管同样如此

6，nMOSpMOS的阈值电压是多少

nMOS：Vth=0.7V ，pMOS：Vth=-0.8V。MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。由于刚出现强反型时，表面沟道中的导电电子很少，反型层的导电能力较弱，因此，漏电流也比较小。在实际应用中往往规定漏电流达到某一值( 如50μA)时的栅源电压为阈值电压。从使用角度讲，希望阈值电压Vm小一些好。阈值电压是决定MOSFET能否导通的临界栅源电压，因此，它是MOSFET的非常重要参数。扩展资料：对于理想的增强型MOSFET（即系统中不含有任何电荷状态，在栅电压Vgs = 0时，半导体表面的能带为平带状态）。阈值电压可给出为VT = ( SiO2层上的电压Vi ) + 2ψb = －[2εεo q Na ( 2ψb )] / Ci + 2ψb ,式中Vi ≈ (耗尽层电荷Qb) / Ci，Qb =－( 2εεo q Na [ 2ψb ] )，Ci是单位面积的SiO2电容，ψb是半导体的Fermi势（等于本征Fermi能级Ei与Ef之差）。参考资料：百度百科-晶体管阈值电压

7，在相同工艺条件下为什么PMOS型晶体管的阈值电压较NMOS型晶体

?更多图片(1张)电压等级（voltage class）电力系统及电力设备的额定电压级别系列。额定电压是电力系统及电力设备规定的正常电压，即与电力系统及电力设备某些运行特性有关的标称电压。电力系统各点的实际运行电压允许在一定程度上偏离其额定电压，在这一允许偏离范围内，各种电力设备及电力系统本身仍然能正常运行。中文名：电压等级
支持一下感觉挺不错的

8，MOSFET现在电压最高是多少

你是指cmos集成电路中的mosfet导通电压么？对于cmos电路来说，导通电压左右，也就是阈值电压是与工艺有关的。例如0.35um的工艺，pmos的阈值电压为-0.7v左右，nmos小一些，可能0.6v左右。工艺越先进，阈值电压越小，例如0.18um，pmos的阈值电压可能只有-0.4v左右，nmos更小一些，可能0.3v左右。
这个电压等级你用IGBT啊，高压的MOSFET损耗很大的

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