反激vrcd一般为多少，反激式高频变压器参数计算公式
来源：整理 编辑：亚灵电子网 2024-01-15 22:43:14
本文目录一览
1，反激式高频变压器参数计算公式
算法有很多,差异也很大.书上基本都有说到,只要电压,负载,效率,三个达到要求就可以,都是死公式来着确定参数就可以算出来了.
2，RCD吸收电路的RCD吸收电路的设计
一﹑首先对mos管的VD进行分段：Ⅰ，输入的直流电压VDC；Ⅱ，次级反射初级的VOR；Ⅲ，主MOS管VD余量VDS；Ⅳ，RCD吸收有效电压VRCD1。二﹑对于以上主MOS管VD的几部分进行计算：Ⅰ，输入的直流电压VDC。在计算VDC时，是依最高输入电压值为准。如宽电压应选择AC265V，即DC375V。VDC=VAC *√2Ⅱ，次级反射初级的VOR。VOR是依在次级输出最高电压,整流二极管压降最大时计算的，如输出电压为：5.0V±5%（依Vo =5.25V计算），二极管VF为0.525V（此值是在1N5822的资料中查找额定电流下VF值）．VOR=(VF +Vo)*Np/NsⅢ，主MOS管VD的余量VDS．VDS是依MOS管VD的10%为最小值．如KA05H0165R的VD=650应选择DC65V．VDS=VD* 10%Ⅳ，RCD吸收VRCD．MOS管的VD减去Ⅰ，Ⅲ三项就剩下VRCD的最大值。实际选取的VRCD应为最大值的90%（这里主要是考虑到开关电源各个元件的分散性，温度漂移和时间飘移等因素得影响）。VRCD=(VD-VDC -VDS)*90%注意：① VRCD是计算出理论值，再通过实验进行调整，使得实际值与理论值相吻合．② VRCD必须大于VOR的1.3倍．（如果小于1.3倍，则主MOS管的VD值选择就太低了）③ MOS管VD应当小于VDC的2倍．（如果大于2倍，则主MOS管的VD值就过大了）④ 如果VRCD的实测值小于VOR的1.2倍，那么RCD吸收回路就影响电源效率。⑤ VRCD是由VRCD1和VOR组成的Ⅴ，RC时间常数τ确定．τ是依开关电源工作频率而定的，一般选择10~20个开关电源周期。三﹑试验调整VRCD值首先假设一个RC参数，R=100K/RJ15, C=10nF/1KV。再上市电，应遵循先低压后高压，再由轻载到重载的原则。在试验时应当严密注视RC元件上的电压值，务必使VRCD小于计算值。 如发现到达计算值，就应当立即断电，待将R值减小后，重复以上试验。（RC元件上的电压值是用示波器观察的，示波器的地接到输入电解电容“+”极的RC一 点上，测试点接到RC另一点上）一个合适的RC值应当在最高输入电压，最重的电源负载下，VRCD的试验值等于理论计算值。四﹑试验中值得注意的现象输入电网电压越低VRCD就越高，负载越重VRCD也越高。那么在最低输入电压，重负载时VRCD的试验值如果大于以上理论计算的VRCD值，是否和（三）的内容相矛盾哪？一点都不矛盾，理论值是在最高输入电压时的计算结果，而现在是低输入电压。重负载是指开关电源可能达到的最大负载。主要是通过试验测得开关电源的极限功率。RCD吸收电路与RC电路的比较采用RC、RCD吸收电路也可以对变压器消磁，这时就不必另设变压器绕组与二极管组成的去磁电路。变压器的励磁能量都在吸收电阻中消耗掉。RC与RCD吸收电路不仅消耗变压器漏感中蓄积的能量，而 且也消耗变压器励磁能量，因此降低了变换器变换效率。RCD吸收电路是通过二极管对开关电压嵌位，效果比RC好，它也可以采用较大电阻，能量损耗也比RC 小。RCD吸收电路的影响1.RCD电容C偏大电容端电压上升很慢，因此导致mos 管电压上升较慢，导致mos管关断至次级导通的间隔时间过长，变压器能量传递过程较慢，相当一部分初级励磁电感能量消耗在RC电路上 。2.RCD电容C特别大（导致电压无法上升至次级反射电压）电容电压很小，电压峰值小于次级的反射电压，因此次级不能导通，导致初级能量全部消耗在RCD电路中的电阻上，因此次级电压下降后达成新的平衡，理论计算无效了，输出电压降低。3.RCD电阻电容乘积R×C偏小电压上冲后，电容上储存的能量很小，因此电压很快下降至次级反射电压，电阻将消耗初级励磁电感能量，直至mos管开通后，电阻才缓慢释放电容能量，由于RC较小，因此可能出现震荡，就像没有加RCD电路一样。4.RCD电阻电容乘积R×C合理，C偏小如果参数选择合理，mos管开通前，电容上的电压接近次级反射电压，此时电容能量泄放完毕，缺点是此时电压尖峰比较高，电容和mos管应力都很大5.RCD电阻电容乘积R×C合理，R，C都合适在上面的情况下，加大电容，可以降低电压峰值，调节电阻后，使mos管开通之前，电容始终在释放能量，与上面的最大不同，还是在于让电容始终存有一定的能量。
3，反激开关电源输出电容的容量怎么算
对一般的反激式Flyback电源，如果是宽电压输入的，可按2~3uF/W计算如功率是50W的，电容可以用~uF的当然电容越大，保持时间也越大如果是低电压，如90~V的，可按1uF~2uF/W计算。硬之城上面应该有这个，可以去看看有没有教程之类的，因为毕竟上面的技术资料型号等都很全面也是最新的，所以能解决很多问题。
4，vray室内灯光一般光强多少
一：直行暗藏灯：在前视图画出vraylight(注意在不同场合有不同方向，比如天花暗藏处灯光要向上打，也有向前的打法和向下的打法)，强度一般控制在5左右测试合适为止。灯光调整为不可见。二：异形暗藏灯：像有造型的灯槽是不能用vrlight打的，可以通过一些替代物去施加自发光，通过这些可以制造出异形暗藏灯。举个例子，比如天棚上有一个圆形灯槽，利用上述方法打一个暗藏灯带1：在顶视图上画出一个圆形，将其厚度加粗2在修改面板中点选：在渲染中启用和在试图中启用3：将其捕捉对齐到圆形暗槽内4：然后将物体随便赋予一个材质5：设成vray自发光材质(vraylight)6:更改其颜色适当增加倍增7：右击该对象选择对象属性将产生阴影，接受阴影，还有可见性都关闭还有对摄像机可见也关闭。三：丝路介绍室内射灯打法1：该种灯光使用的是光度学灯光下面的目标点光源2：倍增：根据场景大小和灯距离程度不同可以自由设置参数，一般在以CD为单位下大小在800到3000不等，如果墙跟筒灯之间的距离太近可以适当拉远注意：1：阴影下面的启动要点选，类型为vray阴影2：在强度颜色分布下面的分布中要选择web3：不要把vray区域阴影下的面积阴影打开，这样会消耗很多时间，同时也会出现很多杂点。四;各式灯箱灯柱灯柱设置技法步骤：1：将灯箱赋予材质在基础上追加VRAY灯光材质)2：在下面的none中加入一张灯箱贴图，3：在vray材质基础上追加材质包裹材质这个时候会发现灯箱里面的图片不清晰，要想改变其清晰程度则，在自发光中将倍增降低到0.5左右，然后在包裹器下面将产生GI提高到2左右即可造成即让灯箱变亮有没有色溢。五：各式吊灯(吸顶灯)台灯，壁灯设置技法吊灯打法：通常采用比较多的打法就是采用泛光灯去打，此种打法适合对效果图质量要求不是很好且时间很少的时候采用此种打法，即在不需要打开阴影的情况下，泛光灯强度给到1左右，打开远距衰减使用把开始设为0让一开始就产生衰减，结束的范围比灯的体积大一些即可。想要给灯其营造一个好的氛围最好是用vraylight来做，步骤：1画出一个vraylight，类型采用球形，大小比吊灯大一些2:拉到合适位置调节颜色和倍增(0.5左右)且勾选灯光的不可见性吸顶灯打法：跟吊灯一下，要是用vr灯光去打把灯往上拉，只让灯光的一般露出即可。台灯打法：除了跟前面的两种灯光打法一样外还可以用自由点光源去创建。只要加入一张台灯的广域网即可(数值给到500左右)。再有就是它的阴影选择的是标准阴影，最后就是点击修改面板下方参数中的排除，将台灯自身的物体排除在外避免造成不必要的阴影。壁灯打法：其打法跟台灯和吊灯基本相同天空光与阳光搭配的设置模拟环境一：利用天空光和MXS自身的灯光(目标平行光或者Iesun )注意，在利用这两种光配合时候目标平行光和iesun都要打开阴影且类型都要是VR阴影，否则会发现场景中很曝!二：利用vrsun和vrsky (vr天空光，是一张贴图)其中它们的参数设置Vrsun中浊度给到15，强度倍增0.02Vrsky 中浊度给到5，强度倍增给到0.03三：利用vrlight和max自身的平行光来结合注意，在加入vrlight之后细分之要给高，大约50左右，否则会出现斑点倍增器给到2左右，勾选其不可见性。颜色适当给天蓝色这种组合方式在制作大的场景是耗时比较多，但是同时也是最常用的一种组合方式注意打vrlight时候位置要注意灯光方向不能调错四：把窗口的灯光调整为自发光材质在类型下面就三种方式：分别是平面，穹顶和球体1：当选择平面是参数解析选项：双面：点选此即两面都发光不可见：勾选灯光本身不可见，通常都是勾选忽略灯光法线：点选说明越靠近灯光照射越强，越远离灯光照射越强，会起到过度的效果 ，如果不选则不存在衰减，灯光会比较强，通常情况下可以保持默认不点选。不衰减：若将其勾选则会发现上面强度等都失效此时它的灯光强度受到环境影响存储到发光贴图：若将其勾选则在计算光子文件的时其速度会下降，但是最后出图速度会上升影响漫射：若将其取消就相当于将灯光的开关关闭影响镜面：若取消则其对物体表面照射不产生高光采样细分：这个数值是用于控制物体表面色和杂点的情况的，通常情况此数值越大杂点越少阴影偏移：通常也可以保持默认2： 穹顶下参数详解一般情况下在做室外时候用到的，在此只讲解一个选项含义当点选最下面的球行方式的时候此时的灯光即为一个完整的穹天效果。3： 选择球模式其内部蚕食跟平面模式下差不多，通常用来模仿壁灯台灯的效果VR阴影实际是对MAX自身的灯光而言的，比如在Vrlight和Vrsun 中它们都是带有自身的阴影的，其阴影默认就是VR阴影。以光度学灯光下的目标点光源为例：创建之后，在常规参数下有阴影类型，默认时候为阴影贴图，但是当改成VR阴影的时候其渲染速度比较快且质量比较好。选择之后会出现参数：当勾选时候要想让半透明物体或透明物体有正确的影音，首先半透明物体要是VR材质，其次要把折射参数下的阴影影响打开。光滑表面的阴影：主要是对物体表面进行平滑受光处理，效果不是很明显。偏移：后面的参数可以保持默认区域阴影：不勾选可以看出阴影是很清晰的，若勾选阴影的边缘是比较模糊的下面的立方体和球体通常可以保持默认
5，3843做反激开关电源RT是75KCT是01UF频率是多少怎么计算
和3842一样，频率是1.8/RT*CT，你这个=1.8 / 7.5K * 0.1=2.4 KHz ，对于铁氧体磁芯来说太低频率，CT应该是0.01UF才是，这样频率为24K，不过这个IC驱动MOS的话最好把频率升到50K以上，功率密度提高很多，同样的变压器铁心输出功率大很多。
6，单端反激变换电路一般用于多大功率
单端反激变换电路一般用于输出功率不大于200w、并且是没有空载的应用场合。单端反激式电路功率在200w以下较容易实现，想做到500w较难，主要是开关变压器很难设计，磁芯、开关管也不好选，工作频率、散热等也不好解决。200w—400w可用单端正激式，400w以上用推挽式、半桥式或全桥式电路。
7，反激开关电压问题
这个可能你要先处理好反馈电路没有问题，特别是光藕和TL431之间的部分。假定原副边的匝比为n，在原边开关管截至时，开关管的高压端电压为vin(dc)+nvo，nvo即为反激到原边的电压。在反激电源的工作原理中，原边开关管截至时，变压器能量传递，次级二极管导通，次级绕组两端的电压，会“折射”到原边（用同名端对电位），叠加在开关管高压端。同理当原边开关管导通时，次级二极管是截至的，二极管上的电压除了输出电压vo，还有原边“折射”过来的电压vin(dc)/n，及vo+【vin(dc)/n】。所以，匝比的设计，除了影响占空比，也影响着原边开关管及次级二极管的应力选择。
8，单端反激 输入电容计算公式
《开关电源优化设计》，沙占友著，这本书上有输入滤波电容、输出滤波电容计算公式。电容降压电源原理和计算公式 这一类的电路通常用于低成本取得非隔离的小电流电源.它的输出电压通常可在几伏到三几十伏,取决于所使用的齐纳稳压管.所能提供的电流大小正比于限流电容容量.采用半波整流时,每微法电容可得到电流(平均值)为:(国际标准单位) i(av)=0.44*v/zc=0.44*220*2*pi*f*c =0.44*220*2*3.14*50*c=30000c =30000*0.000001=0.03a=30ma 如果采用全波整流可得到双倍的电流(平均值)为: i(av)=0.89*v/zc=0.89*220*2*pi*f*c =0.89*220*2*3.14*50*c=60000c =60000*0.000001=0.06a=60ma 一般地,此类电路全波整流虽电流稍大,但是因为浮地,稳定性和安全性要比半波整流型更差,所以用的更少. 使用这种电路时,需要注意以下事项: 1、未和220v交流高压隔离,请注意安全,严防触电! 2、限流电容须接于火线,耐压要足够大(大于400v),并加串防浪涌冲击兼保险电阻和并放电电阻. 3、注意齐纳管功耗,严禁齐纳管断开运行.
9，反激电路RCD参数怎么计算
一、首先对MOS管的VD进行分段：ⅰ，输入的直流电压VDC；ⅱ，次级反射初级的VOR；ⅲ，主MOS管VD余量VDS；ⅳ，RCD吸收有效电压VRCD1。 二、对于以上主MOS管VD的几部分进行计算：ⅰ，输入的直流电压VDC。在计算VDC时，是依最高输入电压值为准。如宽电压应选择AC265V，即DC375V。 VDC＝VAC *√2ⅱ，次级反射初级的VOR。VOR是依在次级输出最高电压,整流二极管压降最大时计算的，如输出电压为：5.0V±5%（依Vo =5.25V计算），二极管VF为0.525V（此值是在1N5822的资料中查找额定电流下VF值）．VOR＝(VF +Vo)*Np/Nsⅲ，主MOS管VD的余量VDS．VDS是依MOS管VD的10%为最小值．如KA05H0165R的VD=650应选择DC65V．VDC＝VD* 10%ⅳ，RCD吸收VRCD．MOS管的VD减去ⅰ，ⅲ三项就剩下VRCD的最大值。实际选取的VRCD应为最大值的90%（这里主要是考虑到开关电源各个元件的分散性，温度漂移和时间飘移等因素得影响）。VRCD＝(VD-VDC -VDS)*90%注意：① VRCD是计算出理论值，再通过实验进行调整，使得实际值与理论值相吻合．② VRCD必须大于VOR的1.3倍．（如果小于1.3倍，则主MOS管的VD值选择就太低了）③ MOS管VD应当小于VDC的2倍．（如果大于2倍，则主MOS管的VD值就过大了）④ 如果VRCD的实测值小于VOR的1.2倍，那么RCD吸收回路就影响电源效率。⑤ VRCD是由VRCD1和VOR组成的ⅴ，RC时间常数τ确定．τ是依开关电源工作频率而定的，一般选择10~20个开关电源周期。三、试验调整VRCD值首先假设一个RC参数，R=100K/RJ15, C=10nF/1KV。再上市电，应遵循先低压后高压，再由轻载到重载的原则。在试验时应当严密注视RC元件上的电压值，务必使VRCD小于计算值。如发现到达计算值，就应当立即断电，待将R值减小后，重复以上试验。（RC元件上的电压值是用示波器观察的，示波器的地接到输入电解电容“＋”极的RC一点上，测试点接到RC另一点上）一个合适的RC值应当在最高输入电压，最重的电源负载下，VRCD的试验值等于理论计算值。四、试验中值得注意的现象输入电网电压越低VRCD就越高，负载越重VRCD也越高。那么在最低输入电压，重负载时VRCD的试验值如果大于以上理论计算的VRCD值，是否和（三）的内容相矛盾哪？一点都不矛盾，理论值是在最高输入电压时的计算结果，而现在是低输入电压。重负载是指开关电源可能达到的最大负载。主要是通过试验测得开关电源的极限功率。五、RCD吸收电路中R值的功率选择R的功率选择是依实测VRCD的最大值，计算而得。实际选择的功率应大于计算功率的两倍。
文章TAG：
一般反激vrcd一般为多少 反激式高频变压器参数计算公式
