1,k40t120场效应管参数

k40t120场效应管参数为1200V40。为AN沟道场效应管。作用于铁路电力管道中,提高输电效率和稳定性。

k40t120场效应管参数

2,k40t120和k40t1202区别

参数不同,电压不同。1、参数不同。k40t120的参数为200乘200规格,k40t1202的参数为180乘200规格。2、电压不同。k40t120电压为5安,k40t1202为6安。

k40t120和k40t1202区别

3,k40t1202和fgl40n120这两个igbt都是参数一样吗为什么体积大小不一

参数不一样,因为电压支持不同,所以粗细规格也不同。40N150是40A/1500V。而40N120是40A/1200V。扩展资料IGBT工作方法IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率。因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征,IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性,但是在高电平时,功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降,转换成一个低VCE(sat)的能力,以及IGBT的结构,同一个标准双极器件相比,可支持更高电流密度,并简化IGBT驱动器的原理图。参考资料:百度百科——IGBT

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