mos 尖峰电压一般取多少，高压MOS和低压MOS是怎么区分的高压的是多少V以上低压的最多是多少V

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1，高压MOS和低压MOS是怎么区分的高压的是多少V以上低压的最多是多少V
2，典型MOS管的阈值电压是多少
3，设计开关电源时开关管的耐压VDS如何取值

1，高压MOS和低压MOS是怎么区分的高压的是多少V以上低压的最多是多少V

1、电压不同高压mos管电压在400V~1000V左右，低压mos管在1~40V左右。2、反应速度不同耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。扩展资料：MOS管这个器件有两个电极，分别是漏极D和源极S，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+/P+区，并用金属铝引出漏极D和源极S。然后在漏极和源极之间的N/P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅（Si02）绝缘层膜，在再这个绝缘层膜上装上一个铝电极，作为栅极G。这就构成了一个N/P沟道（NPN型）增强型MOS管。做电源设计，或者做驱动方面的电路，难免要用到MOS管。MOS管有很多种类，也有很多作用。做电源或者驱动的使用，当然就是用它的开关作用。无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。参考资料来源：百度百科—MOS管

高压MOS和低压MOS是怎么区分的高压的是多少V以上低压的最多是多少V

2，典型MOS管的阈值电压是多少

MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，它是MOSFET的重要参数之一。MOS管的阈值电压等于背栅和源极接在一起时形成沟道需要的栅极对source偏置电压。如果栅极对源极偏置电压小于阈值电压，就没有沟道。阈值电压通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压.在描述不同的器件时具有不同的参数。如描述场发射的特性时，电流达到10mA时的电压被称为阈值电压。扩展资料：MOS管其发热情况有以下三点：1、电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的最忌讳的错误。2、频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。3、没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于最大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。4、MOS管的选型有误，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。参考资料来源：百度百科-阈值电压百度百科-mos管

典型MOS管的阈值电压是多少

3，设计开关电源时开关管的耐压VDS如何取值

反激式开关电源开关管受到的电压为三部分：1、电源电压，220V的峰值为 380V2、复位电压，变压器反冲电压和漏感形成的反电动势。管子复位需要承受的附加电压，这个跟管子的开关占空比有关，占空比越大，复位电压越高。占空比0.4（Dmax）的一般没功率矫正的120-130V，有功率校正的 163-253V。如果管子耐压不够高，要降低复位电压，就把占空比做小，一般小功率的小电源占空比可以做的小些。占空比小，意味着提供电流的时间短，开关输入电容承受的脉冲电流更大些，需要选择的电容要更大一点，耐受脉冲电流也要大一些。占空比不能太小。太小效率不高。3、尖峰电压，没功率矫正的100-150V，有功率矫正的 150-200V不等上面三个电压再加个余量50VVd= 380+250+200=830V。没功率矫正，电压小点Vd= 380+130+150=660V例如220V电压下限176V时，输出电压占空比为0.2，那么高电压时，复位电压不变，占空比就到0.12了。这个占空比太小，让电源效率非常糟糕。所以提高mos的耐压，可以提高占空比。改善性能效率。85V-265V国际交流电压等级（电流断续）的反激式电源管子耐压数据参考下：D为占空比的最大值和最小值，最大值是100V的占空比，最小值时370V高峰的占空比。600V D0.5-0.21 复位电压100V，尖峰电压80V,安全余量 50V650V D0.55-0.245 复位电压 120V,尖峰电压110V，余量 50V700V D0.57-0.26 复位电压 130V,尖峰电压150V，余量 50V800V D0.67-0.35 复位电压 200V,尖峰电压200V，余量 50V我们基本时220V电压，所以D的最大值很少达到，比较靠近最小值。开关占空比小效率差。例如选600V的管子，可能工作再0.20多些，而用800V管子，可以工作在接近0.4而带PFC的功率因子校正耐压要求更高，因为功率校正回让Vmin保持在接近最大值，所以开关D接近没PFC的最小值。复位电压高。600V D0.208-0.208 复位100V 尖峰80 余量50650V D0.24-0.24 复位120V 尖峰110V 余量50V800V D0.345-0.345 复位200 尖峰200 余量50一般国用的都是 600-650V左右的管子。而且占空比小些，这样就满足要求了。自己做的不计成本的话，用好点就不容易击穿。前面加入保险管，滤波，雷击等吸收电路，保证后面不受大电压冲击。大功率的做个功率校正，更节能绿色环保。

设计开关电源时开关管的耐压VDS如何取值