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1，晶体管参数网站

http://ic.chinadz.com/tdaten.asp

晶体管参数网站

2，i7处理器多少个晶体管

7.31亿个。i7是一款8核16线程，2.3-4.6GHz的芯片，三级缓存达到了24MBi711800h。是由7.31亿个的晶体管制作而成的，属于现代芯片中的高端产品。

i7处理器多少个晶体管

3，1G的RAM需要多少晶体管

按最常用的1T/1C（一个晶体管/一个电容）为基本单元结构的DRAM，管子数目约等于容量。1GB=8Gbit=8*10E9，即约80亿个晶体管。
这是手机硬件配置，就像你电脑的内存和硬盘是多少容量一样，只不过手机的不可选装而已，你可以去关注一下手机配置，通过对比就知道价格多少了

1G的RAM需要多少晶体管

4，高通骁龙8gen2多少晶体管

大约为200亿只。上一代骁龙8+和8gen1晶体管数量超过170亿只，台积电n4工艺密度为1.78亿每平方毫米，现在n4p工艺的骁龙8gen2会超越这个密度，所以高通骁龙8gen2晶体管数量大约为200亿只。骁龙8gen2是高通所发布的最新一代4nm手机芯片，也是目前性能最强的安卓手机处理器之一。

5，晶体管是什么

晶体管是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。 晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一，在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“GB”等）表示。 谈到晶体管，也许很多人会感到很陌生．然而，就是小小的晶体管的发明给电子学带来了一场革命．这场革命发展之迅速、波及范围之广泛，完全超出了人们的想象

6，mi100晶体管数量

mi100晶体管数量今晚AMD刚刚发布了7nm CDNA架构的MI100加速卡，NVIDIA这边就推出了A100 80GB加速卡。虽然AMD把性能夺回去了，但是A100 80GB的HBM2e显存也是史无前例了。NVIDIA今年3月份发布了安培架构的A100加速卡（名字中没有Tesla了），升级了7nm工艺和Ampere安培架构，集成542亿晶体管，826mm2核心面积，使用了40GB HBM2显存，带宽1.6TB/s。NVIDIA现在的A100 80GB加速卡在GPU芯片上没变化，依然是A100核心，6912个CUDA核心，加速频率1.41GHz，FP32性能19.5TFLOPS，FP64性能9.7TFLOPS，INT8性能624TOPS，TDP 400W。变化的主要是显存，之前是40GB，HBM2规格的，带宽1.6TB/s，现在升级到了80GB，显存类型也变成了更先进的HBM2e，频率从2.4Gbps提升到3.2Gbps，使得带宽从1.6TB/s提升到2TB/s。对游戏卡来说，这样的显存容量肯定是浪费了，但是在高性能计算、AI等领域，显存很容易成为瓶颈，所以翻倍到80GB之后，A100 80GB显卡可以提供更高的性能，NVIDIA官方信息称它的性能少则提升25%，多则提升200%，特别是在AI训练中，同时能效也提升了25%。

7，奔腾e5300有多少个晶体管

Intel Pentium E5300处理器采用最新的45nm工艺制造，主频为2.6GHz，外频为200MHz，倍频为13 采用双核心设计，由4.1亿个晶体管组成，核心架构为Wolfdale，相比之前45nm Conroe架构性能毫不逊色。采用LGA775接口，一级数据缓存为32KBytes，共享2MB的二级缓存，支持800MHz前端总线，支持MMX、SSE、SSE2、SSE3、SSSE3、 EM64T多媒体指令集。

8，第一台计算机有多少个晶体管

答案是 1946年,美国研制成世界上第一台真正意义上的数字电子计算机 - ENIAC (...Hoff在Intel公司开发成功第一块微处理器4004,它只有2300个晶体管
1954年，美国贝尔实验室研制成功第一台使用晶体管线路的计算机，取名“催迪克”（tradic），装有800个晶体管。晶体管计算机是第二代电子计算机。在20世纪50年代之前第一代，计算机都采用电子管作元件。电子管元件在运行时产生的热量太多，可靠性较差，运算速度不快，价格昂贵，体积庞大，这些都使计算机发展受到限制。于是，晶体管开始被用来作计算机的元件。晶体管不仅能实现电子管的功能，又具有尺寸小、重量轻、寿命长、效率高、发热少、功耗低等优点。使用晶体管后，电子线路的结构大大改观，制造高速电子计算机就更容易实现了。第一代计算机（电子管计算机）使用的是“定点运算制”，参与运算数的绝对值必须小于1；而第二代计算机（晶体管计算机）增加了浮点运算，使数据的绝对值可达2的几十次方或几百次方，计算机的计算能力实现了一次飞跃。同时，用晶体管取代电子管，使得第二代计算机体积减小，寿命大大延长，价格降低，为计算机的广泛应用创造了条件。[1] 希望能帮组你

9，电脑cpu和手机cpu哪个晶体管多

当然是电脑的CPU比较多。电脑的CPU因为体积比较大，工艺也比较先进，所以说呢晶体管数量是比较多的。
因为架构不同，电脑CPU的复杂程度远大于手机，晶体管数量数量也是相去甚远。
这个不一定的，i7 8700k就是22亿晶体管，而麒麟980和苹果a12处理器就有69亿晶体管。晶体管数量要看核心面积和工艺。现在i7的工艺是14nm，而手机cpu则早就进入7nm时代了。因为手机的功耗控制要求更严格，所以工艺要更先进才行。7nm工艺集成度是远高于14nm的。电脑cpu性能是要比手机强的，因为电脑cpu的电压、频率都要高很多，没有功耗限制。而并不是晶体管数量少就一定性能差。cpu性能还由cpu架构决定，电脑cpu架构的ipc更高，即同频性能更强（举个例子，电脑1ghz频率的性能就和手机3ghz性能差不多，这里我只是举例，数据不一定准确）所以晶体管数量不决定cpu性能。手机cpu晶体管多，因为这样的话相比增加频率更加节能经济
其实都重要，但更重要的 是硬件，
手机处理器多，但不能表示手机强，光大小电脑处理器就比手机处理器大的多，构架也完全不同，所以十多亿晶体管的电脑CPU无脑秒杀手机cpu

10，晶体管有几种工作状态

“晶体管”，英文是transistor；“逻辑”，英文是logic；输入级和输出级都采用晶体管的逻辑电路，叫做晶体管－晶体管逻辑电路，书刊和实用中都简称为TTL电路，它属于半导体集成电路的一种，其中用得最普遍的是TTL与非门。TTL与非门是将若干个晶体管和电阻元件组成的电路系统集中制造在一块很小的硅片上，封装成一个独立的元件.晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一，在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“GB”等）表示。 晶体管是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。 一、晶体管的种类 晶体管有多种分类方法。 （一）按半导体材料和极性分类 按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。 （二）按结构及制造工艺分类 晶体管按其结构及制造工艺可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶体管。 （三）按电流容量分类 晶体管按电流容量可分为小功率晶体管、中功率晶体管和大功率晶体管。 （四）按工作频率分类 晶体管按工作频率可分为低频晶体管、高频晶体管和超高频晶体管等。 （五）按封装结构分类 晶体管按封装结构可分为金属封装（简称金封）晶体管、塑料封装（简称塑封）晶体管、玻璃壳封装（简称玻封）晶体管、表面封装（片状）晶体管和陶瓷封装晶体管等。其封装外形多种多样。 （六）按功能和用途分类 晶体管按功能和用途可分为低噪声放大晶体管、中高频放大晶体管、低频放大晶体管、开关晶体管、达林顿晶体管、高反压晶体管、带阻晶体管、带阻尼晶体管、微波晶体管、光敏晶体管和磁敏晶体管等多种类型。 二、晶体管的主要参数 晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。 （一）电流放大系数 电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管放大能力。 根据晶体管工作状态的不同，电流放大系数又分为直流电流放大系数和交流电流放大系数。 1．直流电流放大系数 直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放大倍数，是指在静态无变化信号输入时，晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值，一般用hFE或β表示。 2．交流电流放大系数 交流电流放大系数也称动态电流放大系数或交流放大倍数，是指在交流状态下，晶体管集电极电流变化量△IC与基极电流变化量△IB的比值，一般用hfe或β表示。 hFE或β既有区别又关系密切，两个参数值在低频时较接近，在高频时有一些差异。 （二）耗散功率 耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。 耗散功率与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。晶体管在使用时，其实际功耗不允许超过PCM值，否则会造成晶体管因过载而损坏。 通常将耗散功率PCM小于1W的晶体管称为小功率晶体管，PCM等于或大于1W、小于5W的晶体管被称为中功率晶体管，将PCM等于或大于5W的晶体管称为大功率晶体管。 （三）频率特性 晶体管的电流放大系数与工作频率有关。若晶体管超过了其工作频率范围，则会出现放大能力减弱甚至失去放大作用。 晶体管的频率特性参数主要包括特征频率fT和最高振荡频率fM等。 1．特征频率fT 晶体管的工作频率超过截止频率fβ或fα时，其电流放大系数β值将随着频率的升高而下降。特征频率是指β值降为1时晶体管的工作频率。 通常将特征频率fT小于或等于3MHZ的晶体管称为低频管，将fT大于或等于30MHZ的晶体管称为高频管，将fT大于3MHZ、小于30MHZ的晶体管称为中频管。 2．最高振荡频率fM 最高振荡频率是指晶体管的功率增益降为1时所对应的频率。 通常，高频晶体管的最高振荡频率低于共基极截止频率fα，而特征频率fT则高于共基极截止频率fα、低于共集电极截止频率fβ。 （四）集电极最大电流ICM 集电极最大电流是指晶体管集电极所允许通过的最大电流。当晶体管的集电极电流IC超过ICM时，晶体管的β值等参数将发生明显变化，影响其正常工作，甚至还会损坏。 （五）最大反向电压 最大反向电压是指晶体管在工作时所允许施加的最高工作电压。它包括集电极—发射极反向击穿电压、集电极—基极反向击穿电压和发射极—基极反向击穿电压。 1．集电极—发射极反向击穿电压 该电压是指当晶体管基极开路时，其集电极与发射极之间的最大允许反向电压，一般用VCEO或BVCEO表示。 2．集电极—基极反向击穿电压 该电压是指当晶体管发射极开路时，其集电极与基极之间的最大允许反向电压，用VCBO或BVCBO表示。 3．发射极—基极反向击穿电压 该电压是指当晶体管的集电极开路时，其发射极与基极与之间的最大允许反向电压，用VEBO或BVEBO表示。 （六）反向电流 晶体管的反向电流包括其集电极—基极之间的反向电流ICBO和集电极—发射极之间的反向击穿电流ICEO。 1．集电极—基极之间的反向电流ICBO ICBO也称集电结反向漏电电流，是指当晶体管的发射极开路时，集电极与基极之间的反向电流。ICBO对温度较敏感，该值越小，说明晶体管的温度特性越好。 2．集电极—发射极之间的反向击穿电流ICEO ICEO是指当晶体管的基极开路时，其集电极与发射极之间的反向漏电电流，也称穿透电流。此电流值越小，说明晶体管的性能越好
TTL与非门是将若干个晶体管和电阻元件组成的电路系统集中制造在一块很小的硅片上，封装成一个独立的元件.晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一，在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“GB”等）表示。 晶体管是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。 一、晶体管的种类 晶体管有多种分类方法。 （一）按半导体材料和极性分类 按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。 （二）按结构及制造工艺分类 晶体管按其结构及制造工艺可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶体管。 （三）按电流容量分类 晶体管按电流容量可分为小功率晶体管、中功率晶体管和大功率晶体管。 （四）按工作频率分类 晶体管按工作频率可分为低频晶体管、高频晶体管和超高频晶体管等。 （五）按封装结构分类 晶体管按封装结构可分为金属封装（简称金封）晶体管、塑料封装（简称塑封）晶体管、玻璃壳封装（简称玻封）晶体管、表面封装（片状）晶体管和陶瓷封装晶体管等。其封装外形多种多样。 （六）按功能和用途分类 晶体管按功能和用途可分为低噪声放大晶体管、中高频放大晶体管、低频放大晶体管、开关晶体管、达林顿晶体管、高反压晶体管、带阻晶体管、带阻尼晶体管、微波晶体管、光敏晶体管和磁敏晶体管等多种类型。 二、晶体管的主要参数 晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。 （一）电流放大系数 电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管放大能力。 根据晶体管工作状态的不同，电流放大系数又分为直流电流放大系数和交流电流放大系数。 1．直流电流放大系数 直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放大倍数，是指在静态无变化信号输入时，晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值，一般用hFE或β表示。 2．交流电流放大系数 交流电流放大系数也称动态电流放大系数或交流放大倍数，是指在交流状态下，晶体管集电极电流变化量△IC与基极电流变化量△IB的比值，一般用hfe或β表示。 hFE或β既有区别又关系密切，两个参数值在低频时较接近，在高频时有一些差异。 （二）耗散功率 耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。 耗散功率与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。晶体管在使用时，其实际功耗不允许超过PCM值，否则会造成晶体管因过载而损坏。 通常将耗散功率PCM小于1W的晶体管称为小功率晶体管，PCM等于或大于1W、小于5W的晶体管被称为中功率晶体管，将PCM等于或大于5W的晶体管称为大功率晶体管。 （三）频率特性 晶体管的电流放大系数与工作频率有关。若晶体管超过了其工作频率范围，则会出现放大能力减弱甚至失去放大作用。 晶体管的频率特性参数主要包括特征频率fT和最高振荡频率fM等。 1．特征频率fT 晶体管的工作频率超过截止频率fβ或fα时，其电流放大系数β值将随着频率的升高而下降。特征频率是指β值降为1时晶体管的工作频率。 通常将特征频率fT小于或等于3MHZ的晶体管称为低频管，将fT大于或等于30MHZ的晶体管称为高频管，将fT大于3MHZ、小于30MHZ的晶体管称为中频管。 2．最高振荡频率fM 最高振荡频率是指晶体管的功率增益降为1时所对应的频率。 通常，高频晶体管的最高振荡频率低于共基极截止频率fα，而特征频率fT则高于共基极截止频率fα、低于共集电极截止频率fβ。 （四）集电极最大电流ICM 集电极最大电流是指晶体管集电极所允许通过的最大电流。当晶体管的集电极电流IC超过ICM时，晶体管的β值等参数将发生明显变化，影响其正常工作，甚至还会损坏。 （五）最大反向电压 最大反向电压是指晶体管在工作时所允许施加的最高工作电压。它包括集电极—发射极反向击穿电压、集电极—基极反向击穿电压和发射极—基极反向击穿电压。 1．集电极—发射极反向击穿电压 该电压是指当晶体管基极开路时，其集电极与发射极之间的最大允许反向电压，一般用VCEO或BVCEO表示。 2．集电极—基极反向击穿电压 该电压是指当晶体管发射极开路时，其集电极与基极之间的最大允许反向电压，用VCBO或BVCBO表示。 3．发射极—基极反向击穿电压 该电压是指当晶体管的集电极开路时，其发射极与基极与之间的最大允许反向电压，用VEBO或BVEBO表示。 （六）反向电流 晶体管的反向电流包括其集电极—基极之间的反向电流ICBO和集电极—发射极之间的反向击穿电流ICEO。 1．集电极—基极之间的反向电流ICBO ICBO也称集电结反向漏电电流，是指当晶体管的发射极开路时，集电极与基极之间的反向电流。ICBO对温度较敏感，该值越小，说明晶体管的温度特性越好。 2．集电极—发射极之间的反向击穿电流ICEO ICEO是指当晶体管的基极开路时，其集电极与发射极之间的反向漏电电流，也称穿透电流。此电流值越小，说明晶体管的性能越好
三种。
有三种状态：分别是1、截止状态2、放大状态3、饱和状态
1.截止状态 2.放大状态3.饱和状态

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