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1，三极管的饱和管压降理论值为多少

还是哥跟你说吧。这个木有理论值。型号不同就不确定。是测出来的，在共集电极情况下大约是VB=VC恰好处于饱和与放大区时的值，测出来的。嘿嘿···是不是哦，伟大的斌哥。记得采纳！！！
O.7V

三极管的饱和管压降理论值为多少

2，三极管在一般状态深度饱和状态时各极之间的压降分别是多少

数电答法？三极管一般状态，饱和状态be间电压可认为恒定0.7v。ce之间的电压在一般状态时和饱和状态时，电压压差也应该恒定（只是饱和时和一般状态的具体值不一样，饱和时压差低一些）。具体的深度饱和电压与具体的型号有关，一般0.3v（功放类的大一些为1点多伏）

三极管在一般状态深度饱和状态时各极之间的压降分别是多少

3，三极管的压降

是撒 电压的本质就是点与点之间的压差撒 不过发射集的电压是1.7-1V哈不是1.7-1 应该是你的笔误吧
由于三极管基极电流很小，可以忽略不计，所以左边的电阻可以看成与三极管并联。并联电路各支路电压相等，互不干扰，所以求三级管压降跟左边电阻没有关系

三极管的压降

4，数字万用表测三极管压降值降低比如新的在550用过的在470能

单独测量元件？还是测量正在电路上工作的电压？前者表示元件品质已下降。后者可能因为参数有差异，例如换成放大倍数大的管子电压会低些。
单纯用万用表，不用其它辅助电路。只能根据万用表电阻档测量的电阻值来估算三极管的正向压降。硅管压降在0.7v左右，锗管0.2v左右。

5，如何计算三极管饱和压降

饱和压降就是当晶体管达到饱和导通时晶体管集电结（饱和压降就是：当晶体管达到饱和导通时晶体管集电结（ C）与发射结（E）之间的电位差。 压降就是：两点之间的电位差。 饱和。按照书上的解释就是：在一定的温度和压力下，溶液内所含被溶解物质的量已达到最大限度，不能在溶解了。也可以说是：事物发展到最高限度。这里所讲的饱和就是完全的意思。饱和导通：就是完全导通。
三极管的饱和压降一般是常数，硅管约为0.3V，锗管约为0.·1V
测试三极管饱和压降vce(sat)，顾名思义就是测试三极管在饱和状态时vce的数值。具体到某一个型号的三极管，测它的饱和压降，有具体的测试条件。例如：2sc3852是一个低饱和压降的三极管。它的测试条件中规定了要在ic=2a,ib=50ma条件下测试vce的数值。

6，三极管在放大状态时集电极从十几伏是怎样降到几伏电压

1、三极管本身就是电流放大，当基极电流增大时，集电极电流变化将是放大倍数*基极电流变化，如果放大倍数为200，那么集电极将是200倍的基极电流变化，电流增大，集电极负载电压就会升高，三极管上的电压就降低了。2、三极管的基极电流增加，集电极负载没有变化，电流将不再增大，使得三极管的工作点上移进入了饱和区，完全进入了饱和状态后的三极管CE间的电压就是三极管的饱和压降，一般只有零点几伏，其电压主要加载到集电极电阻上去了。
是这样的，你说的没错，的确是当ib增大ic也增大集电极上偏置电阻把电流换成电压，欧姆定律u=i*r那应该是电压增大，这里有一点你忽略了，那就是输出电压是uce，而不是集电极上偏置电阻上的电压u（rc），uce = vcc - u（rc），由该式可知，直流电源vcc的电压是不变的，当urc增加时，uce必然减小，这就是输入和输出电压反相的原因；之所以发射极与基极同相的原因指的是输入输出电流的同相，需要注意的是在反相对象指的是电压，同相对象指的是电流，不要混为一谈。

7，什么叫三极管管压降

1、三极管管压降就是指集电极与发射极的电压。2、一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。3、晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。扩展资料：一、对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e 、基极b 和集电极c。二、当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Eb。三、压降：1、负载两端的电势差（电位差）就可以认为是电压降。电压降是电流流动的推动力。如果没有电压降，也就不存在电流的流动。2、例如，A点的电势（同0电位的电势差）是2V，B点的电势是8V，那么，A对B点来说，压降就是-6V，或者站在B点说A点压降就是6V。四、放大原理1、发射区向基区发射电子（1）、电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。（2）、同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。2、基区中电子的扩散与复合（1）、电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。（2）、也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。参考资料：百度百科-三极管参考资料：百度百科-压降
1. 管压降就是指集电极与发射极的电压。2. 三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。3. 晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
弱弱的问题。万用表黑笔接地，红表笔分别测量bce极电压不就成了。 切什么?当三极管导通后be ce极就有0.7v的电压,这就是三极管的压降.对于半导体材料硅管导通电压0.7v,锗管0.3v万用表测得be电压后,基极减去集电极电压就是0.7.

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