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1，显卡的mos耐高温么

你好！显卡mos是耐高温的一般烧卡要100度左右正常用也得7、80度你的显卡为啥不上一体式水冷头？是公版还是非公版？若是非公版那就只能贴散热片再加个小风扇持续吹风散热mos温度高也会使周边元器件的散热不好所以一定要做好显卡供电部分的散热希望对你有所帮助，望采纳。

显卡的mos耐高温么

2，大家常说多少安培的MOS耐压多少伏特的MOS具体是指MOS管的

Mosfet参数含义说明 Features: 1、Vds： DS击穿电压.当Vgs=0V时，MOS的DS所能承受的最大电压 Rds(on)：DS的导通电阻.当Vgs=10V时，MOS的DS之间的电阻 Id： 最大DS电流.会随温度的升高而降低 Vgs: 最大GS电压.一般为：-20V~+20V 2、Idm: 最大脉冲DS电流.会随温度的升高而降低，体现一个抗冲击能力，跟脉冲时间也有关系 3、Pd: 最大耗散功率 4、Tj: 最大工作结温，通常为150度和175度 Tstg: 最大存储温度 Iar: 雪崩电流 5、Ear: 重复雪崩击穿能量 6、Eas: 单次脉冲雪崩击穿能量 BVdss： DS击穿电压 7、Idss: 饱和DS电流，uA级的电流 Igss: GS驱动电流，nA级的电流. gfs: 跨导 8、Qg: G总充电电量 Qgs: GS充电电量 Qgd: GD充电电量 9、Td(on): 导通延迟时间，从有输入电压上升到10%开始到Vds下降到其幅值90%的时间 Tr: 上升时间，输出电压 VDS 从 90% 下降到其幅值 10% 的时间 Td(off): 关断延迟时间，输入电压下降到 90% 开始到 VDS 上升到其关断电压时 10% 的时间 10、Tf: 下降时间，输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时间 ( 参考图 4) 。 Ciss: 输入电容，Ciss=Cgd + Cgs. Coss: 输出电容，Coss=Cds +Cgd. Crss: 反向传输电容，Crss=Cgc.

大家常说多少安培的MOS耐压多少伏特的MOS具体是指MOS管的

3，MOS管的各项参数表示什么意思

在MOS管的参数中有许多的英文符号单位，刚接触的人可能一下区分不出这些符号代表什么意思，这里具体解释一下各参数的含义。Vds也就是电压，这是MOS管极限参数表示MOS管漏极与源极之间的最大电压值。值得注意的是，该参数与结温有关，通常结温越高，该值最大。Rds(on)漏源导电阻，表示MOS管在一定条件下导通时，泄漏极之间的导通电阻。这个参数和MOS管结温，驱动电压Vgs相关。在一定范围内，结温越高，Rds驱动电压越高，Rds越小。Id漏极电流通常有几种不同的描述方法。根据工作电流的形式，连续泄漏电流和一定脉宽的脉冲泄漏电流(Pulsed drain current)。这个参数同样是MOS管一个极限参数，但这个最大电流值并不意味着泄漏电流可以在运行过程中达到这个值。这意味着当壳体温度在一定值时，如果MOS管如果工作电流为上述最大泄漏电流，结温将达到最大值。因此，该参数还与设备包装和环境温度有关。Vgs这也是栅源最大的驱动电压MOS管极限参数表示MOS管一旦驱动电压超过这个极限值，即使在很短的时间内，也会对栅极氧化层造成永久性伤。一般来说，只要驱动电压不超过极限，就不会有问题。然而，在某些特殊情况下，由于寄生参数的存在，它将是正确的Vgs需要特别注意电压的不可预测影响Idm最大脉冲DS电流.它会随着温度的升高而降低，反映抗冲击性，这也与脉冲时间有关Pd最大耗散功率Tj最大工作温度通常为150度和175度Tstg最大存储温度Iar雪崩电流gfs跨导，是指泄漏电极输出电流与栅源电压变化之比，是栅源电压控制泄漏电流的能力。Qg在驱动信号的作用下，栅极电压从0V上升至终止电压(如15V)所需的充电电荷。也就是说，MOS管驱动电路从截止状态到完全导通状态所需的电荷是评估MOS管驱动电路驱动能力的主要参数。QgsG总充电电量Ear重复雪崩击穿能量Eas重复雪崩击穿能量BVdss雪崩击穿电压IdssIDSS表示泄漏电流，栅极电压VGS=0、VDS一定值时漏源，mA级IgssIGSS表示栅极驱动漏电流，越小越好，对系统效率影响较小，uA级的电流Qgd栅漏充电(考虑到Miller效应)电量Td(on)延迟时间，从输入GS电压上升到 10%，开始到 VDS 下降到其幅值 90%。Tr上升时间，输出电压 VDS 时间从90%下降到10%。Td(off)关闭延迟时间，从输入GS电压下降到 90%到 VDS 上升到其关断电压时 10%的时间。Tf下降时间，输出电压VDS时间从10%上升到90%Ciss输入电容，Ciss=Cgd Cgs. 短接泄漏源，用交流信号测量的栅极与源极之间的电容为输入电容。Ciss由栅漏电容Cgd和栅源电容Cgs并联而成。Coss输出电容，Coss=Cds Cgd. 用交流信号测量的泄漏极与源极之间的电容器短接栅源。Coss由漏源电容Cds并联网源电容。Crss反向传输电容，Crss=Cgc.在源极接地的情况下，测量漏极与栅极之间的电容相当于反向传输电容（Cgd越低越好）

MOS管的各项参数表示什么意思


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