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1，场效应管IRF460在逆变器应用当中栅极驱动电压为几伏望指教

一般采用10V电压即可让其导通

场效应管IRF460在逆变器应用当中栅极驱动电压为几伏望指教

2，IRF540场效应管的控制极加多少伏电压

这要看你这个管是干什么的了。如果是放大器,偏置分压有3--4v便行。如果是开关电路,在开时G极所加的控制电压要在15V以上。但不要大于19V。
查irf540的规格书，得到最低电压是2.0v，最高是4.0v由此，让540导通的电压可以认为4.0v；安全的控制电压是正负20v，超过有烧坏危险。

IRF540场效应管的控制极加多少伏电压

3，三极管uce指的是哪段电压怎么算

它是指集电极供电电源（对地）的电压，称vcc。基极供电电源电压（如果有的话）称vbb。发射极供电电源电压（如果有的话）称vee。　　注意它们不是发射极、基极、集电极上的电压，而是电源电压，三极管放大的是信号，不能放大电源，电源是由稳压源、电池等能源提供的。
Uce指的是集电极与发射极之间的电压。图中由于发射极没有串接电阻，所以Uce=Vcc-Ib*B*Rc=Ic*Rc如果发射极串联有电阻，则Uce=Vcc-Ic*（Rc+Re）

三极管uce指的是哪段电压怎么算

4，谁知道这款的具体参数和大概价钱三极管的型号IRFP460A

280w大功率金属氧化物场效应晶体管，电流20a，电压500v，导通电阻0.27ohm。按参数找一个差不多的就行。手册：http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irfp460a.pdf
IRFP460A为功率ＭＯＳ管，参数为（Vdss=500V, Rds(on)max=0.27ohm, Id=20A，Pcw=280W）可以用２ＳＫ１４１１或２ＳＫ１６８０代替！大概价格在５.０元！

5，电磁炉IGBT的G极工作电压应该在什么范围内是正常

IGBT的规格书是要求正负20V，但设计时G极对E极最好控制在+20，-15内。
正常情况下，目前所有IGBT删射极开通电压均在15V左右。。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。

6，场效应管IRFP460管子上面还写着Y94T是什么意思

基本信息： FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：270 毫欧 @ 12A, 10V 漏极至源极电压(Vdss)：500V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：20A Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250μA 闸电荷(Qg) @ Vgs：210nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：4200pF @ 25V 功率 - 最大：260W 安装类型：通孔封装/外壳：TO-247AD 可以代换IRFP460 的有：K2698、24N50等
原因是缓冲板烧坏了一个场效管，造成电流大，过流保护而黑屏。

7，irfp460工作原理

IRFP460：是TO247封装形式（塑封，样子像7805稳压集成块一样，单列三脚直插），参数：VDSS为500V，ID为21A，RDS为0.27欧姆。内部D极与S极有反向保护二极管。　　FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物　　开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：270 毫欧 @ 12A, 10V　　漏极至源极电压(Vdss)：500V　　电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：20A　　Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250μA　　闸电荷(Qg) @ Vgs：210nC @ 10V　　在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：4200pF @ 25V　　功率 - 最大：260W　　安装类型：通孔　　封装/外壳：TO-247AD　　包装：管件　　其它名称：IRFP460IX
这个就是NMOS管，内部D极与S极有反向保护二极管。当G极电压大于S极是，管子导通；反之，闭合。你分析这个管子的时候就当普通的NMOS管去分析就好了。
irfp460参数：rds=0.22ω,id=20a,vdss=500v,vdgr=500v.管子有字的一面向上，引脚对自己中间是d，左边是g，右边是s。用万用表rx100档测量，d到s是一个二极管，d为负端s为正端，g到d和s都不通。
场效应管，代替三极管要调整工作点

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