1，0100等于多少

零
还有其它说明吗？例如：是否带符号乘法？

0100等于多少

2，三极管参数Vces是什么意思

vcc是电路的直流供电电压，vce是三极管的集电极与发射极之间的电压，vces是三极管工作于饱和状态时，集-射极之间的电压。

三极管参数Vces是什么意思

3，微分dcox等于多少

dcosx=(cosx)′dxdcosx=-sinxdx
微分d(0)等于0d(c)=0c为常数

微分dcox等于多少

4，晶体管饱和压降Vces是什么

三极管一般处于放大区工作，计算的时候一般从发射结压降入手，硅管0.7V，锗管0.2V，去算出vce。 但三极管同样有截止区与饱和区，当发射结与集电结都正偏的时候，三极管处于饱和区，此时vce是个常数，即饱和压降，取0.2V～0.3V。

5，现在10000韩圆等于多少人民币

10000 韩元 = 78.109 人民币( 1 韩元 = 0.007人民币 , 1 人民币 = 128.025韩元)
10000 韩元 = 79.109 人民币

6，三极管参数Vces是什么意思

　　三极管在饱和区工作时集电极与发射极之间的饱和(saturate,Vces中的s就是此缩写)压降；　　三极管的参数解释　　λ---光谱半宽度　　VF---正向压降差　　Vz---稳压范围电压增量　　av---电压温度系数　　a---温度系数　　BV cer---基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压　　BVcbo---发射极开路，集电极与基极间击穿电压　　BVceo---基极开路，CE结击穿电压　　BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压　　BVebo--- 集电极开路EB结击穿电压　　Cib---共基极输入电容　　Cic---集电结势垒电容　　Cieo---共发射极开路输入电容　　Cies---共发射极短路输入电容　　Cie---共发射极输入电容　　Cjo/Cjn---结电容变化　　Cjo---零偏压结电容　　Cjv---偏压结电容　　Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容　　CL---负载电容（外电路参数）　　Cn---中和电容（外电路参数）　　Cob---共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容　　Coeo---共发射极开路输出电容　　Coe---共发射极输出电容　　Co---零偏压电容　　Co---输出电容　　Cp---并联电容（外电路参数）　　Cre---共发射极反馈电容　　Cs---管壳电容或封装电容　　CTC---电容温度系数　　CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比　　Ct---总电容　　Cvn---标称电容　　di/dt---通态电流临界上升率　　dv/dt---通态电压临界上升率　　D---占空比　　ESB---二次击穿能量　　fmax---最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率　　fT---特征频率　　f---频率　　h RE---共发射极静态电压反馈系数　　hFE---共发射极静态电流放大系数　　hfe---共发射极小信号短路电压放大系数　　hIE---共发射极静态输入阻抗　　hie---共发射极小信号短路输入阻抗　　hOE---共发射极静态输出电导　　hoe---共发射极小信号开路输出导纳　　hre---共发射极小信号开路电压反馈系数　　IAGC---正向自动控制电流　　IB2---单结晶体管中的基极调制电流　　IBM---在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值，或交流电流的最大平均值　　IB---基极直流电流或交流电流的平均值　　Icbo---基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流　　Iceo---发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流　　Icer---基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压VCE为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流　　Ices---发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流　　Icex---发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流　　ICMP---集电极最大允许脉冲电流　　ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。　　ICM---最大输出平均电流　　Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值　　IDR---晶闸管断态平均重复电流　　ID---暗电流　　IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流　　IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流　　Iebo---基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极之间的反向截止电流　　IEM---发射极峰值电流　　IE---发射极直流电流或交流电流的平均值　　IF（AV）---正向平均电流　　IF(ov)---正向过载电流　　IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。　　IFMP---正向脉冲电流　　IFRM---正向重复峰值电流　　IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）　　IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流　　iF---正向总瞬时电流　　IGD---晶闸管控制极不触发电流　　IGFM---控制极正向峰值电流　　IGT---晶闸管控制极触发电流　　IH---恒定电流、维持电流。　　Ii--- 发光二极管起辉电流　　IL---光电流或稳流二极管极限电流　　IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流　　Iop---工作电流　　Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流　　IP---峰点电流　　IR（AV）---反向平均电流　　IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。　　IRM---反向峰值电流　　Irp---反向恢复电流　　IRRM---反向重复峰值电流　　IRR---晶闸管反向重复平均电流　　IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）　　ir---反向恢复电流　　iR---反向总瞬时电流　　ISB---二次击穿电流　　Is---稳流二极管稳定电流　　IV---谷点电流　　Izk---稳压管膝点电流　　IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流　　IZSM---稳压二极管浪涌电流　　Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流　　n---电容变化指数；电容比　　PB---承受脉冲烧毁功率　　PCM---集电极最大允许耗散功率　　Pc---集电极耗散功率　　PC---控制极平均功率或集电极耗散功率　　Pd---耗散功率　　PFT（AV）---正向导通平均耗散功率　　PFTM---正向峰值耗散功率　　PFT---正向导通总瞬时耗散功率　　PGM---门极峰值功率　　PG---门极平均功率　　Pi---输入功率　　Pi---输入功率　　PK---最大开关功率　　PMP---最大漏过脉冲功率　　PMS---最大承受脉冲功率　　PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率　　Pn---噪声功率　　Pomax---最大输出功率　　Posc---振荡功率　　Po---输出功率　　Po---输出功率　　PR---反向浪涌功率　　Psc---连续输出功率　　PSM---不重复浪涌功率　　Ptot---总耗散功率　　Ptot---总耗散功率　　PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率　　Q---优值（品质因素）　　r δ---衰减电阻　　R(th)ja----结到环境的热阻　　R(th)jc---结到壳的热阻　　r(th)---瞬态电阻　　rbb分钟Cc---基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积　　rbb分钟---基区扩展电阻（基区本征电阻）　　RBB---双基极晶体管的基极间电阻　　RBE---外接基极-发射极间电阻（外电路参数）　　RB---外接基极电阻（外电路参数）　　Rc ---外接集电极电阻（外电路参数）　　RE---射频电阻　　RE---外接发射极电阻（外电路参数）　　RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻　　RG---信号源内阻　　rie---发射极接地，交流输出短路时的输入电阻　　RL---负载电阻　　RL---负载电阻（外电路参数）　　roe---发射极接地，在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻　　Rs(rs)----串联电阻　　Rth---热阻　　Rth----热阻　　Rz(ru)---动态电阻　　Ta---环境温度　　Ta---环境温度　　Tc---管壳温度　　Tc---壳温　　td---延迟时间　　td----延迟时间　　tfr---正向恢复时间　　tf---下降时间　　tf---下降时间　　tgt---门极控制极开通时间　　tg---电路换向关断时间　　Tjm---最大允许结温　　Tjm---最高结温　　Tj---结温　　toff---关断时间　　toff---关断时间　　ton---开通时间　　ton---开通时间　　trr---反向恢复时间　　tr---上升时间　　tr---上升时间　　tstg---温度补偿二极管的贮成温度　　Tstg---贮存温度　　ts---存储时间　　ts---存贮时间　　Ts---结温　　V n---噪声电压　　V v---谷点电压　　V（BR）---击穿电压　　VAGC---正向自动增益控制电压　　VB2B1---基极间电压　　VBB---基极（直流）电源电压（外电路参数）　　VBE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降）　　VBE10---发射极与第一基极反向电压　　VBE---基极发射极（直流）电压　　VB---反向峰值击穿电压　　VCBO---基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压　　VCB---集电极-基极（直流）电压　　Vcc---集电极（直流）电源电压（外电路参数）　　VCE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下的集电极-发射极间饱和压降　　VCEO---发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压　　VCER---发射极接地，基极与发射极间串接电阻R，集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压　　VCES---发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压　　VCEX---发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压　　VCE---集电极-发射极（直流）电压　　Vc---整流输入电压　　VDRM---断态重复峰值电压　　VEBO---基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压　　VEB---饱和压降　　VEE---发射极（直流）电源电压（外电路参数）　　VF（AV）---正向平均电压　　VFM---最大正向压降（正向峰值电压）　　VF---正向压降（正向直流电压）　　VGD---门极不触发电压　　VGFM---门极正向峰值电压　　VGRM---门极反向峰值电压　　VGT---门极触发电压　　Vk---膝点电压（稳流二极管）　　VL ---极限电压　　Vn(p-p)---输入端等效噪声电压峰值　　Vn---中心电压　　VOM---最大输出平均电压　　Vop---工作电压　　Vo---交流输入电压　　Vp---穿通电压。　　Vp---峰点电压　　VRM---反向峰值电压（最高测试电压）　　VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压）　　VRWM---反向工作峰值电压　　VR---反向工作电压（反向直流电压）　　VSB---二次击穿电压　　Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压　　Vth---阀电压（门限电压）　　Vz---稳定电压　　δvz---稳压管电压漂移　　η---单结晶体管分压比或效率　　λp---发光峰值波长

7，sindx等于多少

你的意思是∫dy∫sinx dx吧？显然∫dy=y∫sinxdx= -cosx那么再代入x和y的上下限，二者相乘即可得到此二重积分的值
∫sinxdx=-∫(-sinx)dx=-cosx+C

8，摹拟电路中VCES怎样算

很多朋友问，怎样学习摹拟电路，我得回答是：看摹拟电路的书籍。朋友说，这样说太笼统了，让我仔细说1说。其实我也不知道从何说起。就把我认为该掌握的1些要点罗列1下，仅共参考，如有不妥的地方，敬请批评指正。1掌握2极管，3极管，场效应的特性和主要参数。这些是最经常使用到的器件。2掌握半桥和全桥整流的情势，最长用的RC滤波，和LC滤波和“拍”型滤波电路的利用场合，理解这些元器件的参数选取。3 掌握单管共射(共源)、共集(共漏)、共基(共栅)放大电路的组成，工作原理、特点及直流和交换等效电路分析法牢记测试3极管和场效应管的法则，并能辨认管子的管脚。4知道差模信号和共模信号的概念，双端输入和单端输入的区分，零点漂移的缘由和克服他的方法。5 通用集成运算放大器的组成、工作原理及其主要特性，学会用分析理想运放的方法。6正确理解甚么是反馈，掌握辨别电路是不是存在反馈?是正反馈还是负反馈?是交换反馈还是直流反馈，是电压反馈还是电流反馈?是串连反馈还是并联反馈?7 掌握由理想运放放大器组成的反相、同相比例电路，加法运算电路，减法运算电路、积分电路和微分电路，乘法电路，指数电路和对数电路的原理，学会设计滞后比较器。8了解频率响应和失真的概念。理解单管放大电路或运放放大电路的 f L 、 f H 计算。9掌握单门限电压比较器的电路组成、工作原理及传输特性。10 掌握正弦波振荡电路的振荡条件和 RC 桥式正弦波振荡电路的电路组成，振荡频率的计算，了解稳幅原理，知道最经常使用的典型的波形产生器电路。11 理解3点式 LC ，RC正弦波振荡电路结构及其工作原理，和石英晶体振荡器的工作原理，知道有源晶振和无源晶振的有缺点。12了解功率放大器的3种工作状态，甲类、乙类和甲乙类的工作特点和功率、效力、非线性失真的物理概念和相互关系。最长用的OTL功放电路的特点和利用场合。13掌握3相电路的特点，无功功率，有功功率，功率因数。怎样提高功率因数。14知道是么是调谐和解调。还有很多的方面都没有设计到，只是泛泛的罗列了几条，肯定需要的知识还是很多的。以后想到了再补充吧。【更多资源】

9，三极管的三大应用

http://210.45.192.19/kecheng/2005xiaoji/16/teachingplan/chapter3.htm有详细的介绍第三章 半导体三极管及其应用§3.1 双极型三极管3.1.1 半导体三极管的结构双极型半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。双极型三极管的符号在图的下方给出，发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。从外表上看两个N区,(或两个P区)是对称的，实际上发射区的掺杂浓度大，集电区掺杂浓度低，且集电结面积大。基区要制造得很薄，其厚度一般在几个微米至几十个微米。3.1.2 三极管内部的电流分配与控制 双极型半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。若在放大工作状态：发射结加正向电压，集电结加反向电压，如图所示。在发射结正偏，集电结反偏条件下，三极管中载流子的运动：(1)在VBB作用下，发射区向基区注入电子形成IEN，基区空穴向发射区扩散形成IEP。(2) 电子在基区复合和扩散，由发射区注入基区的电子继续向集电结扩散，扩散过程中少部分电子与基区空穴复合形成电流IBN。由于基区薄且浓度低，所以IBN较小。(3) 集电结收集电子，由于集电结反偏，所以基区中扩散到集电结边缘的电子在电场作用下漂移过集电结，到达集电区，形成电流ICN。(4) 集电极的反向电流，集电结收集到的电子包括两部分：发射区扩散到基区的电子——ICN，基区的少数载流子——ICBOIE=IEN+IEP 且有 IEN>>IEPIEN=ICN+IBN 且有 IEN>> IBN ，ICN>>IBN IC=ICN+ICBO IB=IEP+IBN－ICBO IE=IC+IB3.1.3 三极管各电极的电流关系 (1)三种组态 双极型三极管有三个电极，其中两个可以作为输入, 两个可以作为输出，这样必然有一个电极是公共电极。三种接法也称三种组态，见下图共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示；共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示；共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。(2)三极管的电流放大系数对于集电极电流IC和发射极电流IE之间的关系可以用系数来说明，定义: 称为共基极直流电流放大系数。它表示最后达到集电极的电子电流ICN与总发射极电流IE的比值。ICN与IE相比，因ICN中没有IEP和IBN，所以的值小于1, 但接近1，一般为0.98~0.999 。由此可得:在忽略ICBO情况下， IC 、 IE 和IB之间的关系可近似表示为：3.1.4 三极管的共射极特性曲线信号表示 信号表示（对IC 、VBE 、VCE 等意义相同）：IB 表示直流量／Ib 表示交流有效值／Ib 表示复数量／iB 表示交直流混合量／ib 表示交流变化量 1. 输入特性曲线(1) VCE=0时：b、e间加正向电压， JC和JE都正偏， JC没有吸引电子的能力。所以其特性相当于两个二极管并联PN结的特性。VCE=0V： 两个PN结并联(2) VCE>1V时，b、e间加正向电压，这时JE正偏， JC反偏。发射区注入到基区的载流子绝大部分被JC收集，只有小部分与基区多子形成电流IB。所以在相同的VBE下，IB要比VCE=0V时小。VCE>1V： iB比VCE=0V时小(3) VCE介于0~1V之间时，JC反偏不够，吸引电子的能力不够强。随着VCE的增加，吸引电子的能力逐渐增强，iB逐渐减小，曲线向右移动。0<VCE<1V: VCE增加，iB减小2. 输出特性曲线3) 饱和区：对应于VCE<VBE的区域，集电结处于正偏，吸引电子的能力较弱。随着VCE增加，集电结吸引电子能力增强，iC增大。JC和JE都正偏，VCES约等于0.3V，饱和时c、e间电压记为VCES，深度饱和时VCES约等于0.3V。饱和时的三极管c、e间相当于一个压控电阻。3. 温度对三极管特性的影响 温度升高使：（1）输入特性曲线左移 （2）ICBO增大，输出特性曲线上移 （3）β增大 3.1.5 半导体三极管的参数半导体三极管的参数分为三大类: 直流参数，交流参数，极限参数3.1.6 三极管的型号3.1.7 三极管应用三极管工作情况总结例3.1.1：判断三极管的工作状态例3.1.2：判断三极管的工作状态§3.2 基本共射极放大电路电路分析3.2.1 基本共射放大电路 1. 放大电路概念：基本放大电路一般是指由一个三极管与相应元件组成的三种基本组态放大电路。 a.放大电路主要用于放大微弱信号，输出电压或电流在幅度上得到了放大，输出信号的能量得到了加强。 b.输出信号的能量实际上是由直流电源提供的，经过三极管的控制，使之转换成信号能量，提供给负载。2. 电路组成:(1)三极管T;(2)VCC：为JC提供反偏电压，一般几~ 几十伏;(3)RC：将IC的变化转换为Vo的变化，一般几K~几十K。VCE=VCC-ICRC RC ，VCC 同属集电极回路。(4)VBB：为发射结提供正偏。 (6)Cb1，Cb2：耦合电容或隔直电容，其作用是通交流隔直流。(7)Vi：输入信号(8)Vo：输出信号 (9)公共地或共同端，电路中每一点的电位实际上都是该点与公共端之间的电位差。图中各电压的极性是参考极性，电流的参考方向如图所示。3. 共射电路放大原理4. 放大电路的主要技术指标 放大倍数／输入电阻Ri／输出电阻Ro／通频带（1）放大倍数(2) 输入电阻 Ri(3) 输出电阻Ro(4) 通频带问题1：放大电路的输出电阻小，对放大电路输出电压的稳定性是否有利？问题2：有一个放大电路的输入信号的频率成分为100 Hz~10 kHz，那么放大电路的通频带应如何选择？如果放大电路的通频带比输入信号的频带窄，那么输出信号将发生什么变化？3.2.2 放大电路的图解分析法 1. 直流通路与交流通路 静态：只考虑直流信号，即Vi=0，各点电位不变（直流工作状态）。 动态：只考虑交流信号，即Vi不为0，各点电位变化（交流工作状态）。 直流通路：电路中无变化量，电容相当于开路，电感相当于短路。 交流通路：电路中电容短路，电感开路，直流电源对公共端短路。 放大电路建立正确的静态，是保证动态工作的前提。分析放大电路必须要正确地区分静态和动态，正确地区分直流通道和交流通道。直流通路交流通路2. 静态分析例3.2.1：电路及参数如图，求Q点值例3.2.2：电路及参数如图，求Q点值(2) 静态工作点的图解分析讨论：电路参数变化对Q点的影响3. 动态分析截止失真：由于放大电路的工作点达到了三极管的截止区而引起的非线性失真。对于NPN管，输出电压表现为顶部失真。饱和失真：由于放大电路的工作点达到了三极管的饱和区而引起的非线性失真。对于NPN管，输出电压表现为底部失真。注意：对于PNP管，由于是负电源供电，失真的表现形式，与NPN管正好相反。交流负载线最大不失真输出：放大电路要想获得大的不失真输出幅度，需要输出功率和功率三角形3.2.3 放大电路的小信号模型分析法图解法的适用范围：信号频率低、幅度 较大的情况。如果电路中输入信号很小，可把三极管特性曲线在小范围内用直线代替，从而把放大电路当作线性电路处理——微变等效电路。1.三极管可以用一个模型来代替。2.对于低频模型可以不考虑结电容的影响。3.小信号意味着三极管在线性条件下工作，微变也具有线性同样的含义。 1. h参数等效电路2. 三极管共射h参数等效电路3. 参数的物理含义三极管共射简化h参数等效电路3.2.3 基本共射电路分析计算 1. 计算电压放大倍数Av2. 计算输入电阻 Ri例3.2.3：求Av ，R i，Ro例3.2.4§3.3 基本放大电路的三种组态组态一：共射电路 组态二：共集电极电路 共集电极组态基本放大电路如图所示。 (1) 直流分析(2) 交流分析放大倍数／输入电阻／输出电阻组态三：共基极放大电路共基组态放大电路如图交流、直流通路微变等效电路 共基极组态基本放大电路的微变等效电路性能指标三种组态电路比较§3.4 基本放大电路的频率响应频率失真：幅度失真和相位失真(p20-21图1.2.9) 3.4.1 RC电路的频率响应2. RC高通滤波电路3.4.2 三极管的高频等效模型三极管的频率参数fβ和fT高频等效模型的单向化 在简化混合π型模型中，因存在Cbc ，对求解不便，可通过单向化处理加以变换。密勒定理高频等效模型的单向化3.4.3 基本共射电路的频率响应高频段等效电路高频段频响波特图 低频段等效电路全频段总电压放大倍数 全频段放大倍数波特图放大电路的增益带宽积§3.5 多级放大电路3.5.1 多级放大电路 3.5.2 直接耦合多级放大电路直接耦合多级放大电路动态分析3.5.3 阻容耦合多级放大电路3.5.4 变压器耦合多级放大电路3.5.5 多级放大电路的频率响应本章总结例题1 共基电路 例题2 共集电路 例题3 共射电路 例题4 共射电路低频响应 例题5 多级放大电路1 例题6 多级放大电路2
1.用在放大电路，作电压或电流放大。2.用在振荡电路中，调制、解调或自激振荡。3.用在开关电路中，作闸流、限流或开关管。
用的很广,电视里特多,分3个级,EGB看你想了解那方面的
放大信号，开关，振荡电路。三极管可看成由两个二极管构成的，靠电场作用工作。
放大 以小电流控制大电流；开关 利用三极管的 饱和－截止 特性控制电流通断；可变电阻 在电路中可等效为受控的可变电阻发挥作用。

10，三极管参数Vces是什么意思

三极管在饱和区工作时集电极与发射极之间的饱和(saturate,Vces中的s就是此缩写)压降；　　三极管的参数解释　　λ---光谱半宽度　　VF---正向压降差　　Vz---稳压范围电压增量　　av---电压温度系数　　a---温度系数　　BV cer---基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压　　BVcbo---发射极开路，集电极与基极间击穿电压　　BVceo---基极开路，CE结击穿电压　　BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压　　BVebo--- 集电极开路EB结击穿电压　　Cib---共基极输入电容　　Cic---集电结势垒电容　　Cieo---共发射极开路输入电容　　Cies---共发射极短路输入电容　　Cie---共发射极输入电容　　Cjo/Cjn---结电容变化　　Cjo---零偏压结电容　　Cjv---偏压结电容　　Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容　　CL---负载电容（外电路参数）　　Cn---中和电容（外电路参数）　　Cob---共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容　　Coeo---共发射极开路输出电容　　Coe---共发射极输出电容　　Co---零偏压电容　　Co---输出电容　　Cp---并联电容（外电路参数）　　Cre---共发射极反馈电容　　Cs---管壳电容或封装电容　　CTC---电容温度系数　　CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比　　Ct---总电容　　Cvn---标称电容　　di/dt---通态电流临界上升率　　dv/dt---通态电压临界上升率　　D---占空比　　ESB---二次击穿能量　　fmax---最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率　　fT---特征频率　　f---频率　　h RE---共发射极静态电压反馈系数　　hFE---共发射极静态电流放大系数　　hfe---共发射极小信号短路电压放大系数　　hIE---共发射极静态输入阻抗　　hie---共发射极小信号短路输入阻抗　　hOE---共发射极静态输出电导　　hoe---共发射极小信号开路输出导纳　　hre---共发射极小信号开路电压反馈系数　　IAGC---正向自动控制电流　　IB2---单结晶体管中的基极调制电流　　IBM---在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值，或交流电流的最大平均值　　IB---基极直流电流或交流电流的平均值　　Icbo---基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流　　Iceo---发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流　　Icer---基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压VCE为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流　　Ices---发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流　　Icex---发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流　　ICMP---集电极最大允许脉冲电流　　ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。　　ICM---最大输出平均电流　　Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值　　IDR---晶闸管断态平均重复电流　　ID---暗电流　　IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流　　IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流　　Iebo---基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极之间的反向截止电流　　IEM---发射极峰值电流　　IE---发射极直流电流或交流电流的平均值　　IF（AV）---正向平均电流　　IF(ov)---正向过载电流　　IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。　　IFMP---正向脉冲电流　　IFRM---正向重复峰值电流　　IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）　　IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流　　iF---正向总瞬时电流　　IGD---晶闸管控制极不触发电流　　IGFM---控制极正向峰值电流　　IGT---晶闸管控制极触发电流　　IH---恒定电流、维持电流。　　Ii--- 发光二极管起辉电流　　IL---光电流或稳流二极管极限电流　　IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流　　Iop---工作电流　　Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流　　IP---峰点电流　　IR（AV）---反向平均电流　　IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。　　IRM---反向峰值电流　　Irp---反向恢复电流　　IRRM---反向重复峰值电流　　IRR---晶闸管反向重复平均电流　　IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）　　ir---反向恢复电流　　iR---反向总瞬时电流　　ISB---二次击穿电流　　Is---稳流二极管稳定电流　　IV---谷点电流　　Izk---稳压管膝点电流　　IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流　　IZSM---稳压二极管浪涌电流　　Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流　　n---电容变化指数；电容比　　PB---承受脉冲烧毁功率　　PCM---集电极最大允许耗散功率　　Pc---集电极耗散功率　　PC---控制极平均功率或集电极耗散功率　　Pd---耗散功率　　PFT（AV）---正向导通平均耗散功率　　PFTM---正向峰值耗散功率　　PFT---正向导通总瞬时耗散功率　　PGM---门极峰值功率　　PG---门极平均功率　　Pi---输入功率　　Pi---输入功率　　PK---最大开关功率　　PMP---最大漏过脉冲功率　　PMS---最大承受脉冲功率　　PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率　　Pn---噪声功率　　Pomax---最大输出功率　　Posc---振荡功率　　Po---输出功率　　Po---输出功率　　PR---反向浪涌功率　　Psc---连续输出功率　　PSM---不重复浪涌功率　　Ptot---总耗散功率　　Ptot---总耗散功率　　PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率　　Q---优值（品质因素）　　r δ---衰减电阻　　R(th)ja----结到环境的热阻　　R(th)jc---结到壳的热阻　　r(th)---瞬态电阻　　rbb分钟Cc---基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积　　rbb分钟---基区扩展电阻（基区本征电阻）　　RBB---双基极晶体管的基极间电阻　　RBE---外接基极-发射极间电阻（外电路参数）　　RB---外接基极电阻（外电路参数）　　Rc ---外接集电极电阻（外电路参数）　　RE---射频电阻　　RE---外接发射极电阻（外电路参数）　　RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻　　RG---信号源内阻　　rie---发射极接地，交流输出短路时的输入电阻　　RL---负载电阻　　RL---负载电阻（外电路参数）　　roe---发射极接地，在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻　　Rs(rs)----串联电阻　　Rth---热阻　　Rth----热阻　　Rz(ru)---动态电阻　　Ta---环境温度　　Ta---环境温度　　Tc---管壳温度　　Tc---壳温　　td---延迟时间　　td----延迟时间　　tfr---正向恢复时间　　tf---下降时间　　tf---下降时间　　tgt---门极控制极开通时间　　tg---电路换向关断时间　　Tjm---最大允许结温　　Tjm---最高结温　　Tj---结温　　toff---关断时间　　toff---关断时间　　ton---开通时间　　ton---开通时间　　trr---反向恢复时间　　tr---上升时间　　tr---上升时间　　tstg---温度补偿二极管的贮成温度　　Tstg---贮存温度　　ts---存储时间　　ts---存贮时间　　Ts---结温　　V n---噪声电压　　V v---谷点电压　　V（BR）---击穿电压　　VAGC---正向自动增益控制电压　　VB2B1---基极间电压　　VBB---基极（直流）电源电压（外电路参数）　　VBE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降）　　VBE10---发射极与第一基极反向电压　　VBE---基极发射极（直流）电压　　VB---反向峰值击穿电压　　VCBO---基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压　　VCB---集电极-基极（直流）电压　　Vcc---集电极（直流）电源电压（外电路参数）　　VCE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下的集电极-发射极间饱和压降　　VCEO---发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压　　VCER---发射极接地，基极与发射极间串接电阻R，集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压　　VCES---发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压　　VCEX---发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压　　VCE---集电极-发射极（直流）电压　　Vc---整流输入电压　　VDRM---断态重复峰值电压　　VEBO---基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压　　VEB---饱和压降　　VEE---发射极（直流）电源电压（外电路参数）　　VF（AV）---正向平均电压　　VFM---最大正向压降（正向峰值电压）　　VF---正向压降（正向直流电压）　　VGD---门极不触发电压　　VGFM---门极正向峰值电压　　VGRM---门极反向峰值电压　　VGT---门极触发电压　　Vk---膝点电压（稳流二极管）　　VL ---极限电压　　Vn(p-p)---输入端等效噪声电压峰值　　Vn---中心电压　　VOM---最大输出平均电压　　Vop---工作电压　　Vo---交流输入电压　　Vp---穿通电压。　　Vp---峰点电压　　VRM---反向峰值电压（最高测试电压）　　VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压）　　VRWM---反向工作峰值电压　　VR---反向工作电压（反向直流电压）　　VSB---二次击穿电压　　Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压　　Vth---阀电压（门限电压）　　Vz---稳定电压　　δvz---稳压管电压漂移　　η---单结晶体管分压比或效率　　λp---发光峰值波长
三极管在饱和区工作时集电极与发射极之间的饱和(saturate,Vces中的s就是此缩写)压降.
vcc是电路的直流供电电压，vce是三极管的集电极与发射极之间的电压，vces是三极管工作于饱和状态时，集-射极之间的电压。
CE间的饱和压降!通常功率大的饱和压降也大些!

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