芯片热阻是多少，热阻的单位到底是kw还是m2kw

1，热阻的单位到底是kw还是m2kw

平方米.开/瓦特（m2k/w）

热阻的单位到底是kw还是m2kw

2，散热器和芯片之间的热阻是多少啊

直接的话应该没有人去测算。芯片与散热器之间必须有填充物，例如硅脂或者液态金属。一般硅脂的热阻是0.05至0.2℃?in2/W左右，但受很多条件的制约，例如涂抹厚度，相对温度、湿度等等..你的问题太模糊了，所以没办法细答。

散热器和芯片之间的热阻是多少啊

3，FR4的热阻一般是多少

在Flotherm里面，默认的是导热率0.3W/(mK),但是你一般要考虑很多过孔，还有中间的铜箔，实际PCB的导热率还是很高的。

FR4的热阻一般是多少

4，目前led芯片热电阻是多少

不同的厂家，同样功率的热阻不一样，同样的厂家，功率越大，热阻会越小。亿光 AX08 17度/W的样子三星5630 17度/W CREE XPG 4度/W 等等，看你想问具体的产品。

5，一般mos管与散热片间热阻是多少

不知道你指的那种封装的，如果是常用的to220的热阻一般是0.6上下浮动

用导热贴或导热胶贴在mos管上帮助散热~

6，浅谈IC封装热阻

IC封装的热特性对于IC应用的性能和可靠性来说是非常关键的。热阻，用“theta”或θ表示， θja是在自然对流或强制对流条件下从芯片接面到大气中的热阻，专指自然条件下（没有加通风措施）的数值。由于测量是在标准规范的条件下去做的，因此对于不同的基板设计和环境条件就会有不同的结果，此值可以用于比较封装散热的容易与否，用于定性的比较。θja取决于IC封装、电路板、空气流通、辐射和系统特性，通常辐射影响可以忽略。 θjc是热由芯片接面传到IC封装外壳的热阻。封装外壳可以看做是封装外表面的一个特定点，对于塑封外壳默认取1号引脚处；对于带裸焊盘的封装，默认取焊盘中心点。θjc取决于封装材料（引线框架、模塑材料、管芯粘接材料）和特定的封装设计（管芯厚度、裸焊盘、内部散热过孔、所用金属材料的热传导率）。指从管壳到周围环境的热阻，包括从封装外表面到周围环境的所有散热通路的热阻。几个参数之间的关系可以用如下公式来表示： IC封装的热阻是衡量封装将管芯产生的热量传导至电路板或周围环境的能力的一个标准。给出不同两点的温度，则从其中一点到另外一点的热流量大小完全由热阻决定。如果已知一个IC封装的热阻，则根据给出的功耗和参考温度即可算出IC的结温。为确保产品可以有比较高的可靠性，在选择IC封装时应考虑其热管理指标。所有IC在有功耗时都会发热，为了保证器件的结温低于最大允许温度，经由封装进行的从IC到周围环境的有效散热十分重要。通过一定的技术手段和计算公式，可以得到较为准确的结(管芯)温度、管壳(封装)温度和电路板温度。集成电路在封装完成后,其热阻θjc一般就固定不变了。对热阻的测量方法总的来说可以分为两种, 直接法和间接法。红外法测试就是一种直接法,它是用红外测温仪对准发热芯片的表面,即可获得Tc、Tj,但为获得Tj需要将电路开封,可能会损伤内引线和芯片,所以直接法比较有限。间接法(也称电学法)的测量原理是利用温度敏感参数作温度指示。通常是测量某一恒定的正向小电流下的晶体管发射极与基极的电压UBE,而UBE随温度的变化是有规律可循的。对于硅器件,在绝对零度时的UBE值是1267mV,锗是800mV,误差在2%以内。由于一般IC封装时芯片接面会被封装材料盖住，而无法直接量测芯片工作时其接面发热的温度，因此热阻量测所采用的方式一般是利用组件的电性特性来量测，例如芯片上的二极管或晶体管的温度及电压特性。以二极管而言，由于其顺向偏压和温度会呈线性关系，因此可用来做为温度敏感参数。由于一般实际的芯片上并不一定有容易量测的二极管接脚，再加上许多封装需在封装实际芯片之前就要测量封装的热阻值，因此大部分是采用热测试芯片来进行封装的热阻测量的。热测试芯片的制造目前已有许多厂商的产品可供利用，一般的热测试芯片中包括了温度感应组件、加热用电阻以及用来连接的金属垫，有的芯片之间有桥式设计，可使芯片做不同面积之组合。而封装厂在测量芯片热阻时通常采用标准芯片法,就是在芯片上做几个电阻用来产生功耗,在芯片中央和其它位置放置小尺寸的晶体管,通过测量晶体管的热敏参数(正向UBE)得出芯片的温度。再由公式直接计算出热阻值。用标准芯片测量各种封装的热阻可得精确的结果。但因标准芯片的制作费用昂贵,所以只能为少数厂家所接受。利用标准的量测方法量测出的热阻值在设计应用时仍然须注意一些重点，当系统环境与标准的测试环境不同时（如PCB的大小及风速）热阻值会有所不同，因此利用标准方式量出的热阻值最好是作为性能比较或是数值验证之用，用作实际设计时则仅供参考，否则会产生较大的误差。为了克服这个缺点，目前发展的新技术称为精致模型，希望能通过更详细的测量及模拟分析使热阻值成为热阻网络，因此在系统设计应用时不会受环境的太大影响。尽管如此，由于测量程序较为复杂，因此应用并不广泛。经过这段时间查阅资料了解到，在封装形式、材料和工艺都比较类似的条件下,集成电路的θjc基本不变,所以如果在不是很严格的情况下,可以直接参照某些国际大公司的θjc热阻值来进行参考和估算。而我们需要了解热阻值的定义及应用方式，才能更好得判断某些封装的热特性好坏。

7，功放芯片用的是OPA541耗散功率为125W 已经得出散热片的热

我也觉得这个指标有问题，OPA541的结-封装热阻是2.5度/W，最高结温是150度。这样，自然冷却和风冷都是不可能达到125W耗散的，除非主动制冷。

8，对于使用多芯灯珠或多颗灯珠的灯具怎么样测热阻

首先你是想测试你的芯片结温？还是你的散热器的散热效果？要知道你选择光源芯片的热阻是多少然后再利用你测试你的灯具的管脚结温来反推到你的光源芯片的结温散热体的散热效果就简单了，将测试数据简单比较一下就可以

告诉大家最简单易懂的方法，不管多芯还是单芯，我们一般是测led焊盘的温度，再减去环境温度，除以LED的功率。得到LED焊盘到壳体的热阻，再加上led本身的热阻，得到整灯从led到壳体的热阻。

搞清楚热阻的定义和使用这个参数的作用再谈测试。对于特定的、最终使用的灯具，热阻这个参数对后续使用是没有意义的。还测它干什么？仔细理解热阻概念并想一想是不是这样。

根据公式：R=T/Q=℃/W你先在特定的环境下,测试出LED底部温度(T1),然后计算出结点温度(T=(UI)*12℃/W+T1),最后使用(T-T环)/LED功率所得值.即是!

9，led的的热阻一般是多少

晕，这个问题没法回答，范围太广。按照你提供的功率级别，目前LED热阻在1-200K/W这个范围。

1W大功率led热阻指的是晶片到支架导热柱底部的阻值，考验的就是固晶工艺的高低，一般银胶的热阻要高，共晶焊接的热阻更低一点，8-10℃/W左右。热路计算和电路计算相通，两点之间的温差等于功率与热阻之积，而电路则是。任何两点之间的压降，都等于电流，乘以这两点间的电阻，如果散热器面积足够大时，与环境温度相同时，也可以忽略不计。可根据这个公式计算，晶片结温=环境温度+P*热阻

1w大功率led热阻指的是晶片到支架导热柱底部的阻值，考验的就是固晶工艺的高低，一般银胶的热阻要高，共晶焊接的热阻更低一点，8-10℃/w左右。热路计算和电路计算相通，两点之间的温差等于功率与热阻之积，而电路则是。任何两点之间的压降，都等于电流，乘以这两点间的电阻，如果散热器面积足够大时，与环境温度相同时，也可以忽略不计。可根据这个公式计算，晶片结温=环境温度+p*热阻

10，请教大侠 505035283014的LED的热阻现在一般做到多少请赐教

小功率0.06W的一般在100℃/W左右，现在也有50℃/W以内的，贵些；0.2W的一般在50℃/W左右；1W的一般在10℃/W左右。

3014LED日光灯，球泡灯，吸顶灯，面板灯,筒灯专用（3014）灯珠。成本，及性能上来看，它更具有目前许多型号无法比似的特点：高流明，高亮度，体积小，散热快，在照明灯具设计上，更加灵活，成本更低，对高要求的客户，能满足一些以往无法达到的高流明要求，目前已获LED日光灯、LED背光，照明灯具方面的厂家的青睐，已经开始大批量在生产，特殊的散热技术,从整灯具成本比较高，3014占有绝对的优势。因此，目前在LED日光灯散热导上是比较好的产品选择。3014贴片和3020/3528/5050贴片的区别有以下几点：欢迎大家补充说明一、体积尺寸小：3.0*1.4*0.8mm（长*宽*高）二、散热结构不一样：3014采用独特的LED散热结构，其芯片放置于接脚上，有助于芯片节点的散热，芯片节点温度不会产生累积。从而保证灯珠的使用寿命和良好使用性，低光衰。另外3014的热阻低于同类产品，在常温下测试，优于同类产品（3020/3528/5050）。三、工作的正向电流不一样：3014 IF=30MA 3020 IF=20MA 3528 IF=20MA 5050 IF=60MA 更省成本：3014产品芯片具有特殊的散热技术，电流可以在30MA正常使用，灯珠亮度高达9-11LM，相对同类亮度的产品来说，流明更高，使用颗数更少，从整体灯具成本来看，3014具有绝对优势，同时3014在散热方面也比同类产品要好很多，完全可以超越3528等同类产品。 3014最大的特点就是散热性能好，因为它的散热结构和3528不一样。并且在六个地区申请专利（美国、韩国、德国、台湾、大陆、日本）。

请看参考图

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