1,HYUNDAI KOREA HY57V64820HG 0051A TH 这是什么牌子多大内存几代

现代内存条的编号含义HYUNDAI KOREA HY57V64820HG 0051A T-H·“HY”是HYNIX的简称,代表着该颗粒是现代制造的产品。 ·“5D”是内存芯片类型为DDR,57则为SD类型。 ·“U”代表处理工艺及电压为2.5V。(V:VDD=3.3V & VDDQ=2.5V;U:VDD=2.5V & VDDQ=2.5V;W:VDD=2.5V & VDDQ=1.8V;S:VDD=1.8V & VDDQ=1.8V) ·“56”代表芯片容量密度和刷新速度是256M 8K刷新。(64:64M 4K刷新;66:64M 2K刷新;28:128M 4K刷新;56:256M 8K刷新;57:256M 4K刷新;12:512M 8K刷新;1G:1G 8K刷新) ·“8”是内存条芯片结构,代表改内存由8颗芯片构成。(4=4颗芯片;8=8颗芯片;16=16颗芯片;32=32颗芯片) ·“2”指内存的bank(储蓄位)。(1=2 bank;2=4 bank;3=8 bank) ·“2”代表接口类型为SSTL_2。(1=SSTL_3;2=SSTL_2;3=SSTL_18) ·“B”是内核代号为第3代。(空白=第1代;A=第2代;B=第3代;C=第4代) ·能源消耗,空白代表普通;L代表低功耗型,该内存条的能源消耗代码为空,因此为普通型。 ·封装类型用“T”表示,即TSOP封装。(T=TSOP;Q=LOFP;F=FBGA;FC=FBGA) ·封装堆栈,空白=普通;S=Hynix;K=M&T;J=其它;M=MCP(Hynix);MU=MCP(UTC),上述内存为空白,代表是普通封装堆栈。 ·封装原料,空白=普通;P=铅;H=卤素;R=铅+卤素。该内存为普通封装材料。 ·“D43”表示内存的速度为DDR400。(D43=DDR400,3-3-3;D4=DDR400,3-4-4;J=DDR333;M=DDR333,2-2-2;K=DDR266A;H=DDR266B;L=DDR200) ·工作温度,一般被省略。I=工业常温(-40~85度);E=扩展温度(-25~85度)

HYUNDAI KOREA HY57V64820HG 0051A TH 这是什么牌子多大内存几代

2,nicr20tial是什么材质

DIN NiCr20TiAl材料类别-高温高强度钢和高温合金材料标准-DIN 17742、17460、17480,DIN EN 103021、10296、10095化学成分(重量%)C(%):0.040.10Si(%):≤1.00Mn(%):≤1.00P(%)≤:0.020S(%)≤:0.015Cr(%):18.021.0Ni(%):≥ 65.0Mo(%):-Al(%):1.001.80钛(%):1.802.70其他(%):Co≤2.00,B≤0.008,Fe≤3.0,Cu≤0.20机械性能-热加工,热处理和硬度热成型温度/℃:11501050热处理温度/℃| 退火:-热处理温度/℃| 淬火或固溶:10651080空气热处理温度/℃| 回火:835865热处理温度/℃| 年龄:685715条件:沉淀硬化下在室温下的机械性能|ΣB/兆帕: ≥98 0室温下的机械性能|σs≥/ MPa:590室温下机械性能|δ5≥(%):12室温下的机械性能| Akv(DVM):17热稳定温度/℃:700空气中无标温度/℃:950高温下的机械性能200℃以上的机械性能σ0.2/ MPa,在以下温度/℃| 200:568200℃以上的机械性能σ0.2/ MPa,在以下温度/℃| 300:560在200℃以上的机械性能σ0.2/ MPa ,在以下温度/℃| 400:540下200℃σ0.2/ MPa时的机械性能,在以下温度/℃| 500:520以下温度/℃| 600:500以上的200℃σ0.2/ MPa时的机械性能在200℃σ0.2/ MPa以上的机械性能,在以下温度/℃| 700:-在200℃σ0.2/ MPa以上的机械性能,在以下温度/℃| 800:蠕变断裂强度/ MPa,在以下时间/小时和温度/℃| 1000h | 600:-蠕变断裂强度/ MPa,在以下时间/小时和温度/℃| 1000h | 700:-蠕变断裂强度/ MPa,在以下时间时间/ h和温度/℃| 1000h | 800:-蠕变断裂强度/ MPa,在以下时间/ h和温度/℃| 1000h | 900:-蠕变断裂强度/ MPa,在以下时间/ h和温度/℃| 10000h | 600:433蠕变断裂强度/ MPa,在以下时间/ h和温度/℃| 10000h | 700:186蠕变断裂强度/ MPa,在以下时间/ h和温度/℃| 10000h | 800:70蠕变断裂强度/ MPa,在以下时间/小时和温度/℃| 10000h | 900:-蠕变断裂强度/ MPa,在以下时间/小时和温度/℃| 100000h | 600:272蠕变断裂强度/ MPa,在以下时间/ h和温度/℃| 100000h | 700:75蠕变断裂强度/ MPa,在以下时间/ h和温度/ 100000h | 800:20蠕变断裂强度/ MPa,在以下温度时间/小时和温度/℃| 100000h | 900:-产品描述该合金通常是通过AOD / VIM / VOD进行生产的,如果有特殊目的,则随后进行电渣精炼(ESR)或VAR。根据购买者的要求,根据不同的等级对棒材和锻件(如适用)进行超声波检查。棒通常在固溶退火条件下提供光亮。最终热处理-热处理/ QT /固溶处理可用形状圆棒/扁棒/方形棒/阀体/条形亮光-去皮+抛光/无心磨削/去皮+滑磨锻造-环/管套/盘/轴典型应用超级合金 被广泛用于生产高温部件为燃气涡轮机中的字段航空,舰艇和工业,如涡轮机叶片,导向叶片,涡轮盘,高压压缩机圆盘,燃烧器,并且还生产能量转换装置,例如作为航空航天飞行器,火箭发动机,核反应堆,石化设备, 煤质反式成形等。燃气轮机涡轮叶片燃料喷嘴热处理装置马弗炉核反应堆涡轮发动机零件-机械齿轮,齿轮轴,主轴,叶片机械零件-螺栓和螺母,紧固件热处理炉的烧瓶及部件,特别是在碳化中。这些材料必须承受高温,极高的氧化潜力和回收利用。

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3,k1是否偏置

偏置调节是数字示波器的重要功能之一,图1为现有技术中数字示波器偏置调节 的原理框图。如图1所示,输入信号sx从信号输入端(bnc)输入后,通过无源衰减 网络引入偏置s0至前级偏置模块,通过前级偏置模块引入偏置s1至电压可变增益放大 器模块(variable?gain?amplifier,vga),再通过电压可变增益放大器模块引入偏置s2至 后级偏置模块,然后通过后级偏置模块引入输出偏置sout,最终输出偏置sout直接进 入模数转换器(analog?to?digital?convert,adc)。其中,无源衰减网络首先对输入信号sx进行衰减,前级偏置模块为一级或多级阻抗变换网络,用于隔离前后级电路之间的影 响,增加对后级的驱动能力。电压可变增益放大器模块对经过衰减和阻抗变换后所输 出的小信号进行放大。后级偏置模块为末级偏置调节电路,用于对电压可变增益放大 器模块输出的放大后的偏置s2进行调节后送入模数转换器,所述后级偏置模块还起到 缓冲驱动的作用。这样,输出偏置sout可以用公式表示为 sout=f(sx,k,offset1,offset2,kvga),其中f为传递函数,sx为输入信号,k为无源 衰减网络的放大倍数k0、前级偏置模块的放大倍数k1以及后级偏置模块的放大倍数 k2的总放大增益,offset1为前级偏置,offset2为后级偏置,kvga为电压可变增益放 大器模块的增益放大倍数。示波器通道的理想静态工作点应满足:sx=0, δo1=offset1?offset校正1=0,δo2=offset2?offset校正2=0,其中 offset校正1、offset校正2分别是偏置校正的软件设置的零点值所对应的前级偏置校正 值以及后级偏置校正值,该零点值是指用户在示波器界面上设置通道标签垂直居中 (波形在显示区域的中间且偏移为0),同时前级偏置电压也设置为零的状态。所以 得出,无论k0,k1,kvga,k2为何种增益放大倍数,均应得到sout为零,即:sout= f(0,k,offset校正1,offset校正2,kvga)=0。3.由于硬件电路分布参数和器件的非一致性,导致k0,k1,kvga,k2具有不同的误差, 同时会在偏置s0,s1,s2,sout分别引入正负几十毫伏的直流偏置c1、c2、c3、c4,因此sout的零输出受多种因素的影响。但是为了使系统在小幅度档位处于较大的位移动态范围 内,规定在sx零输入sout零输出时,s2处的输出信号应当小于一定精度,例如1mv, 此精度的具体数值根据具体项目和硬件体质而不同。由于前后级的偏置均可影响sout, 所以如果仅仅是调整硬件使得校正前sx为零输入时,offset校正1、offset校正2有无数种 组合。而要保证s2输出信号小于1mv,offset校正1、offset校正2的组合情况只有一种, 所以需要一套校准方案来解决多偏置的校准难点。4.目前通常使用人工校准来进行多偏置校准。在批量生产时,费时费工费效率,受 人为因素的影响精度有一定的不可控性。并且示波器在用户手中,因受到使用时间年 限和环境温度的影响导致的参数漂移,系统的校正参数不能工作在不理想状态下,同 样也会影响后续的使用。技术实现要素:5.鉴于现有技术中只能通过人工进行多级偏置校正局限性的问题,提出了本发明以 便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种基于目标值动态评价 的多级偏置校正方法及装置。6.依据本发明的一个方面,提供一种基于目标值动态评价的多级偏置校正方法,包 括:7.获取任一电压档位下的输出偏置sout;8.在所述电压档位下改变增益放大倍数kvga;9.基于改变后的所述增益放大倍数kvga判断所述输出偏置sout是否变化;10.若否,则完成偏置校正。11.优选的,所述方法还包括:12.若所述输出偏置sout变化,则获取测量序列,所述测量序列为多个所述增益放大 倍数kvga所一一对应的输出偏置sout的集合;13.根据所述测量序列基于线性拟合获取第一斜率k;其中,sout=k*kvga+nc, nc=(c4+offset2)*k2,c4为输出偏置sout的偏移常量,offset2为后级偏置,k2为 后级偏置模块的放大倍数;14.基于第一斜率k调节前级偏置offset1,使得输出偏置sout收敛为不随增益放大倍 数kvga变化的常数,其中,k=(offset1+b)*nk, nk=k1*k2,sx为输入信号,c1、c2、c3分别为无源衰减网络、前级偏置模块以及 电压可变增益放大器模块的偏移常量,k0,k1分别为无源衰减网络以及前级偏置模 块的放大倍数。15.优选的,基于第一斜率k调节前级偏置offset1包括:16.根据所述前级偏置offset1获取前级偏置校正值offset校正1;17.根据所述前级偏置校正值offset校正1调节所述前级偏置offset1。18.优选的,调节所述前级偏置offset1后,所述方法还包括:19.获取后级偏置offset2;20.根据所述后级偏置offset2获得后级偏置校正值offset校正2;21.基于所述后级偏置校正值offset校正2对所述电压档位下的输出偏置sout进行偏置 校正。22.优选的,所述前级偏置offset1包括一级偏置或多级偏置。23.优选的,所述方法还包括:24.判断输出偏置sout的收敛值是否小于第一阈值,所述输出偏置sout的收敛值为输 出偏置sout的均方差;25.若是,则输出偏置sout收敛为不随增益放大倍数kvga变化的常数。26.优选的,判断输出偏置sout的收敛值是否小于第一阈值包括:27.判断测量序列的均方差是否小于第一阈值。28.优选的,所述方法还包括:对所有电压档位下的输出偏置sout进行偏置校正。29.根据本发明的另一个方法,提供一种基于目标值动态评价的多级偏置校正装置, 包括:30.第一获取单元,用于获取任一电压档位下的输出偏置sout;31.第一调整单元,用于在所述电压档位下改变增益放大倍数kvga;32.第一判断单元,用于基于改变后的所述增益放大倍数kvga判断所述输出偏置sout是否变化;33.第一确认单元,用于若否,则完成偏置校正。34.优选的,所述装置还包括:35.第二获取单元,用于若所述输出偏置sout变化,则获取测量序列,所述测量序列 为多个所述增益放大倍数kvga所一一对应的输出偏置sout的集合;36.第三获取单元,用于根据所述测量序列基于线性拟合获取第一斜率k;其中, sout=k*kvga+nc,nc=(c4+offset2)*k2,c4为输出偏置sout的偏移常量, offset2为后级偏置,k2为后级偏置模块的放大倍数;37.第二调整单元,用于基于第一斜率k调节前级偏置offset1,使得输出偏置sout收 敛为不随增益放大倍数kvga变化的常数,其中,k=(offset1+b)*nk, nk=k1*k2,sx为输入信号,c1、c2、c3分别为无源衰减 网络、前级偏置模块以及电压可变增益放大器模块的偏移常量,k0,k1分别为无源 衰减网络以及前级偏置模块的放大倍数。38.上述基于目标值动态评价的多级偏置校正方法及装置无需设备提供基准参考或 断开设备通道的多级关联,也无需改变硬件设置以及提供默认参数,只需断开外部输 入信号,直接在外部无输入信号的情况下,通过改变增益放大倍数kvga的值并获取模 数转换器采集到的输出偏置sout,判断输出偏置sout是否随增益放大倍数kvga的变化 而变化,当判断结果为输出偏置sout不随增益放大倍数kvga的变化而变化时,后续不 再需要计算偏置值而直接结束偏置校正,极大的简化了偏置校正的过程,且降低校准 过程对系统的影响,特别是高频信号,防止引入设计风险。39.上述说明仅是本发明技术方案的概述,为了能够更清楚了解本发明的技术手段, 而可依照说明书的内容予以实施,并且为了让本发明的上述和其它目的、特征和优点 能够更明显易懂,以下特举本发明的具体实施方式。附图说明40.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅 是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提 下,还可以根据这些附图获得其他的附图。41.图1为现有技术中偏置校正的结构示意图;42.图2为本发明实施例中一种基于目标值动态评价的多级偏置校正方法流程图;43.图3为本发明实施例中一种基于目标值动态评价的多级偏置校正装置结构示意 图;44.图4为本发明实施例中一种基于目标值动态评价的多级偏置校正装置结构示意 图。具体实施方式45.下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。 基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的 所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。46.本发明实施例提供一种基于目标值动态评价的多级偏置校正方法,如图2所示, 包括:47.步骤201,获取任一电压档位下的输出偏置sout;其中,电压档位是通过控制示 波器内部电路的衰减以及放大倍数来实现,使得输入电压经过衰减及放大后位于模数 转换器adc的采样范围内,以达到较好的采样效果。具体到本发明实施例中,例如, 通过两个继电器分别控制无源衰减网络以及前级偏置模块,因而两个继电器的开和关 的状态对应四条信号传递通路,这样意味着可以组合成四种放大倍数,在其他实施例 中也可以设计多种放大倍数,本发明的具体应用并不仅限于此。具体的,分别通过两 个继电器控制无源衰减网络的放大倍数k0、前级偏置模块的放大倍数k1,所以k0,k1一 共可提供4种固定的放大倍数,每一种放大倍数即可对应一个电压档位,因而可具有 四种电压档位。其中,输出偏置sout通过模数转换器采集。48.步骤202,在所述电压档位下改变增益放大倍数kvga;具体的,通过电压可变增 益放大器模块改变增益放大倍数kvga并在增益放大倍数kvga的取值范围[1,100]内根 据其可选择的倍数来取值以改变增益放大倍数kvga,所取的数量越多越好。较佳的, 考虑示波器的采用速度和精度,增益放大倍数kvga可以按照1、10、20、30、……100 的等差数列来取值。[0049]步骤203,基于改变后的所述增益放大倍数kvga判断所述输出偏置sout是否变化; 具体而言,当改变增益放大倍数kvga后,判断输出偏置sout是否变化。可以将增益放 大倍数kvga改变一次,判断在改变后的增益放大倍数kvga下输出偏置sout是否变化, 例如,将增益放大倍数kvga改变为10倍后获得输出偏置sout并进行判断。为了防止 一次判断所带来的误差,还可以将多个或全部的增益放大倍数kvga均作为基准并同时 测量每一个增益放大倍数kvga所对应的输出偏置sout,并判断输出偏置sout是否随着 增益放大倍数kvga变化而变化。如果偏置校正已达到理想校正值,那么无论增益放大 倍数kvga取值如何变化,输出偏置sout的值均不变,即为一个固定的数值,而如果输 出偏置sout发生了改变,那么表示偏置校正还没有达到理想的校正结果。[0050]步骤204,若否,则完成偏置校正。即如果输出偏置sout不随增益放大倍数kvga的 变化而变化,也就是说,输出偏置sout的值是固定不变的,那么意味着偏置校正已达 到理想状态,因此偏置校正结束。[0051]本发明具体实施例所述的一种基于目标值动态评价的多级偏置校正方法中,无需 设备提供基准参考或断开设备通道的多级关联,也无需改变硬件设置以及提供默认参 数,只需断开外部输入信号,直接在外部无输入信号的情况下,通过改变增益放大倍 数kvga的值并获取模数转换器采集到的输出偏置sout,判断输出偏置sout是否随增益 放大倍数kvga的变化而变化,当判断结果为输出偏置sout不随增益放大倍数kvga的变 化而变化时,后续不再需要计算偏置值而直接结束偏置校正,极大的简化了偏置校正 的过程,且降低校准过程对系统的影响,特别是高频信号,防止引入设计风险。[0052]在上述步骤203中,当改变增益放大倍数kvga后,如果所述输出偏置sout也跟着 发生变化,即偏置校正还没有达到理想的校正结果,那么仍需要依照以下的步骤继续 进行偏置校正。[0053]较佳的,所述方法还包括,若所述输出偏置sout变化,则获取测量序列,所述测 量序列为多个所述增益放大倍数kvga所一一对应的输出偏置sout的集合。具体的实施 方式中,若上一步骤中通过改变一次增益放大倍数kvga而输出偏置sout也随之改变的, 那么在本步骤中需要根据所有的增益放大倍数kvga来获取一一对应的输出偏置sout以得到输出偏置sout的集合。若上一步骤中将所有的增益放大倍数kvga均作为基准并 同时测量每一个增益放大倍数kvga所对应的输出偏置sout的,则可以在每次改变增益 放大倍数kvga之后,将采集得到的输出偏置sout进行记录,并在本步骤中查找已记录 的数据且最终形成输出偏置sout的集合,这样可以直接省去再次获取输出偏置sout的 过程。[0054]根据所述测量序列基于线性拟合获取第一斜率k;其中,sout=k*kvga+nc, nc=(c4+offset2)*k2,c4为输出偏置sout的偏移常量,offset2为后级偏置,k2为 后级偏置模块的放大倍数。具体的,当输出偏置sout随着增益放大倍数kvga的变化而 变化时,可以将增益放大倍数kvga作为自变量,输出偏置sout作为因变量,因而可以 获得一个一次函数:sout=k*kvga+nc,其中第一斜率k为偏置电压的总和。由于 当在进行前级偏置校正时,后级偏置offset2以及后级偏置的放大倍数保持不变,因 此nc=(c4+offset2)*k2为常数,可以将sout=k*kvga+nc视为一条拟合直线, 然后通过线性拟合可求出拟合直线sout=k*kvga+nc中的第一斜率k的值。[0055]基于第一斜率k调节前级偏置offset1,使得输出偏置sout收敛为不随增益放大倍 数kvga变化的常数,其中,k=(offset1+b)*nk, nk=k1*k2,sx为输入信号,c1、c2、c3分别为无源衰减网络、前级偏置模块以及 电压可变增益放大器模块的偏移常量,k0,k1分别为无源衰减网络以及前级偏置模 块的放大倍数。具体的,由于第一斜率k的值在上一步骤中已求出,因此根据公式k= (offset1+b)*nk进一步获取前级偏置offset1的数值,而nk=k1*k2,即nk为前 级偏置模块的放大倍数与后级偏置模块的放大倍数的乘积,因此nk为大于零的常数, 所以调节前级偏置offset1,使得第一斜率k等于零,使得输出偏置sout收敛为不随增 益放大倍数kvga变化的常数。[0056]下面以一个具体的实施例来完整展示上面获取前级偏置offset1的过程。在示波 器的偏置校正方法中,已知输出偏置sout可以通过以下公式来表示:[0057]sout=((((sx+c1)*k0+c2+offset1)*k1+c3)*kvga+c4+offset2)*k2[0058]其中,sx为输入信号,c1、c2、c3、c4分别为无源衰减网络、前级偏置模块、电 压可变增益放大器模块以及后级偏置模块的偏移常量,k0、k1、k2分别为无源衰减 网络、前级偏置模块以及后级偏置模块的放大倍数,kvga为增益放大倍数,offset1为 前级偏置,offset2为后级偏置。从上述公式可以看出,由于分布参数和器件的非一 致性导致c1、c2、c3、c4存在于每一级电路中,再经过各级电路的放大倍数影响,使 得偏置s0,s1,s2均会有正负几十毫伏的直流偏置,最终输出偏置sout会受多种因素影 响而产生比较大的偏置。公式中k0,k1通过继电器控制,分为两种放大状态,所以k0,k1一共可提供4种放大倍数。以k0,k1其中一种固定放大倍数为例,由于k0,k1为固定放 大倍数,即非零常数,所以上述公式中kvga前的部分可作如下变化:[0059](((sx+c1)*k0+c2+offset1)*k1+c3)*kvga[0060]=(((sx+c1)*k0+c2)*k1+offset1*k1+c3)*kvga[0061]=(offset1*k1+((sx+c1)*k0+c2)*k1+c3)*kvga[0062]=(offset1+(((sx+c1)*k0+c2)*k1+c3)/k1)*kvga*k1[0063]其中,sx,c1,c2,c3,k0,k1为常数,所以(((sx+c1)*k0+c2)*k1+c3)/k1采用 一个常数b表示,输出偏置sout可以简化为:[0064]sout=((offset1+b)*kvga*k1+c4+offset2)*k2[0065]=(offset1+b)*kvga*k1*k2+(c4+offset2)*k2[0066]由于在前级校正的时候后级偏置offset2、后级偏置的模块的放大倍数k2也不变, 所以(c4+offset2)*k2为常数,用nc表示;k1、k2也为常数,因此nk=k1*k2, 所以输出偏置sout的公式进一步简化为:[0067]sout=(offset1+b)*kvga*nk+nc[0068]根据上述公式可知,当offset1+b为零时,无论kvga的取值如何变化,输出偏 置sout的值不变,此时可以认为偏置达到理想状态,即达到示波器通道的理想静态 工作点;而当sout变化时,表示offset1未到达理想校正值,因此需要继续对offset1进 行调节,最终使得输出偏置sout收敛为不随增益放大倍数kvga变化的常数以实现偏置 校正。可免除长时间使用导致参数漂移或使用环境导致参数变化的返厂调教。[0069]本发明实施例所述的一种基于目标值动态评价的多级偏置校正方法,较佳的,基 于第一斜率k调节前级偏置offset1包括:[0070]根据所述前级偏置offset1获取前级偏置校正值offset校正1;[0071]根据所述前级偏置校正值offset校正1调节所述前级偏置offset1,具体的,根据理 想静态工作点的条件之一δo1=offset1?offset校正1=0可直接确定offset校正1的值,最 终使得δo1=0。[0072]本发明实施例所述的一种基于目标值动态评价的多级偏置校正方法,调节所述前 级偏置offset1后,较佳的,所述方法还包括:[0073]获取后级偏置offset2,由于offset2是在offset1确认后直接测得的,因此可以 在确认offset1后直接测量获得后级偏置offset2。[0074]根据所述后级偏置offset2获得后级偏置校正值offset校正2;[0075]基于所述后级偏置校正值offset校正2对所述电压档位下的输出偏置sout进行偏置 校正。具体的,根据理想静态工作点的另一条件δo2=offset2?offset校正2=0,确认 offset校正2的大小,最终使得δo2=0。[0076]在本发明的上述实施例中,最终获得offset校正1以及offset校正2并分别调节前级偏 置offset1以及后级偏置offset2,使得示波器的在该电压档位下达到理想静态工作点, 且无论k0,k1,kvga,k2为何种放大倍数,均可得到输出偏置sout的输出不变。[0077]本发明实施例所述的一种基于目标值动态评价的多级偏置校正方法,较佳的,所 述前级偏置offset1包括一级偏置或多级偏置。具体的,本发明实施例可以采用可变 增益放大器模块一级增益,也可以采用单个芯片实现多级可控增益以实现多种衰减和 放大倍数的输出,也可以使用多组无源衰减网络的组合或多组有源放大电路的组合, 或有源和无图4所示,包括:[0093]第二获取单元401,用于若所述输出偏置sout变化,则获取测量序列,所述测量 序列为多个所述增益放大倍数kvga所一一对应的偏置sout的集合;[0094]第三获取单元402,用于根据所述测量序列基于线性拟合获取第一斜率k;其中, sout=k*kvga+nc,nc=(c4+offset2)*k2,c4为输出偏置sout的偏移常量, offset2为后级偏置,k2为后级偏置模块的放大倍数;[0095]第二调整单元403,用于基于第一斜率k调节前级偏置offset1,使得输出偏置sout收敛为不随增益放大倍数kvga变化的常数,其中,k=(offset1+b)*nk, nk=k1*k2,sx为输入信号,c1、c2、c3分别为无源衰减 网络、前级偏置模块以及电压可变增益放大器模块的偏移常量,k0,k1分别为无源 衰减网络以及前级偏置模块的放大倍数。[0096]上述基于目标值动态评价的多级偏置校正装置可以在每次开机启动前进行,也可 以根据用户需求随时进行操作,例如在当环境温度下的变化影响相应的校正参数时, 动态调整校正参数自动校准,使得用户操作方便,从而也减少了返厂维护的工序。同 时,可以减少批量生产中的人工硬件调试工时,降低人为操作误差,提升批产效率, 提升产能产值。[0097]应理解,在本发明的各种实施例中,上述各过程的序号的大小并不意味着执行顺 序的先后,各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定,而不应对本发明实施例的 实施过程构成任何限定。[0098]还应理解,在本发明实施例中,术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联 关系,表示可以存在三种关系。例如,a和/或b,可以表示:单独存在a,同时存 在a和b,单独存在b这三种情况。另外,本文中字符“/”,一般表示前后关联对象 是一种“或”的关系。[0099]本领域普通技术人员可以意识到,结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单 元及算法步骤,能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现,为了清楚地说 明硬件和软件的可互换性,在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成 及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行,取决于技术方案的特定应用和设 计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功 能,但是这种实现不应认为超出本发明的范围。[0100]所属领域的技术人员可以清楚地了解到,为了描述的方便和简洁,上述描述的系 统、装置和单元的具体工作过程,可以参考前述方法实施例中的对应过程,在此不再 赘述。[0101]在本申请所提供的几个实施例中,应该理解到,所揭露的系统、装置和方法,可 以通过其它的方式实现。例如,以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的,例如,所 述单元的划分,仅仅为一种逻辑功能划分,实际实现时可以有另外的划分方式,例如 多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统,或一些特征可以忽略,或不执 行。另外,所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接 口、装置或单元的间接耦合或通信连接,也可以是电的,机械的或其它的形式连接。[0102]所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的,作为单元显 示的部件可以是或者也可以不是物理单元,即可以位于一个地方,或者也可以分布到 多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本发明实 施例方案的目的。[0103]另外,在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中,也可以 是各个单元单独物理存在,也可以是两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集 成的单元既可以采用硬件的形式实现,也可以采用软件功能单元的形式实现。[0104]所述集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用 时,可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解,本发明的技术方案 本质上或者说对现有技术做出贡献的部分,或者该技术方案的全部或部分可以以软件 产品的形式体现出来,该计算机软件产品存储在一个存储介质中,包括若干指令用以 使得一台计算机设备(可以是个人计算机,服务器,或者网络设备等)执行本发明各 个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括:u盘、移动硬盘、只 读存储器(rom,read?only memory)、随机存取存储器(ram,random accessmemory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。[0105]本发明中应用了具体实施例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例 的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术 人员,依据本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述, 本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

k1是否偏置


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