1,cmos反相器的宽长比怎么选

cmos反相器的宽长比可选nmos的两倍。根据查询相关资料,为了使得噪声容限达到1/2VDD可选择pmos的宽长比为nmos的两倍。具体设多少则根据要求定了,宽长比大的话寄生电容就大,速度就会慢。

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2,mos管的宽长比是什么

宽长比是MOS管的导电沟道的宽与长的比,宽长比越大,MOS管的Id就越大,也就是宽长比与Id成正比。具体公式可以去查书。电流镜的Id比例是1:2,那么两个MOS管的宽长比的比(注意是两个宽长比的比)应该也是1:2,因为如上所述Id与宽长比成正比。所以如果MOS1的宽长比为10,那么MOS2的宽长比应该为20,以此类推。

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3,mos管的宽长比

  宽长比是 MOS 管的导电沟道的宽与长的比,宽长比越大,MOS 管的 Id 就越大,也就是宽长比与 Id 成正比。  如果只是用来做驱动的话,根据负载能力确定宽长比。如果前级的驱动能力较小,同时有要求较高的速度,建议该级长和宽取小点。如果是用来驱动后一级电路,宽长比主要看后级负载大小,负载大,宽长比大,比如说后面有很长的数据线或者接了很多的负载。一般来说,nmos管的宽长比为pmos的1/3。  mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

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