1，有体二极管的NMOS施加驱动使其保持导通状态如果Vds漏极

正确答案是流过MOS管。 1：MOS管只要开通后就变成一个内阻很小的开关，不管电流从漏极流向源极还是从源极流向漏极，都不会影响开能状态； 2：基于这个特点，可将功率MOS管代替二极管做电源接反保护，避免了因使用二极管，电路中电流过大而消耗在二极管中的功率过大。如下图：

有体二极管的NMOS施加驱动使其保持导通状态如果Vds漏极

2，MOS管测量好坏时漏极和源极有几百欧为正常那它在电路中怎样

其实MOS主要是通过栅控制器件的开启和导通，所以以NMOS管为例，只需要将栅压降得足够低，让它在衬底中无法形成反型层，也就没有了沟道，没有低阻通路，自然就变成高阻态，从漏源两端看上去，它便是关断的
P管子和N管子控制方式不一样。但只有两种，给电压和下拉电压。 可参考三极管电路，一样的用法.
整个电路开环工作了，占空比展开到了100%。应该是你什么地方没有接对。还有就是你的闭环参数开起来比较奇怪。还是要把芯片原理搞透，一个点一个点的分析波形。示波器是最好的老师。

MOS管测量好坏时漏极和源极有几百欧为正常那它在电路中怎样

3，帮我分析下这个mos管电路门极电压是多少

Q94MOS的开通电压是12V，当Q92管子导通时，Q94是截止的，当Q92截止时，加在Q94的G的电压就是R097和R098的分压，割切R097的电阻很小，可以忽略，所以MOS的门极电压是大约12V。
你图上是双极性晶体管，按你说条件算它mos型晶体管。左边栅极电压为v_do_carera/(1+5.1)，右边，当v_do_carera=1v时是12v*(510/100k)，假设你的q92在电路中能完全饱和(c极电流大于12/510)，那么当v_do_carera=1v时，大约是q92饱和压降(或者导通阻抗压降)的(510/100k)。
大约1.2v。。。。。。。。。。
从电路上看，大概11V左右。

帮我分析下这个mos管电路门极电压是多少

4，MOS管开关电路

MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。MOS管在导通与截止两种状态发生转换时同样存在过渡过程，但其动态特性主要取决于与电路有关的杂散电容充、放电所需的时间，而管子本身导通和截止时电荷积累和消散的时间是很小的。
MOS管也是三端压控元件，三端分别是G、D、S，可以等效于普通三极管的B、C、E三极，VGS的电压（=VG-VS）控制Mos 开关状态:当VGS大于Von（开启电压，NMOS为2~4V，PMOS为-2~-4V）时就使得Mos打开，D& S两极之间导通，压降为零，阻抗较小，零点几欧姆；同理当VGS小于Von时就使得Mos处于关闭状态，D& S两极之间阻抗很大；所以，G极就是控制极；要注意的是，Vgs不能太高，比如IRF530，Von的最大值为4V，可是击穿电压为正负20V；又比如IRF9530，开启电压为最大-4V，也就是说Vgs=-5V时已经打开，开启电压上限也为正负20V，当Vgs=-21V或者22V时，管子会被击穿。通常使用时，可以使所加电压Vgs=正负9伏比较适合。
■mos管开关电路中要用到mos场效应管来代替开关，场效应管有三个极：源极s、漏极 d和栅极（或叫控制极）g.工作原理是：在给源极和漏极 之间加上正确极性和大小的电压（因为管型而异）后，再给g极和源极之间加上控制电压，就会有相应大小的电流从源极流向漏极 ，如果信号电压够大，这个电路就能瞬间饱和而成为一个开关了。

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