ldo热阻多少，LDO 会标明多少伏多少安如图所示这个电流有什么含义是指输出最高

1，LDO 会标明多少伏多少安如图所示这个电流有什么含义是指输出最高

你看下LDO的datesheet，参数说明那有150mA时的应用条件，记得应该是在某电压下，spec范围内最大的输出电流，调节ldo输出端的电阻逐渐变小知道超出ldo输出正常值，然后量一下输出的电流，应该就是150mA

LDO 会标明多少伏多少安如图所示这个电流有什么含义是指输出最高

2，2A整流桥怎么能降低成本

整流装置节能降耗措施2A整流桥怎么能降低成本为了将交流电转换成直流电供电解装置使用，氯碱企业都设有一定数量的大功率整流装置。整流设备的变流效率是衡量其本身设计和结构上先进合理性的重要指标，也是离子膜法烧碱整流装置运行中降低电耗的关键指标。整流设备的效率定义为:效率=输出功率/输入功率×100%。由公式可知:整流柜损耗、变压器的损耗、主电路连接导体的损耗、整流装置功率因数和整流设备运行温度等是影响整流效率的重要因素。1影响整流装置效率的因素,1,1(1变压器的损耗。变压器的空载损耗主要是铁芯损耗，包括涡流损耗、磁滞和漏流产生的损耗，它的大小与硅钢片的性能和铁芯的制造工艺有关，与负荷大小无关，是基本不变的部分。变压器的有载损耗也叫铜损，是随着负载的变化而变化的。降低变压器损耗的措施可以从如下几个方面考虑。(1)改进变压器铁芯的结构。铁耗是固定损耗，虽仅占变电损耗的20%,30%，但它在任何负载下都存在，对配变运行的经济性影响很大。要降低铁耗，应采用良好的硅钢片，改进铁芯的结构和工艺。(2)改进变压器的绝缘结构，降低负载损耗。负载损耗占变电损耗的70%,80%，数值很大。如果采用减小导线密度和减小绕组匝数的方法来降低负载损耗，则会使变压器质量增大，浪费材料。最好的方法是改善变压器的绝缘结构，以减小绝缘体积来减小线圈尺寸，从而减小负载损耗。另外，在制造过程中选用优质的无氧铜线，控制单位导电体的电阻在最小的范围内，也可降低负载损耗。(3)在50%,60%的负载运行时，变压器的功率损失率最低，满载运行时则增加。因此，选用变压器时，用户所带负荷应为变压器负荷的75%左右，这样，既能经济、可靠运行，又有一定的发展余地。1(2整流装置的损耗。整流装置的损耗包括半导体阀器件、熔断器、分压电阻，以及换相过电压抑制电路和浪涌过电压抑制电路之类的元件所产生的损耗，以及各部分连接产生的损耗。降低整流柜的损耗，提高输出效率应从以下几个方面进行:

2A整流桥怎么能降低成本

3，一颗经典Buck芯片 LM5116

X0W～X00W不错的选择一个表现不错的Buck驱动芯片 https://www.ti.com/product/LM5116 除了datasheet，好像也没有找到什么好的资料所以我总结反思自己在使用过程中碰到一些问题，也进一步加深理解。集成了控制、驱动、保护，使用外置MOS和电感搭建可同步整流的BUCK电路图1 首先一个非常有用的功能就是宽范围的Input Voltage，Vin支持6-100V，芯片自身供电VCC则直接从Vin转化而来，不需要额外供电。Vin两个档位采用两个模式转化到VCC：当Vin低于10.6V，Vin通过一个“low dropout switch”直接供给VCC，猜测应该是一个二极管或者低Rds-on的transistor；当Vin高于10.6V，则通过一个regulator输出到VCC，恒定输出7.4V，推测内部为LDO转化，但是一个显而易见的疑问是，VCC拉电流的能力可达20mA（虽然VCC regulator限流15mA），如图x所示，考虑极限情况，100V输入，VCC为7.4V，LDO上的损耗为1.852W， Junction-to-Board的热阻17.7℃/W，看起来只有工作在92℃板温，才会超125℃ 但是近2W的损耗对于一颗控制+驱动而言，还是很可观的。 VCCX可能会有点费解，为什么有一个VCC，还要一个X，能去掉然后给我省点芯片成本吗？这就回到了刚刚的损耗问题。为了减小regulator的损耗，我们可以选择从VCCX直接给VCC供电，而VCCX又可以接到BUCK电路的输出Vout，当VCCX > 4.5V时，芯片就会自动关闭VCC regulator，直接从VCCX拉电流。 VCCX的推荐范围是4.75-15V，如果Vout超出这个范围，还是乖乖把VCCX接地吧。这么做也不能把VCC从regulator解放出来，要知道BUCK启机的时候Vout是没有的，所以启机阶段必须从Vin供电。当然，选择是灵活的，也可以外接一个regulator，从Vin直接给VCCX供电，旁路掉内部的降压电路，也无需考虑VCC regulator的15mA限流。芯片设计是一门艺术，如果说VCC供电设计很精巧，那真正的精巧还尚未开始。 Enable和UVLO欠压锁死十分常规，没什么好说的。电流控制电流模式变换器的建模、分析和补偿斜坡补偿（Current Ramp）基于斜坡补偿的电流模式PWM DC-DC系统稳定性分析介绍了斜坡补偿在数学上的体现，以及斜坡斜率的计算方法。电流保护公式计算出来的保护点总是不准二极管模式开机且空载的时候因为同步管强制续流，会使得输出电容泄放能更快建立输出电压带一个非常轻的负载，就能进入同步模式断续模式与强制连续模式画图二极管模式实现方式是通过检测下管的电流，当电流为负，即从SW点流向GND，则关断同步管。值得注意的是，5116的驱动力非常有限原因应该是LDO供给能力受限，VCC能提供的电流 5145 驱动能力更强 5122 Boost芯片， WEBENCH工具帮助设计参数，真的方便，不仅能直接给出原理图、BOM，甚至推荐PCB布局，指定参数后能进行仿真，比如小信号仿真能减少不少工作量可惜MOSFET默认用TI自己的，超规格了就说库里没有，要用理想器件替代还是不完善（也可能是营销手段？）

一颗经典Buck芯片 LM5116