工控芯片现代是多少位，HY57V161610D

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1，HY57V161610D
2，请教怎么识别现代内存芯片
3，hy5du12822ctpd43内存芯片是多少位芯片可不可以用于路由器百度

1，HY57V161610D

现代 SDRAM 工作电压3.3V 16位宽 2MB容量 4K刷新率工作频率166MHZHY代表是现代的产品 2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)； 3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V 4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref 5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位 6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系 7、I/O界面：1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2 8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新 9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片 10、内存芯片封装形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ 11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L :DDR200、H :DDR266B、 K :DDR266A 9943A 应该是芯片的生产日期..99年第43周生产的 TC-6 表示是工作在166MHz-7 143MHz -8 125MHz

HY57V161610D

2，请教怎么识别现代内存芯片

内存颗粒编号的识别之-现代(Hyundai) 1.SDRAM内存(老版本) 第1字段由HY组成，代表现代产品。第2字段代表产品类型，57代表DRAM；5D代表DDR SDRAM。第3字段代表电压，V代表3.3V；U代表2.5V。第4字段代表密度和刷新，4代表4MB(1K刷新)；16代表16M(4K刷新)；64代表64M(8K刷新)；65代表64M(4K刷新)；128代表128M(8K刷新)；129代表128M(4K刷新)；257代表256MB(8K刷新)。第5字段代表数据带宽，40代表4位；80代表8位；16代表16位；32代表32位。第6字段代表芯片组成，1代表2BANK；2代表4BANK。第7字段代表电气接口，0代表LVTTL；1代表SSTL；2代表SSTL2。第8字段代表芯片修正版本；空白代表第1版，A代表第2版；B代表第3版；C代表第4版；D代表第5版。第9字段代表功耗，空白代表普通；L代表低功耗。第10字段代表封装方式；JC代表400mil SOJ；TC代表400mil TSOP Ⅱ、TD代表13mm TSOP-II、TG代表16mm TSOP-Ⅱ；TQ代表100Pin TQFPI。第11字段代表内存的速度，5代表5ns(200MHz)；55代表5.5ns(183MHz)；6代表6ns(166MHz)；7代表7ns(143MHz)；75代表7.5ns(133MHz)；8代表8ns(125MHz)；10P代表10ns(100MHz@CL=2或3)；10S代表10ns(100MHz@CL=3)；10代表10ns(100MHz)；12代表12ns(83MHz)；15代表15ns(66MHz)。2.SDRAM内存(新版本) 第1字段由HY组成，代表现代产品。第2字段代表产品类型，57代表SDRAM。第3字段代表电压，V代表3.3V。第4字段代表密度和刷新，64代表64M(4K刷新)；65代表64M(8K刷新)；28代表128M(4K刷新)；56代表256M(8K刷新)。第5字段代表数据带宽，4代表4位；8代表8位；16代表16位；32代表32位。第6字段代表芯片组成，1代表2BANK；2代表4BANK。第7字段代表意义不详，一般为0。第8字段代表电气接口，0代表LVTTL；1代表SSTL_3。第9字段代表芯片修正版本；空白或H代表第1版，A或HA代表第2版；B或HB代表第3版；C或HC代表第4版。第10字段代表封装方式；T代表TSOP；Q代表TQFP；I代表BLP；L代表CSP(LF-CSP)。第11字段代表内存的速度，5代表5ns(200MHz)；55代表5.5ns(183MHz)；6代表6ns(166MHz)；7代表7ns(143MHz)；K代表7.5ns(PC133@CL=2)；H代表7.5ns(PC133 @CL=3)；8代表8ns(125MHz)；P代表10ns(PC100@CL=2)；S代表10ns(PC100@CL=3)；10代表10ns(100MHz)。

请教怎么识别现代内存芯片

3，hy5du12822ctpd43内存芯片是多少位芯片可不可以用于路由器百度

这是8位的不能用于路由硬改。16位的颗粒有以下型号可用于路由硬改：sd颗粒脚数： 27 54ddr颗粒脚数： 33 66内存条单面有4颗粒和8颗粒区分:4颗粒的绝对是单颗16bit8颗粒的有可能是单颗16bit 也可能是单颗8bit双面16颗粒的:绝对不会是16bit,有可能是8bit,也可能是4bitDDR(16位)：HY5DU561622DT-J 32m (333MHz)NT5DS16M16CT-6K 32m (333MHz)HY5DU561622AT-H 32m (266MHz)NT5DS16M16BT-6K 32MHY5DU561622ETP-D43 32MWINBOND W9425G6D(E)H-5 32MNANYA NT5SV16M16AT-75B 32MHY（现代） HY5DU121622C(D) TP-D43 64MVDATA VDD9616A8A-6B H0513 64MMT（镁光）46V64M16 P-6TA 128Mmt46v64m16tg-6t 128MMT（镁光）46V32M16 64MELPIDA\尔必达 D5116AFTA-5B-E 64M金邦 GL3LC32G16TG-5A 64MPC400 / DDR 400 64MB (32MB x 16bit)Hynix HY5DU121622DTP-D43-C Hynix HY5DU121622DTP-D43 Hynix H5DU5162ETR-E3C Samsung K4H511638G-LCCC Samsung K4H511638J-LCCC Zentel A3S12D40ETP-G5 Nanya NT5DS32M16BS-5T Mira P3S12D40ETP-GUTT Infineon HYB25D512160BE Infineon HYB25D512160BE-5 PC333 / DDR 333 64MB (32MB x 16bit)Micron MT46V32M16TG-6T:F Micron MT46V32M16P-6T:F Elpida EDD5116ADTA-6B-E Qimonda HYB25D512160CE-6 Qimonda HYB25D512160CEL-6 Qimonda HYB25D512160DE-6 Hynix HY5DU121622CTP-J Samsung K4H511638D-UCCC Samsung K4H511638B-TCB3 Samsung K4H511638D-UCB3 Hynix HY5DU121622CTP-J Hynix HY5DU121622CTP-D43 Hynix HY5DU121622CLTPHynix HY5DU121622DTPHynix HY5DU121622DLTPKingston K4H511638C-UCB3Elpida D5116AFTA-5B-ENCP NP25D3216512K-5Nanya NT5DS32M16BSinfineon HYB25D512160BEMicron MT46V32M16TGMicron MT46V32M16TG?Elixir N2DS51216BT-5TElixir N2DS51216CS-5TZentel A3S12D40ETPSD(16位)：K4S561632D-TC75 32M K4S281632F-TC75 16M hy57v281620hct 16M P2V28S40ATP 16M MT48LC8M16A2-75 16M MT48LC16M16A2 32M HY57V561620A/B/C/L/T-75 32MB IC42S16800-6TG 16MB IC42S16160-6TG 32MB GP6LC16G168TG-7 32MB W981216AH-75 16MB M2V28S40ATP-6L 16MB EM639165TS-6 16MB k4s511632d-uc60 64MB MT48LC32M16A2-UC60 64MB英飞凌 HYB39S128160CT-7.5 16MHYB39S256160CT-7.5 32mRC56S161TA0-13AC 32M

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