mos管的vgs最大多少，MOS管关闭状态下栅极电压最大能允许多大是不是在接近导通电
来源：整理 编辑：亚灵电子网 2023-09-26 12:05:59
1，MOS管关闭状态下栅极电压最大能允许多大是不是在接近导通电
一般在3.3~4v时可以导通，10v是内阻达到最小，不要超过10v使用实际使用的时候，要想使其可靠截止，尽可能将VGS保持0或反向电压，即N沟道，VGS≤0V，P沟道≥0V。
2，N沟道MOS管的datasheetVGSth Min06V Max12V 请问什么意思
指的是开启电压，最小0.6V，最大1.2V。就是这个型号的管子的开启电压（GS之间加上一定的电压刚刚好使DS之间开始导通，这个电压就是开启电压）从0.6到1.2V之间，每个管子都有所不同，这是制造时的离散性造成的。
3，请教一下MOS管的参数说明 想知道在5V的时候可以通过最大电流是怎
1，这是P MOSFET管，所以当VGS为负压的时候才会导通2，在VGS=5V时候最大电流，这个不是计算出来的，而是规格书上面有的3，RDS是导通后源极和漏极的导通电阻，从你资料上看，VGS=-10V的时候导通电阻只有75耗欧姆
4，mos参数问题
首先irf540n是N-MOS；通常用与低端（边）驱动，接地端，导通条件4V<=Vgs<=10V；P-MOS一般才是用作高端（边）驱动；参数说明：1&2 问题不全；3 栅极对源极的电压，即导通电压最高4V（可靠导通，最好Vgs要大于4V）；4 栅极对源极的耐受电压，导通情况下测量得10V（这没说是最大值，但姑且按它是最大值吧）；5 漏极对源极的耐受电压为100V。
5，moS管VGS电压高于规定值会产生什么情况
一个特定MOS管的阈值电压是固定的。你如果说的是，对MOS管所加的VGS大于所规定的最大值，mos管会怎么样的话。如果对mos管所加的VGS大于所规定的最大值，会损坏mos管。一个特定mos管的阈值电压是固定的。你如果说的是，对mos管所加的vgs大于所规定的最大值，mos管会怎么样的话。如果对mos管所加的vgs大于所规定的最大值，会损坏mos管。
6，开关管的技术参数有那些
电子行业用的开关管分双极型和MOS型两大类以及两者复合的IGBT。双极型主要参数：集电极最大允许电流 ICM，基极开路时，集电极-发射极反向击穿电压BVCEO，集电极最大允许耗散功率PCM，特征频率fTMOS型主要参数：Vds： DS击穿电压.当Vgs=0V时，MOS的DS所能承受的最大电压Rds(on)：DS的导通电阻.当Vgs=10V时，MOS的DS之间的电阻Id： 最大DS电流.会随温度的升高而降低Vgs: 最大GS电压.一般为：-20V~+20VIdm: 最大脉冲DS电流.会随温度的升高而降低，体现一个抗冲击能力，跟脉冲时间也有关系Pd: 最大耗散功率Tj: 最大工作结温，通常为150度和175度BVdss： DS击穿电压Idss: 饱和DS电流，uA级的电流Igss: GS驱动电流，nA级的电流.Td(on): 导通延迟时间，从有输入电压上升到10%开始到Vds下降到其幅值90%的时间Tr: 上升时间，输出电压 VDS 从 90% 下降到其幅值 10% 的时间Td(off): 关断延迟时间，输入电压下降到 90% 开始到 VDS 上升到其关断电压时 10% 的时间Tf: 下降时间，输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时间 IGBT主要参数：集电极、发射极间电压 VCES （栅极、发射极间短路时的集电极，发射极间的最大电压）栅极发极间电压 VGES （集电极、发射极间短路时的栅极，发射极间最大电压） 集电极电流 IC （集电极所允许的最大直流电流） 耗散功率 PC （ 单个IGBT所允许的最大耗散功率） 结温 Tj (元件连续工作时芯片温厦) 关断电流 ICES (栅极、发射极间短路，在集电极、发射极间加上指定的电压时的集电极电流) 漏电流 IGES (集电极、发射极间短路，在栅极、集电极间加上指定的电压时的栅极漏电流) 饱和压降 V CE(sat) (在指定的集电极电流和栅极电压的情况下，集电极、发射极间的电压) 输入电容 Clss (集电极、发射极间处于交流短路状态，在栅极、发射极间及集电极、发射极间加上指定电压时，栅极、发射极间的电容)开关电源的技术参数1、体积小、重量轻：由于没有工频变压器，所以体积和重量只有线性电源的20～30%。2、功耗小、效率高：功率晶体管工作在开关状态，所以晶体管上的功耗小，转 化效率高，一般为60～70%，而线性电电源只有30～40%。
文章TAG：
mos管的vgs最大多少mos管 最大 大多
