mos管导通电压是多少，单片机 MOS管莫斯管 ru75n08的栅极导通电压是多少别的参数呢

1，单片机 MOS管莫斯管 ru75n08的栅极导通电压是多少别的参数呢

电流：80A 耐压：75V Vgs：正负25V RDS：8毫欧

单片机 MOS管莫斯管 ru75n08的栅极导通电压是多少别的参数呢

2，IRFB3206的导通电压是多大啊还有mos管的导通电压是不是电压

最佳导通电压为20V，这个在规格书上有写的。在0~30V以内Vgs电压越大，导通内阻越小，但要注意MOS管的耐压值，Vgs电压不能超过这个耐压值~

IRFB3206的导通电压是多大啊还有mos管的导通电压是不是电压

3，MOS 10N60 开启电压多少

10N60 VMOSFET的漏极电流Id为10A，耐压值为600，这类耐压值高达上百伏的MOS管的开启电压都较大，一般都在3~5V，而现在各种开关电源、充电器里面用的贴片MOS管，其开启电压低的仅有1V，大部分都在3V以下。

一般情况下都可以,要注意其耐压,只能高不能低,但某些地方需要注意其频率,导通电压等。

MOS 10N60 开启电压多少

4，MOSFET现在电压最高是多少

你是指cmos集成电路中的mosfet导通电压么？对于cmos电路来说，导通电压左右，也就是阈值电压是与工艺有关的。例如0.35um的工艺，pmos的阈值电压为-0.7v左右，nmos小一些，可能0.6v左右。工艺越先进，阈值电压越小，例如0.18um，pmos的阈值电压可能只有-0.4v左右，nmos更小一些，可能0.3v左右。

这个电压等级你用IGBT啊，高压的MOSFET损耗很大的

5，mos管导通电压大小是多大啊为什么mos管需要栅极驱动电路而类

一般MOS管的饱和电压在10V，也有3-5V的，同一个MOS管通过不同的电流栅极电压也不同的。MOS管它的极间电容比较大，为了使MOS管的开关速度快和减少功耗，就要对栅极快速充放电，驱动电路就是派这个用场的。双极型三极管的极间电容不大，所以不需要类似的驱动电路了。

三极管是的器件一般就几安。mos管是大电流的器件几十或者几百安以上，三极管是通过电流控制输出。mos是小电流的电压控制mos，然后输出大电流。实际应用主要是考虑电流大小选择mos还是三极管

三极管是【小电流控大电流】的器件。mos管是【电压控大电流】的器件，也就是说，前者是流控，后者是压控。

6，帮我分析下这个mos管电路门极电压是多少

Q94MOS的开通电压是12V，当Q92管子导通时，Q94是截止的，当Q92截止时，加在Q94的G的电压就是R097和R098的分压，割切R097的电阻很小，可以忽略，所以MOS的门极电压是大约12V。

你图上是双极性晶体管，按你说条件算它mos型晶体管。左边栅极电压为v_do_carera/(1+5.1)，右边，当v_do_carera=1v时是12v*(510/100k)，假设你的q92在电路中能完全饱和(c极电流大于12/510)，那么当v_do_carera=1v时，大约是q92饱和压降(或者导通阻抗压降)的(510/100k)。

大约1.2v。。。。。。。。。。

从电路上看，大概11V左右。

7，mosfet导通

这里你是没有说明两个条件，一是电源是交流还是直流的220V，这个电压很容易让人想到是交流市电，交流是不能直接接到MOSFET上的；二是你的MOSFET是N还是P型的，这对判断关断还是导通有很大的影响。N型MOS一般都是用S对地，G接电压控制，接地时截止，接高于地的电压开始导通，D输出，负载是从正电源到D之间连接，也就是说管子的D到S导通，让负载的负极接到地，关断时，负载的地断开；PMOS极性相反，S接正，G仍是控制，但接正时是关断，低于正的电压才是导通，D输出时，负载一端接地，一端接D极，MOS控制的是负载的正极。假设是NMOS，导通的要求就是VGS>0(理想值)，所以可以变形出公式VG>VS，这样当你上述的条件下，VG只有5V，VS=200V，那么显而易见的说，会截止。

你的公共点在那里呢就是gnd?还有两个交流和直流是否共地的?首先你看irf4905的datasheet,其vgs(th)等于-2v就导通,就是当g比s在小2v的情况下就导通了.之前用6v交流没导通的时候,g和s的值分别是12v和6v,vgs=+6v,绝对不会导通.后面的12v交流加入的时候,g和s的值都是12v,如果你的输入交流12v是指峰值电流,他还不回导通,但如果输入的12v交流是有效值,那它峰值肯定超过12,这时候s比g的瞬时电压差大,vgs有可能小于-2v,所以会导通.而且,如果不共地的话,没有参考点那两者电压比较就成了随机数,导通不导通就是随机的了!

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