晶振旁两个小电容一般是多少pf，6144MHZ的晶振两个匹配电容选多大

1，6144MHZ的晶振两个匹配电容选多大

晶振负载电容要包括振荡器的分布电容，为了性能稳定，晶振、电容、集成块要尽量挨近，一般取15~30pF，两个电容值一般相等，也不一定都要一致，由调试决定。

18pF左右再看看别人怎么说的。

一般5PF到25PF选择都应该可以。

6144MHZ的晶振两个匹配电容选多大

2，晶振电路中的两个小电容要怎样选取

晶振起振后的频率准确与否,和选取的C1,C2是否与晶振规格要求的负载电容要求相吻合有直接关系,计算公式如下:CL=C1*C2/(C1+C2)+5pF;算出的CL值要与晶振规格要求的负载电容尽量接近才能获得晶振的标称频率的振荡频率.一般电容的计算公式是：两边电容为Cg,Cd,负载电容为Clcl=cg*cd/(cg+cd)+a 就是说负载电容15pf的话，两边个接27pf的差不多了，一般a为6.5～13.5pF

晶振电路中的两个小电容要怎样选取

3，石英晶振得负载电容多少PF

一般可用10-47P任意一种规格。不用也可以，啥也不影响的。你试试就知道了。

将32768hz的晶振直接接到ds1302的x1，x2（2，3脚）就行了，不需要串联电容的，如果串联了反倒不起振了，因那是错误的用法。

晶振的负载电容是指在电路中跨接晶振两端的总我外界有效电容，是指晶振要正常振荡所需要的，一般外接电容是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容！容值大有利于晶振的稳定，但将会增加起振的时间，通常负载电容的值越大对频率所产生的牵引越小。如果负载电容过小则可能造成振荡电路起振困难，同时使用小的负载电容时，电容值稍有变化时会造成频率产生较大的漂移。

石英晶振得负载电容多少PF

4，晶振两边的电容要怎样选

在晶振应用中，几乎所有的线路设计都会有晶振外接电容，晶振两个脚的同一线路上焊接电容，线路的设计和到晶振的匹配电容不等，石英晶振DIP插件系列一般的常规16pf~22pf,贴片晶振的相对应负载电容比较低，一般是7pf~16pf.（1）：因为每一种晶振都有各自的特性，所以最好按制造厂商所提供的数值选择外部元器件。（2）：在许可范围内，C1,C2值越低，越接近，越好。C值偏大虽有利于振荡器的稳定，但将会增加起振时间。（3）：应使C2值大于C1值，这样可使上电时，加快晶振起振。晶振的外接电容，以及更详细资料请参考扬兴科技官方网站资料下载中的，晶振应用电路匹配。

5，25M晶振旁的电容具体容值和耐压值是多少

这个没有计算公式。耐压值可以取你的CPU工作电压，因为晶振是为CPU工作的，CPU上的电压就是晶振输出脉冲的幅值。具体的电容值，你需要参考CPU的元件手册，一般上面都会给出参考值，这个值是固定的，按照这个值就可以了。这两个小电容的电容值一般是22pF-22pF之间，其实耐压根本不用考虑，耐压最低的瓷片电容是25V的，目前还没有听说过工作在这么高电压的CPU。这里的CPU指的是微处理器，不是电脑上的CPU.

凭经验取值即可，两个小电容的电容值一般是几个皮法到几十皮法之间，耐压根本不用考虑，耐压最低的瓷片电容是25V的。该电容取值太大（如几百个皮法或以上）将使晶振停振，CPU不工作。实践中发现，取消亦无妨！

6，一般的电路里晶振旁边都接了两个电容是起什么作用的

是晶体的匹配电容，容量一般在 20 ~ 30pF 。这种接法是并联振荡电路，晶体呈现感性，与电容器构成电容三点式振荡电路。http://baike.baidu.com/link?url=ZuNneoZOU0bdWX9ItckGHBg-UQEHXrBB5_yLSMY8hkoGpBDNsBMwojph-y3hwACEWFpciyqmKT_pGOf10HhhrOK7NcUVM9Pcrj3_z4HrYO5lvU0g2QVzCzOCqaM_U4i1zQpSzREU-tLifoC7525U_PHtmPZQvfXl47KdjZp_VIxvfPHnEhCqfyNubJrK9LXY

7，晶振两边的电容要怎样选

晶振两边的谐振电容也称负载电容。晶体外壳所标注的频率，既不是串联谐振频率也不是并联谐振频率，而是在外接负载电容时测定的频率，数值界乎于串联谐振频率与并联谐振频率之间。当然，你也可以这样理解：晶振的标称值在测试时有一个“负载电容”的条件，在工作时满足这个条件，振荡频率才与标称值一致,也就是说，只有连接合适的电容才能满足晶振的起振要求，晶振才能正常工作。希望对你有所帮助。

8，你好我想问下晶振两端的电容起什么作用为什么一般要选取几

有协助起振与稳定振荡的作用。一般频率高的会用较低的电容、频率低的会用较高的电容。电容过大会使信号衰减、并因吸收能量过大而抑制振汤。进一步理论可看讲晶体振荡电路的书籍 (英文关键字: Crystal Oscillator)、实用电路讲解可看各厂商的应用笔记 (晶振厂商、MCU 厂商的 Application Note, AppNote)等。

个人积累的一些，希望对你有帮助。晶振电路中两端的电阻电容的作用：并联电阻的四大作用：1、配合IC内部电路组成负反馈、移相，使放大器工作在线性区；2、限流防止谐振器被过驱； 3、并联降低谐振阻抗，使谐振器易启动；4、电阻取值影响波形的脉宽。两端电容的作用：这个是晶体的匹配电容，只有在外部所接电容为匹配电容的情况下，振荡频率才能保证在标称频率附近的误差范围内。最好按照所提供的数据来，如果没有，一般是30pF左右。太小了不容易起振。在某些情况下，也可以通过调整这两个电容的大小来微调振荡频率，当然可调范围一般在10ppm量级。常见晶振异常：1. 晶振时振时不振------a:晶振负载与两端电容不匹配造成频率偏差太大；b:晶振本身有问题，寄生&阻抗值波动大&内部焊点不牢等。2. 晶振装板上不行，用电热风催一下或者拆下来重新装上去又可以了------主要是晶振负载与两端电容不匹配造成频率偏差太大。电热风催实际是相当于改变了线路的杂散电容。3. 晶振负载与晶振两端的电容的匹配-------CL=(C1*C2)/(C1+C2)+C” 其中CL:晶振的负载电容值； C1 C2：晶振两端的电容值；C”：线路杂散电容晶振的匹配电容的主要作用是匹配晶振和振荡电路，使电路易于启振并处于合理的激励态下，对频率也有一定的“微调”作用。对MCU，正确选择晶振的匹配电容，关键是微调晶体的激励状态，避免过激励或欠激励，前者使晶体容易老化影响使用寿命并导致振荡电路EMC特性变劣，而后者则不易启振，工作亦不稳定，所以正确地选择晶体匹配电容是很重要的

9，这几个电容的容值是多少

你上面那两个是该电容在电路中位置的编号，下面的 104是 0.01μf, 472 是4700P24V, 33J是33P 误差5%，耐压1000V的这个是对的。

这个没有计算公式。耐压值可以取你的cpu工作电压，因为晶振是为cpu工作的，cpu上的电压就是晶振输出脉冲的幅值。具体的电容值，你需要参考cpu的元件手册，一般上面都会给出参考值，这个值是固定的，按照这个值就可以了。这两个小电容的电容值一般是22pf-22pf之间，其实耐压根本不用考虑，耐压最低的瓷片电容是25v的，目前还没有听说过工作在这么高电压的cpu。这里的cpu指的是微处理器，不是电脑上的cpu.

你上面那两个是该电容在电路中位置的编号，下面的 104是 0.01μf, 472 是4700P24V, 33J是33P 误差5%，耐压1000V的。

B0831(NICHICON)B0909(NICHICON) 数字应该是生产周期，看不出容量,英文字母是商标104 意10后面加上4个“0”皮法就是100000pF 也就是0.1uF（微法）472u=47×10^2uF=4700uF33J=0.33uF

上面的回答都不够专业，还是看我的答案吧。B0831(NICHICON)B0909(NICHICON) 数字应该是生产周期，看不出容量,英文字母是商标104 意10后面加上4个“0”皮法就是100000pF 也就是0.1uF（微法）472u=47×10^2nF=4700nF33J=33nF识别方法：电容的识别方法分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉（F）表示，其它单位还有：毫法（mF）、微法（μF）/mju:/、纳法（nF）、皮法（pF）。其中：1法拉=1000毫法（mF），1毫法=1000微法（μF），1微法=1000纳法(nF)，1纳法=1000皮法(pF) 容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 μF/16V 容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示字母表示法：1m=1000 μF 1P2=1.2PF 1n=1000PF 数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数宇，第三位数宇表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。如：102表示标称容量为1000pF。 221表示标称容量为220pF。 224表示标称容量为22x10(4)pF。在这种表示法中有一个特殊情况，就是当第三位数字用"9"表示时，是用有效数宇乘上10的-1次方来表示容量大小。如:229表示标称容量为22x(10-1)pF=2.2pF。允许误差 ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20% 如：一瓷片电容为104J表示容量为0.1 μF、误差为±5%。

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