1,谁知道MOS管正常工作的话 G与D之间电压是多少

没有固定值 要试情况而定
是DS(工作)电流的函数,理想的为二次根式型。一般G高于S约1~2V。楼主概念有误:G与D没有什么定量的联系,只要D高于G就可以正常工作。
你好!不知道如有疑问,请追问。

谁知道MOS管正常工作的话 G与D之间电压是多少

2,关于PMOS栅源电压

你的H桥是P-Nmos管组合的那种吧,保证栅源电压小于20V可以在栅源之间并上一个稳压二极管来钳制栅源电压。N管同样如此
vds是漏源电压,不是栅源电压。pmos 漏源最大vds=-30v,表示漏极与源极之间耐压为30v,前面有负号表示p沟道的mos管电压极性是相反的(与n沟道相比)。

关于PMOS栅源电压

3,MOS 10N60 开启电压多少

10N60 VMOSFET的漏极电流Id为10A,耐压值为600,这类耐压值高达上百伏的MOS管的开启电压都较大,一般都在3~5V,而现在各种开关电源、充电器里面用的贴片MOS管,其开启电压低的仅有1V,大部分都在3V以下。
一般情况下都可以,要注意其耐压,只能高不能低,但某些地方需要注意其频率,导通电压等。

MOS 10N60 开启电压多少

4,在MOS门电路中欲使PMOS管导通可靠栅极所加电压应 开

显然应该填写“大于”。
题目说的不清楚,首先要知道基底接在什么 地方,总的来说就是栅极的电压比基底的电压小,如果基底接的是地,那就是小于UTP
认真审题后:题目已经提示了管子是P型MOS管,开启电压UTP<0的,所以开启电压的绝对值要大的话,电压就要低于UTP,应该填“小于”。
N-MOS大于,P-MOS小于
小于

5,1MA等于多少A1Ah等于多少KW

1mA=0.001AAH与KW不能换算,但是AH可以与KWH换算。A(安培):电流强度单位,安培是电流的国际单位,简称为安,符号为A,定义为:在真空中相距为1米的两根无限长平行直导线,通以相等的恒定电流,当每米导线上所受作用力为2×10^(-7)N时,各导线上的电流为1安培。1安培=1000毫安(mA);1毫安=1000微安(μA)AH(安时):是规范用语,广泛应用在电源领域。如充电电池,上边标有“2300毫安时”等各种型号的数值,是电池的容量表示,是电池性能的重要指标。即放电电流(安培A)与放电时间(小时H)的乘积.

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