多少v电压才能驱动mos管，MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少
来源：整理 编辑：亚灵电子网 2023-04-22 09:06:08
1，MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少
正常驱动10-15，不要超过20V。
开启的阈值电压4-5V。
关断最好有-5到-10V，或者保持低阻。
2，MOS管漏级接280V的直流高压那么栅极需要多大电压驱动呢
栅极的控制信号要在正负20V以内,一般正负12V则可以正常工作了.如果是做开关管的话，请使用隔离变压器驱动PWM信号再看看别人怎么说的。
3，想用DSP输出的PWM直接驱动MOS管怎么办电压达不到4V加个怎
很多，非隔离的IR2110系列，隔离的光耦A3120,TLP250等，三极管+变压器也可以你好！图腾柱，tc4426希望对你有所帮助，望采纳。
4，mos参数问题
首先irf540n是N-MOS；通常用与低端（边）驱动，接地端，导通条件4V<=Vgs<=10V；P-MOS一般才是用作高端（边）驱动；参数说明：1&2 问题不全；3 栅极对源极的电压，即导通电压最高4V（可靠导通，最好Vgs要大于4V）；4 栅极对源极的耐受电压，导通情况下测量得10V（这没说是最大值，但姑且按它是最大值吧）；5 漏极对源极的耐受电压为100V。
5，请教mos驱动电压问题
这个问题不难啊!! 不一定限定在10V遇到难题要学会转弯加个7812就可以得到12V 了瞬间电流大, 加一点点电容就OK电容可以提供瞬间电流啊可以用7660集成电路来升压，但是输出电容要大一些如1000U，这样就可以驱动VMOS管子了。VMOS管子栅极充电是瞬间的，可以靠电容放电解决，不需要1A电源的。一般使用的驱动电源 --- 高阀值的FET，是12V，虽然电流很大，但那是瞬间的，只要有个瓷片电容并上就行。看下datasheet，最低10V 看看28V可不可以直接用~~，不行的话，整个降压的DC-DC吧，升压感觉不太划算..电阻分压貌似电流会很小的...
6，关于MOS开关管驱动
Vd<Vg-Vth时，NMOS工作在线性区，也就是不饱和导通区，并不是真正的导通。和你的理解正好相反。高压NMOS的开启在2V左右，所以30V的GS电压已经够了，甚至偏高。因为一般DS耐压100V左右的NMOS，其栅极耐压也就20或30V，这个要看你的MOS的说明书。理论上，GS电压越高，NMOS导通内阻越小，但是，由于要给栅极电容充电到高压，所以整个开启速度会变慢，所以并不是电压越高越好。关于周期，你可以用你的驱动电流和栅极电容进行计算，看看开启速度能不能满足你的要求。Vd<Vg-Vth，工作在线性区。看MOS管的Vth为多少，器件手册上都有，你的PWM输出电压最好加个驱动，越高越好，这样管子导通时内阻小，但是电压太高会使管子击穿，设计时注意安全工作区。mos管开通过程的电流有点像给电容充电的过程（但不完全一样），他的电流是时时刻刻都变化的，如果你问的时候充电瞬间的最大电流，他可以达到1个或几个安培的电流，为此需要选的的驱动器最大电流最好是接近或大于这个值，不然影响开关速度，增加损耗，
7，单片机版驱动一个mosfet
亲！单片机驱动mosfet一般都需要隔离的，因为工作电压差别比较大，而且单片机一般是5V以下，很多mosfet的驱动电压要求10V以上才能完全导通简单一点的你可以用个光耦做隔离，单片机PWM连接光耦的输入（要加限流电阻），光耦输出通过一个电阻连接mosfet电源或者S极你可以参考下图，是我自己做的，调节有刷直流电机转速的基本原理，其它外设没有画。负载是一个普通的直流有刷电机，用的PC817光耦隔离单片机和电机电路。51单片机输出PWM控制PC817的导通关断从而间接控制mosfet的通断，改变PWM占空比可以调节电机转速。R1是PC817的限流电阻，R2是因为V比较高，所以要调节到mosfet允许的驱动电压范围，多数的mosfet都是10V以上可以接近完全导通，此时损耗比较小，但一般小于15V，因为很多MOSFET栅极允许电压都要求不高于20V，留几V做设计余量，可以理解为高铁设计时速400，实际只跑300一样的道理需要光耦隔离：单片机输出PWM接入一个驱动芯片的输入端，让驱动芯片输出端驱动MOSFET开关管。驱动芯片可以选IR2110、IR2302等
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