三极管加偏置电阻设置多少，三极管的偏置电阻怎么计算
来源：整理 编辑：亚灵电子网 2022-12-09 03:59:06
1，三极管的偏置电阻怎么计算
还真说不好，看看三极管在电路中的作用，如果担任开关作用的话，要求不高的，如果在要求高的放大电路上还要考虑加在三极管各端的电压、三极管的放大倍数的问题。。。三极管的偏置电阻应该根据三极管的放大倍数和工作点初步计算后来进行选择，但必须通过实际调试结果才能确定。
2，三极管的偏置电阻一般为多大最好
Rb一般在几百到几KRc一般在几K到几十KRe一般在几十到几百之间~你可以用一个小一点的偏置电阻后有加一个可调电阻,就可以调到电路的最佳工作状态.看你要工作在什么状态了放大：要根据Ic和放大倍数来算Ib，和三极管的参数有关开关：根据Ic来算，和三极管的参数有关，饱和就行，过饱和就不容易关断！
3，三极管基本放大电路偏置电阻怎样设置
数字万用表测的hFE与实际的往往有很大差距，原因是其值与工作点有极大的关系，在非饱和状态下，主要是与电流关系很大。你的Uce较低，电流又大，如果管子是处理品，则有进入饱和区的可能，hFE会更小。数字万用表测的hFE只能做参考。你最好有具体的线路。由于线路的方式不一样，要求不一样，偏置的设置就自然不一样。
4，三极管偏置电阻怎样设置
基极串一个50千欧的电阻。然后集电极串一个500欧的电阻，使三极管的电压降差不多是电源的1/2，工作在放大状态。 这个就是最简单的一个放大电路 根据Ic=50Ib方法计算三极管一般为三种状态，截至，放大，饱和，截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态。 放大状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用 饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。调整三极管中频放大电路，主要是掌握各级中放管集电极静态电流即可。第一级0.5毫安，第二极0.6毫安，第三极0.7毫安。用半可调电阻串联在基极偏流回路中，调整好电流之后，摘下电阻和半可调电阻用万能表测阻值，再换一个固定电阻焊上（当然串联一个200k的电位器更好）。你问电阻值谁也无法回答。管子特性不同，贝特不同，电阻值就不同。
5，三极管的偏置电阻大小怎样确定
偏置电阻的确定需要根据三极管本身的特性,以及在电路中的功能来确定.小信号放大和大信号放大又不一样.这是由于三极管在不同偏置电流下放大失真不同.(工作)偏置电压一般不高于管子最大耐压的一半.电流在小信号下,为保证最好的放大失真,根据放大倍率确定负载线,根据负载线决定工作点下尽可能小一些.在大信号放大时,为满足大动态特性,静态工作电流一般比较大,大约在1/3--1/4额定电流以下,以保证有足够的功率以及最小的失真.这样三极管的发射状态是使它的集电极与发射极之间处于导通与截止的临界状态不知道你的三极管是PNP还是NPN但可以在基极接一15K左右的可调电阻，再用精确一些的万用表，监测Ice同时用调整可调电阻使三极管的集电极与发射极之间进入导通与截止的边界此时量出可调电阻的阻值即可！大小确定方法：三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。调整三极管中频放大电路，主要是掌握各级中放管集电极静态电流即可。第一级0.5毫安，第二极0.6毫安，第三极0.7毫安。用半可调电阻串联在基极偏流回路中，调整好电流之后，摘下电阻和半可调电阻用万能表测阻值，再换一个固定电阻焊上（当然串联一个200k的电位器更好）。你问电阻值谁也无法回答。管子特性不同，贝特不同，电阻值就不同。
6，三极管基极偏执电阻怎么设置
首先要明白 放大和开关的工作状态 开关就是在截止和饱和导通之间切换，所以放大时，集电极电流未饱和，开关时，集电极电流饱和了。可以根据集电极饱和电流确定偏置电阻。如图。饱和电流 VCC/R1=5MA假设三极管放大倍数为100，那么饱和时基极电流为50UA，那么此时基极电阻应为VCC/50UA=100K。这是一个临界值。大于此值，电流不会饱和，处于放大状态，小于此值，电流就会饱和了，三极管可以工作在开关状态，。图中，三极管就是开关了！三极管基极和发射极之间就是一个正向的PN结，不论是开关还是放大，管子都是导通的，也就是说PN结导通，压降为0.7.也就是UBE被钳制在0.7V做开关管时,不需要偏执电阻. 作放大时,根据射击电流和放大的截止频率来设定积极偏执电阻.这个电路图是错误的！！！将三极管c、e互换才是对的，那样的话要根据三极管的放大倍数和继电器线圈电流进行计算，如：放大倍数为100，查得继电器线圈电流为20ma，r1=24/（0.02/100）=120000=120k，为了吸合时电流能大一点实际取110k.在数字电路中学习到非门的时候知道是利用三极管的开关特性来实现的。但现在有些疑问，希望各位老师解答。一些人说非门其实就是一个三极管的放大电路（BE正偏，BC反偏）。第一种情况B输入底电平，Vce输出高电平 （三极管截止区）如果B极不加电源（低电位），那么BE就没电流。但集电极的电位是电源通过了一个电阻后的电位，那C点为电源电位.是因为集电结断路吗. 所以电阻两边的电位跟电源正极一样. 第二种情况，B输出高电平，Vce输出低电平（三极管饱和区）B接电池正偏高电平，BE有电流， 三极管饱和，所以CE相当于通路，所以Vce等于0，所以出低电平。但如何实现集电极的导通从而饱和的呢？有人说是因为B点的电位高于C点的电位， 所以集电结正向偏置，2个PN结都导通，所以饱和。这个说法究竟对不对
7，三极管的偏置电阻如何计算
可以这样来理解，当三极管工作在放大状态时，为保证信号输出不失真，Vce静态工作点通常取电源电压Vcc的一半，这样静态时集电极电阻Rc两端电压也是0.5Vcc，Ic=0.5Vcc/Rc（为保证三极管的安全静态Ic值必须小于0.5Icm，调整Rc值可以满足要求。或者根据公式Rc=Vcc/Icm求得最小Rc电阻值），这样就准确求得了集电极静态电流Ic，再反推求得基极偏置电阻。这个电路中二个管子都不是工作在放大区,它们都是作为开关,工作在饱和导通与截止状态,所以电路中所有电阻的取值范围相对比较大,也比较容易,其中Q1是主开关管,负载上的电流完全由它提供,一般采用中功率或大功率管,Q2是作为反向器用,兼有进一步减小控制电流的作用,采用小功率管即可. R1是为了旁路Q2的漏电流而设的,一般小功率管Q2的漏电流Iceo都在1uA以下,为了不使这1uA进入Q1的发射结使它不受控制而导通,就要使1uA产生的电压小于Q1的导通电压,一般采用的都是硅管,Ube都是0.7v,只要它在0.5v以下即可,所以R1=U/I=0.5v/1uA=500K以下,为了确保可靠及温度等的影响,取计算值的10倍以下,即50k以下,一般取10k-20k之间,R2是根据负载上的电流和Q1的放大倍数取的,如:负载有500mA,Q1的放大倍数为100,Q1的Ib=500mA/100=5mA,Q1的b极与Q2的c极之间最大是11.3v(Q2饱和导通时Uceo一般在0.2v以下,可不计),R2=U/I=11.3v/5mA=2.3k,理论上2.3k就可让Q1进入饱和,但为了电路可靠,有必要让Q1进入深度饱和,所以Q1的Ib要比计算值大1倍及以上,因此R2可取1k-1.2k之间,至于Q2的b,e极间电阻,作用与R1同,是为了旁路干拢信号及漏过来的开关信号电压,取值也与R1同,基极上的电阻(设为R3)是为Q2的发射结限流及保护上一级(输出开关信号的输出级)不至于因输出电流太大而损坏,Q2的工作电流是Q1的Ib的1倍,即5mA+5mA=10mA,一般小功率管的放大倍数取100,Q2的Ib=10mA/100=0.1mA,控制信号如为PC机输出,电压在5v以下,则R3=U/I=(5v-0.7v)/0.1mA=43k,理论上43k就可让Q2进入饱和,同理,为了让Q2进入深度饱和,R3应取计算值一半以下,考虑到Q2的b,e极间电阻的存在,R3取10k-20k. 上图中由于Q2的放大作用,使Q1的控制端信号电流由10mA变成为0.1mA,大大减轻了控制器的负担.Q2的另一个作用是作为反向器,因为控制器通常是输出高电平有效,Q2的存在就使Q1的低电平有效改为高电平有效了.一般三极管的限流电阻在集电极或发射极，你的电路图发来看看
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