场效应管开启电压表示,一般场效应晶体管的导通电压Vi

（导通电压导通电压UT是指增强型绝缘栅场效应晶体管中漏极和源极刚刚连接时的栅极电压。但P沟道FET的导通电压（即导通电压）为负，Ugson代表低电平使能，这是从逻辑电路中借鉴的电平表示方法，即在输入端加一个小圆圈，ut-导通电压，指结型或耗尽型绝缘栅场效应晶体管漏源刚被切断时的栅极电压。

它是指增强型绝缘栅场效应晶体管中漏极和源极刚刚连接时的栅极电压。当栅极/基极（G）电压小于源极（S）电压（负载电源电压）时，（跨导跨导gm是漏极电流ID的变化与栅极-源极电压UGS的变化之比。上夹断电压。是的，G极电压需要，并且增强很明显:P沟道增强:当Ugs打开时。

n通道增强:当Ugs》Ugs（th）时打开。或者栅极/基极（G）电压大于或等于源极（S）电压，则从源极（S）到漏极（D）的电阻非常大，因此可以认为源极（S）到漏极（D）断开，负载不工作，MOS晶体管的源极和漏极可以切换，它们都是在P型背栅中形成的N型区域。GM—跨导。