门级比较电压,电压比较器的mosfet为

电压比较器的输出可以输出足够的电流来驱动三极管。例如，某些门电路中驱动晶体管的O电平开路，电流无法以高电平输出，因此只能通过外部上拉电阻来实现，如果栅极电阻太小，IGBT承受短路和过电流的能力将降低，这将导致关断电压尖峰，-你是指电压吗？如果栅极电阻过大，但驱动板的驱动功率不够，则栅极驱动信号会振荡。

当它不导电时，电压等于施加在阳极和阴极两端的电压，它是否导电由栅极（控制电极）的触发器控制。当减去电压时，输出的“差异”与“窗口比较器”相连-注意，在工程实践中，没有严格的“相等”概念，因此应使用窗口比较器。晶闸管的栅极和阴极只是一个PN结。导通后电压和栅极电阻过小时，短路过流能力会下降。阻力；晶闸管导通后，ab端的电压差约为，

左右，阳极和阴极相当于一个静态开关，导通后的电压与O类开路情况下使用的第一种接近。任何半导体元件，包括晶闸管，都是非线性元件，因此不同的万用表测量的值可能不同，由于万用表的内阻不同，或档位和电池不同，被测元件的测量电压不同，流经元件的电流也不同。相对于开路电路，几乎没有电流流过这两个电路。