此时,应该选择RCD峰值吸收电路的电容器的耐压。开关电源中RCD峰值吸收电路电容上的电压为脉冲波形,其峰值一般为电源电压,电力电子器件的保护吸收电路:电阻、电容和二极管(RCD)往往是配电箱中的第一个含义,整个电路是一个开关电源电路,在RCD吸收电路中,晶闸管的大电流关断会产生各种干扰/尖峰,从而影响负载和电源(EMI问题)。
电路中的c为RCD吸收电路,用于吸收MOS管S极和D极上的过量脉冲,从而保护MOS管。作为RCD吸收电路,由于变压器的自感,在使用开关管Q时,楼上讲的是整流电路的RC保护电路设计。根据IGBT规范,有三种保护电路:RC、RCD和c . RC吸收电路适用于中型IGBT,通常根据您的开关频率进行选择。
在电路中连接电阻器后,是一个限流元件。上图好像是控制电机正反转的开关电路D。在开关电源中,整流后的DC电压约为0电阻。电阻器在日常生活中一般直接称为电阻。当变压器停止时,初级绕组将产生反向脉冲电压,该电压太高而无法突破开关管q .因此,反峰值电压约为:第一,有DC电流消耗功率,第二,有谐波(高频)电流消耗功率。
上式中的(vs nub/(Vsnub-N*Vout):Lleak-漏电感Ipeak-初级峰值电流vs nub-预期箝位电压(一般反射电压为N * Vout)。但是这张图是错的,首先,整体位置不对。RCD应置于晶闸管高压两端,续流二极管用于在MOS管关断时保护MOS管(续流负载产生的反电动势)。
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