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1，关于贝塔系数计算的

(10-4)/(20-4)=0.375
先算出各种资产的贝塔系数再根据各种资产所占比例加权平均

关于贝塔系数计算的

2，一般小功率半导体三极管的贝塔值在什么范围之内

不好说，既有几十的，也就超百的，还有几百的，范围非常大，离散性非常强。一般情况下，同一型号、同一批次的三极管，β值都比较集中在一定范围内。要以实际测试结果为准。

一般小功率半导体三极管的贝塔值在什么范围之内

3，值为80左右的三极管型号在线等急

老式的型号3DG6，3DG12B，3AX31B,3AX81B,3CG21C,3DA27。这些都行。新式的9011，9012，9013，9014，9015，8050，8550这些也行。

值为80左右的三极管型号在线等急

4，三极管mrf5711贝塔值是多少

场效应管 IRF3205 98A / 55V /150W 2SK3138 MTH5010 IRF3205L 110A /55 / 200W IRF3205S

5，计算贝塔值

某股票预期收益率=无风险收益率+贝塔系数*(标的指数预期收益率-无风险收益率)故此设要求的该股票贝塔值为X，则有以下等式：11%=4%+X*(18%-4%)解得X=0.5该股票的贝塔值为0.5。

6，三极管的值怎么算

β＝Ic/Ib 。三极管直流放大倍数，等于集电极电流除以基极电流。电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。扩展资料：由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。参考资料来源：百度百科--三极管

7，三极管mrf5711贝塔值是多少

场效应管 IRF3205 98A / 55V /150W 2SK3138 MTH5010 IRF3205L 110A /55 / 200W IRF3205S
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8，投资组合的贝塔值计算

投资组合的贝塔是各个股票的贝塔的加权平均，具体地投资组合贝塔=1×20%+20×10%+91×30%+52×40%=50.3你再核对一下四个股票的贝塔，怎么会到20、91、52这么大？一般来说，贝塔大于2就算是波动很大的股票了。计算方法同上，供参考。

9，怎样估算开关三极管处于饱和状态下的贝塔值是多少

三极管饱和状态下没有放大能力，所以没有贝塔值是多小一说。三极管饱和以后基极电流的增加与减小。集电极电流不再发生变化（集电极电阻限制电流的变化），所以没有放大能力。
指三极管的电流放大倍数，具体讲是指当极极管处于放大工作状态时，集电极电流与基极电流之比，即β=ic/ib．三极管的β值为一定值，是三极管的一重要参数．

10，三极管9014的beta值是多少

9014的beta值为400。9014参数如下：集电极漏电流ICBO VCB=60V,IE=0 100 nA发射极漏电流IEBO VBE=5V,IC=0 100 nA集电极、发射极击穿电压BVCEO IC=1mA,IB=0 50 V发射极、基极击穿电压BVEBO IE=10μA,IC=0 5 V集电极、基极击穿电压BVCBO IC=100μA,IE=0 60 V集电极、发射极饱和压降VCE(sat)IC=100mA,IB=10mA 0.25 V基极、发射极饱和压降VBE(sat)IC=100mA,IB=10mA 1.0 V直流电流增益HFE1 VCE=6V,IC=2mA 120 700HFE2 VCE=6V,IC=150mA 25参数符号标称值单位集电极、基极击穿电压VCBO 60 V集电极、发射极击穿电压VCEO 50 V发射极、基极击穿电压VEBO 5 V集电极电流IC 150 mA集电极功率PC 625 mW结温TJ 150 ℃贮存温TSTG -55-150 ℃6发射△电参数（Ta=25℃）
集电极漏电流icbo vcb=60v,ie=0 100 na发射极漏电流iebo vbe=5v,ic=0 100 na集电极、发射极击穿电压bvceo ic=1ma,ib=0 50 v发射极、基极击穿电压bvebo ie=10μa,ic=0 5 v集电极、基极击穿电压bvcbo ic=100μa,ie=0 60 v集电极、发射极饱和压降vce(sat)ic=100ma,ib=10ma 0.25 v基极、发射极饱和压降vbe(sat)ic=100ma,ib=10ma 1.0 v直流电流增益hfe1 vce=6v,ic=2ma 120 700hfe2 vce=6v,ic=150ma 25参数符号标称值单位集电极、基极击穿电压vcbo 60 v集电极、发射极击穿电压vceo 50 v发射极、基极击穿电压vebo 5 v集电极电流ic 150 ma集电极功率pc 625 mw结温tj 150 ℃贮存温tstg -55-150 ℃6发射△电参数（ta=25℃）

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