死区电压是多少，死区电压

1，死区电压

由于二极管的非线性通电，死区电压略低于导通电压约0.1V-0.2V。导通电压硅管一般定为0.7V，但在大电流的情况下，该电压会有所上升。

死区电压

2，一般硅锗二极管的死区电压为多少导通电压后又是多少

一般大略估算是按照锗管0.12~0.2V，硅管0.5~0.7V。但是实际二极管并不理想，不是按照某一个电压分解导通与否，而是一个随着电压增加逐渐导通的指数曲线。下面是1N4007硅二极管实际电压和正向电流关系，差不多电流每增加10倍，电压增加0.1V：uA量级——0.4V；mA量级——0.7V；A量级——1V以上。

一般硅锗二极管的死区电压为多少导通电压后又是多少

3，死区电压是什么

死区电压也叫开启电压，是应用在不同场合的两个名称。在二极管正负极间加电压，当电压大于一定的范围时二极管开始导通，这个电压叫开启电压。锗管0.1左右，硅管0.5左右。死区电压是指在二极管应用在具体的电路中时，由于本身的压降，也就是供电电压小于一定的范围时不导通，造成输出波形有残缺，从供电电压经过零点直到输出波形残缺消失的时候，这一段电压就是死区电压，本质上就是二极管的开启电压。当二极管加上正向电压时，便有正向电流通过。但正向电压很低时，外电场还不能克服PN结内电场对多数载流子扩散运动所形成的阻力，此时正向电流很小，二极管呈现很大的电阻。当正向电压超过一定数值（硅管约0.5V，锗管约0.1V）后，二极管电阻变得很小，电流增长很快。这个电压往往称死区电压。理想二极管：死区电压=0 ，正向压降=0实际二极管：硅二极管的死区电压为0.5V，正向压降为0.6~0.7V锗二极管的死区电压约0.1V，正向压降为0.2~0.3V

死区电压是什么