gan基led发出的光的波长是多少,GaN基白光LED行中的GaN基是什么意思
来源:整理 编辑:亚灵电子网 2023-11-20 10:27:52
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1,GaN基白光LED行中的GaN基是什么意思
GaN,即氮化镓,属六角纤锌矿结构。在T=300K时为,是半导体照明中发光二极管的核心组成部份。
2,普通灯发出的光其波长范围为多少
普通灯泡发出的光是可见光,它的波长一般在:380nm---760nm之间白炙灯发出的光更类似于太阳光,属于全波段辐射,日光灯是线状分离光谱,由气体发出,其中因含有蓝色谱带而使光呈白色。
3,紫外LED发光管验钞用发出的波长是多少
紫外线是在光谱的紫光之外,看不见的一种光,验钞机上是紫外线灯,他看起来是淡蓝的,是因为它除了发出紫外线外还发出少量蓝光和紫光,真正对验钞有用的是他发出的紫外线,不是我们看到的普通紫光与蓝光。紫外线我们是看不到的。哥儿们,够清楚了吧。
4,LED 芯片的 输出波长 是什么
LED芯片通电后会发光,输出波长就是发出的光的波长你是不是在问白光LED的芯片啊? 现在的白光LED, 都是发蓝光的芯片, 发出的蓝光中心波长在450nm左右.芯片的波长好像和坐标和色温并没有什么直接联系吧!影响色温的主要因素应该是胶水和荧光粉的配比。
5,LED的红外波长范围是多少
红外线发光二极管红外线LightEmittingDiode。主要以GaAs系列材料发展为主,通常以LPE液相磊晶法的方法制作,发光波长从850~940不等。我们知道,人的眼睛能看到的可见光按波长从长到短排列,依次为红、橙、黄、绿、青、蓝、紫。其中红光的波长范围为0.62~0.76μm;紫光的波长范围为0.38~0.46μm。比紫光波长还短的光叫紫外线,比红光波长还长的光叫红外线。红外线遥控就是利用波长为0.76~1.5μm之间的近红外线来传送控制信号的。红外遥控系统常用的红外遥控系统一般分发射和接收两个部分。发射部分的主要元件为红外发光二极管。它实际上是一只特殊的发光二极管,由于其内部材料不同于普通发光二极管,因而在其两端施加一定电压时,它便发出的是红外线而不是可见光。目前大量使用的红外发光二极管发出的红外线波长为940nm左右,外形与普通5发光二极管相同,只是颜色不同。
6,什么是白光LED的长波激发
白光LED1、概述GaN材料具有许多硅基半导体材料所不具备的优异性能,包括能够满足大功率、高温高频和高速半导体器件的工作要求,其中最重要的物理特点是具有更宽的禁带,可以发射波长比红光更短的蓝光。与红色激光和绿色激光不同,蓝色激光存在难以在常温下发出高功率光的缺陷。氮化镓基蓝光LED的出现使户外全色显示和半导体照明成为可能。具有全固体、冷光源、寿命长、体积小、光效高、响应速度快、耐久性好等优点,主要应用于大屏幕全彩显示、汽车灯具、多媒体显示、海洋光通讯等领域。对于一般照明而言,人们更需要白色的光源。1998年发白光的LED开发成功。这种LED是将GaN芯片和钇铝石榴石(YAG)封装在一起做成。GaN芯片发蓝光(λp=465nm,Wd=30nm),高温烧结制成的含Ce3+的YAG荧光粉受此蓝光激发后发出黄色光发射,峰值550nm。蓝光LED基片安装在碗形反射腔中,覆盖以混有YAG的树脂薄层,200-500nm。 LED基片发出的蓝光部分被荧光粉吸收,另一部分蓝光与荧光粉发出的黄光混合,可以得到得白光。现在,对于InGaN/YAG白色LED,通过改变YAG荧光粉的化学组成和调节荧光粉层的厚度,可以获得不同色温下(2700——8000K)的白光。表一列出了目前白色LED的种类及其发光原理。从表中也可以看出某些种类的白LED光源离不开四种荧光粉:即三基色稀土红、绿、蓝粉和石榴石结构的黄色粉,在未来较被看好的是三波长光,即以无机紫外光晶片加R.G.B三颜色荧光粉,用于封装LED白光。你好!我就是做led的,从来没有听说过有什么led的长波激发的……希望对你有所帮助,望采纳。
7,贴片led波长怎么控制
跟半导体材料有关。红光为GaAs基材料,黄、绿光为AlGaInP材料,蓝光为GaN基材料,紫外为AlN或者ZnO基材料。每种颜色又可通过调节量子阱的掺杂程度对波长进行一定范围的调节。
http://bbs.ledwn.com/thread-8260-1-1.html
以YAG-04为例,其吸收波段为:430-490nm,发射波长:558nm(见表1)。图1是其发射光谱图,图2是荧光粉的吸收和发射光谱图。 表1 图1 图2分别用光功率Po=100mw的450nm和460nm的芯片激发该粉,有两种情况:1、两种芯片的激发效率相等,假设为100%。根据下列公式可以计算出450nm和460nm在Po=100mw的光功率时的光子数量和光子能量。Eg = hν= hc/λ 式中h为普朗克常数6.63×10-34 J?s,c为光速。① 当芯片波长是450nm时,光子能量为:Eg1 = hν1 = hc/λ1 =2.76eV光子数量为:Po/ Eg1=2.26*10^17个② 当芯片波长是460nm时,光子能量为:Eg2 = hν2 = hc/λ2 =2.69eV光子数量为:Po/ Eg2=2.31*10^17个而荧光粉的发射波长为558nm,此时的光子能量为:Eg3 = hν3 = hc/λ3 =2.22eV所以当用Eg1和Eg2的能量激发产生了Eg3,而Eg1-Eg3=2.76eV-2.22eV=0.54eV ;Eg2-Eg3=2.69eV-2.22eV=0.47eV 。(其他能量损耗忽略)其中0.54eV和0.47eV由于能量太低,不能激发荧光粉而产生2.22eV的能量。所以用Po=100mw的450nm和460nm的芯片激发该种荧光粉,产生558nm时的光子的数量分别为:2.26*10^17个和2.31*10^17个,所以用460nm的芯片激发亮度会比用450nm的芯片激发亮度高。2、由于存在着光子的吸收,散射,折射,非辐射复合,深能级缺陷限制等影响因数,两种芯片的激发效率不相等,分别为?1和?2。同理可以计算出450nm和460nm在Po=100mw的光功率时的光子数量和光子能量。而此时产生的558nm的光子的数量则变为?1*2.26*10^17个和?2*2.31*10^17个。假设?1和?2的数值分别为90%和80%(假定值,实际值会有变化,则产生的558nm的光子的数量则变为?
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1*2.26*10^17=2.034*10^17个和?2*2.31*10^17=1.848*10^17个。那么此时用450nm的芯片激发亮度会比用460nm的芯片激发亮度高。荧光粉的激发波段一般都较宽,像YAG-04的激发波段为430-490nm。所以,在LED芯片波段与在一般的蓝光芯片波段450-460nm,波段越高封装产品的亮度越高。
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